2022-2023学年高二物理竞赛课件：场效应管符号

场效应管符号

MOSFET的分类

N型衬底制成的管子，其漏－源区是P型的，称为P沟MOS场效应管；

P型材料制成的管子，其漏－源区是N型的，称为N沟MOS场效应管。

场效应管符号N沟道增强型MOSFET管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。表示衬底在内部没有与源极连接。N沟道耗尽型MOSFET管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。

N沟道结型FET管。没有绝缘层。如果是P沟道，箭头则向外。

MOSFET的四种类型P沟耗尽型：栅压为零时，沟道已存在，加上一个正的栅压可以使P型沟道消失。P沟增强型：栅压为零时，沟道不存在，加上一个负的栅压才能形成P型沟道。

N沟增强型：栅压为零时，沟道不存在，加上一个正的栅压才能形成N型沟道。

N沟耗尽型：栅压为零时，沟道已存在，加上一个负的栅压才能使N型沟道消失。

图4.6各类场效应晶体管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型绝缘栅场效应管

N沟道耗尽型P

沟道耗尽型结型场效应管

N沟道耗尽型P沟道耗尽型双极型和场效应型三极管的比较

双极型三极管

场效应三极管结构NPN型结型耗尽型N沟道P沟道 PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型N沟道P沟道

C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)

双极型三极管

场效应三极管噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，可有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成

场效应三极管的参数和型号

(1)场效应三极管的参数

①开启电压VGS(th)(或VT)

开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。

②夹断电压VGS(off)(或VP)

夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off)时,漏极电流为零。

③饱和漏极电流IDSS

耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。

④输入电阻RGS

场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。

⑤低频跨导gm

低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。

⑥最大漏极功耗PDM

最大漏极功耗可由PDM=VDSID决定，与双极型三极管的PCM相当。(2)场效应三极管的型号

场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。几种常用的场效应三极管的主要参数见下表。

表2场效应三极管的参数2024/5/16国家标准对半导体三极管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管2024/5/16

表02.01双极型三极管的参数

参

数型

号

PCM

mW

ICM

mAVR

CBO

VVR

CEO

VVR

EBO

V

IC

BO

μA

f

T

MHz3AX31D1251252012≤6*≥83BX31C1251254024≤6*≥83CG101C10030450.11003DG123C50050