2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应晶体管的类型

上传人：笑*** IP属地：广东上传时间：2024-05-16 格式：PPTX 页数：13 大小：334.42KB 积分：12 举报 版权申诉

已阅读5页，还剩8页未读，继续免费阅读

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

场效应晶体管的类型场效应晶体管的类型按照反型层类型的不同，MOSFET可分四种不同的基本类型

N沟MOSFET：P沟增强型：VG=0，器件没有导通P沟耗尽型：VG=0，器件已经导通

P沟MOSFET：P沟增强型：VG=0，器件没有导通P沟耗尽型：VG=0，器件已经导通

6.8场效应晶体管的类型

场效应晶体管的类型表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性

6.8场效应晶体管的类型表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性

小结饱和区跨导：对式（6-74）求导

饱和区的漏极电阻

栅极电容

＝ZL

（6-79）（6-80）（6-81）小结给出了交流等效电路图6-20计算了截止频率

提高工作频率或工作速度的途径：沟道长度要短，载流子迁移率要高。

（6-82）制备出一个标准MOSFET，相关参数为：

MS=-0.89eV,QM=0,QIT=0,

xo=0.05

m,AG=10-3cm2,NA=1015/cm3,假设T=300K。确定平带电压VFB。确定反型开始对应的栅电压VTh给定的MOSFET是增强型MOSFET还是耗尽型MOSFET图1图2等效电路和频率响应

(4)如果MOSFET中内部状态如下图1所示，在图2所示的ID-VD特性曲线上确定相应的工作点（5）若在VG-VTh=3V、VD=1V情况下，MOSFET的漏断电流ID=2.5

10-4A,采用平方律关系，求在VG-VTh=3V、VD=4V情况下的漏断电流？等效电路和频率响应

（1）

(2)(3)由于

，MOSFET开始导通，在VG=0时器件导通，因此是耗尽型MOSFET（4）可见MOSFET沟道被夹断，相应于饱和开始的点为点D。（5）如果

MOSFET工作夹在夹断前的情况，由平方定律公式，有

当VG-VT=3V，VD=4V，器件进入饱和，有

等效电路和频率响应

室温下理想P沟MOSFET（1）VD=0，器件开启

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。