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文档简介

电荷的生成电荷的生成

深蓝光(400nm)穿透深度或被吸收的平均深度离表面大约为0.2m见图中的λ3。x：吸收y：复合图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！电荷的生成

红光(650nm)穿透深度或被吸收的平均深度离表面大约为3.33m，激发出的电子在收集区外生成，复合寿命长，热扩散使这些电子被收集。见图中的λ5。x：吸收y：复合图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！电荷的生成

CCD硅表面下几个

m范围内晶格没有缺欠，也没有氧化物沉积，这个区域内有很高的复合寿命；但是在硅衬底的其他部分(以及表面处)存在着大量的晶体缺欠，因此复合寿命非常低。波长长的光线在衬底中生成电子的位置很深，那里的复合寿命很低，很容易复合.图中λ6表示的就是这种情况。x：吸收y：复合图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！硅片减薄到15

m左右，光线由背面射入，避免了电极对光线的阻挡，可以得到很高的量子效率。由于可以在硅表面制作减反膜，短波响应将得到很大提高。n-型硅p-型硅二氧化硅多晶硅电极减反(AR)膜Incomingphotons15mm薄型背照明CCD电荷的生成降低反射薄型CCD对近红外光线几乎透明，因此长波响应很差。

空气或真空的折射率为1.0，硅为3.6。利用上述方程式可以得出在空气中硅的反射率是32%。除非采取适当的措施消除这种反射，否则硅CCD只能探测到2/3的入射光子。增透膜可以解决这个问题。硅的折射率(ns)很高，很多入射光子会在其表面反射。nins在两种不同折射率物质的界面上光子的反射率为=[]ns-nins+ni2电荷的生成降低反射空气硅

加入增透膜以后，有三种介质需要考虑：[]ns

xni-nt2ns

xni+nt22当时反射率将降为零！满足这个条件材料的折射率为nt=1.9，幸运的是这种材料是存在的，它就是二氧化铪（HafniumDioxide）。通常天文学所使用的CCD都用这种材料作为增透膜。ntns

ni2=反射率降为：空气nins增透膜硅nt电荷的生成降低反射右图是EEV42-80CCD的反射率曲线。这种薄型CCD是专为提高蓝光谱响应设计的，其增透膜最佳工作波长为400nm。在400nm反射率下降到左右1%。电荷的生成降低反射提高量子效率最有效的方法是背照明！电荷的生成

红外光(1250nm)波长超过临界波长，不能激发光电子，见图中的λ7。x：吸收y：复合图中光线的颜色只是示意，不代表光谱！电荷的生成FoveonX3Sensors电荷的生成FoveonX3SensorsTheFoveonX3

SensorTheBayer-filterImageSensor电荷的生成

可以用量子效率计算响应度，响应度的单位是

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