高二物理 pn结的基本结构_第1页
高二物理 pn结的基本结构_第2页
高二物理 pn结的基本结构_第3页
高二物理 pn结的基本结构_第4页
高二物理 pn结的基本结构_第5页
已阅读5页，还剩16页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

pn结的基本结构pn结的基本结构冶金结＿P区和n区的交界面突变结线性缓变结超突变结突变结＿均匀分布，交界处突变pn结的基本结构空间电荷区＝耗尽区（没有可自由移动的净电荷，高阻区）PN结的形成pn结能带图内建电势差本章开始Nd,Na分别指n区和p区内的净施主和受主杂质！！！7.2零偏7.2.2电场强度半导体内的电场由泊松方程确定：电场表达式：电荷密度耗尽近似：7.2零偏7.2.2电场强度对n区和p区电场函数积分可得相应的电势表达式：7.2零偏7.2.3空间电荷区宽度n区和p区的空间电荷区宽度：7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场反偏与内建电场方向相同EF不再统一7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场V=Vbi+VR7.3反偏7.3.1空间电荷区宽度与电场X=0处7.3反偏7.3.2结电容势垒电容单位面积电容7.3反偏7.3.2结电容势垒电容7.3反偏7.3.3单边突变结Na>>Nd时，这种结称为P+n结。空间电荷区宽度：7.3反偏7.3.3单边突变结7.4非均匀掺杂pn结线形缓变结x=x’处a为净杂质浓度梯度；7.4非均匀掺杂pn结线形缓变结7.4非均匀掺杂pn结超突变结X>0处的归一化n型掺杂浓度为：线形缓变结

超突变结外延（内重掺杂，外轻掺杂）

均匀掺杂结7.4非均匀掺杂pn结超突变结的电容表达式势垒电容很大程度上取决于反偏电压的大小。超突变结的应用举例：LC电路LC电路的共振频率：电路应用中要求fr是反偏电压的线性函数，则：7.5小结均匀掺杂pn结。空间电荷区。空间电荷区内的电场。空间电荷区内的电势差。外加偏置条件下空间电荷区宽度、内建电势差、势垒电容、场强的变化。线性缓变结的电场、内建电势差、势垒电容的表达式。特定的掺杂曲线可以用来实现特定的电容特性END

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论