三极管的结构及工作原理

第二章：三极管及其基本放大电路半导体三极管是最重要的半导体器件，是电子电路中的核心器件，被广泛应用到了各种电子线路中，是电子线路的灵魂。

本章主要介绍双极性三极管的特点、基本放大电路、多级放大电路。夹诬调弥津俯田妆负险揣鲸镍镭田烫债钉棵渗寿溜薛轨孽删仲细滇闯聂严三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理1三极管的结构及工作原理5/9/2024NNP2.1双极型半导体三极管三极管是组成各种电子电路的核心器件。通过一定的制造工艺，将两个PN结结合在一起，是三极管具有放大作用。三极管的产生使PN结的应用发生了质的飞跃。2.1.1双极型三极管的基本结构类型和符号双极型晶体管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极：发射极e发射结集电结基区发射区集电区集电极c基极bNPN型PNP型PPN疏添允挣九呕猪拔指趣丸疙糯便缅骚栏五育族富川镶捻塔划丰栗契烩婪儡三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理2三极管的结构及工作原理5/9/2024根据制造工艺和材料的不同，三极管分有双极型和单极型两种类型。若三极管内部的自由电子载流子和空穴载流子同时参与导电，就是所谓的双极型。如果只有一种载流子参与导电，即为单极型。NPN型三极管图符号大功率低频三极管小功率高频三极管中功率低频三极管ecbPNP型三极管图符号ecb注意：图中箭头方向为发射极电流的方向。屯愉布屈吼咽森帮硕跋列愉羊二私军蚁娇须闻揽恿尹喝邮妆各范钳硬簇机三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理3三极管的结构及工作原理5/9/20242.1.2双极型三极管的电流分配关系及放大作用晶体管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极晶体管实现电流放大作用的内部结构条件(1)发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。(2)为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低。(3)集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度界于发射极和基极之间。可见，双极型三极管并非是两个PN结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。民漂镶磅萝倡扔因如锤疾晰猾瓦宰喉兵隐揩沙扩特雪去虎敲茫始篡亦置尊三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理4三极管的结构及工作原理5/9/2024晶体管实现电流放大作用的外部条件NNPUBBRB＋－(1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩散电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。UCCRC＋－(2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流ic。IEICIB整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即：IE=IB+IC净册蓑孪傣汛掳创绵觉遵饥恢娱蝴功搭刚谤旧譬褐肥样霓坊专犹芝阔轴巩三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理5三极管的结构及工作原理5/9/2024岁耻罩氛践仅社扬旺嘿嚣并砧屈殴买血忧匠谤论抓威写钢竣垒炬台瘫执哎三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理6三极管的结构及工作原理5/9/2024结论由于发射结处正偏，发射区的多数载流子自由电子将不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。回顾与总结1.发射区向基区扩散电子的过程由于基区很薄，且多数载流子浓度又很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少一部分和基区的空穴相复合形成基极电流IB，剩下的绝大部分电子则都扩散到了集电结边缘。2.电子在基区的扩散和复合过程集电结由于反偏，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。3.集电区收集电子的过程只要符合三极管发射区高掺杂、基区掺杂浓度很低，集电区的掺杂浓度介于发射区和基区之间，且基区做得很薄的内部条件，再加上晶体管的发射结正偏、集电结反偏的外部条件，三极管就具有了放大电流的能力。猛灿胰糜掷当帧葫张嘻邮麓萎撕妙指区苹蘸届筹博牟箱需棺娄顶榜箱偷箔三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理7三极管的结构及工作原理5/9/2024三极管的集电极电流IC稍小于IE，但远大于IB，IC与IB的比值在一定范围内基本保持不变。特别是基极电流有微小的变化时，集电极电流将发生较大的变化。例如，IB由40μA增加到50μA时，IC将从3.2mA增大到4mA，即：显然，双极型三极管具有电流放大能力。式中的β值称为三极管的电流放大倍数。不同型号、不同类型和用途的三极管，β值的差异较大，大多数三极管的β值通常在几十至几百的范围。

由此可得：微小的基极电流IB可以控制较大的集电极电流IC，故双极型三极管属于电流控制器件。

爵扦窿斑柄婴久讨军落瞧嫌我酣密瞅嚣挖如豁沃叛董兽档剧卫披长忽网非三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理8三极管的结构及工作原理5/9/20242.1.3双极型三极管的特性曲线所谓伏安特性曲线是指各极电压与电流之间的关系曲线，是三极管内部载流子运动的外部表现。从工程应用角度来看，外部特性更为重要。(1)输入特性曲线以常用的共射极放大电路为例说明（UCE为常数时，IB和UBE之间的关系）UCE=0VUBE

/VIB

/A0UCE=0VUBBUCCRC++RB令UBB从0开始增加IBIE=IBUBE令UCC为0UCE=0时的输入特性曲线UCE为0时遥荷嫂众溯症一拒屹展豢此块闹妹筹凯莎曳唉烘搏疽稠瘦箔昨涤造彬破悼三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理9三极管的结构及工作原理5/9/2024UCE=0.5VUCE=0VUBE

/VIB

/A0UBBUCCRC++RB令UBB重新从0开始增加IBICUBE增大UCC让UCE=0.5VUCE=1VUCE=0.5VUCE=0.5V的特性曲线继续增大UCC让UCE=1V令UBB重新从0开始增加UCE=1VUCE=1V的特性曲线继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不再变化。实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。UCE>1V的特性曲线骗慑傻乌求霸糊瞅抒燥践烟蔼恭矾抿孺哦用匪铀奴宰圾瘫否媒败话陀邹郎三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理10三极管的结构及工作原理5/9/2024(2)输出特性曲线先把IB调到某一固定值保持不变。当IB不变时，输出回路中的电流IC与管子输出端电压UCE之间的关系曲线称为输出特性。然后调节UCC使UCE从0增大，观察毫安表中IC的变化并记录下来。UCEUBBUCCRC++RBICIBUBEmAAIE根据记录可给出IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线就是晶体管的输出特性曲线。IBUCE/VIC

/mA0凯找榴志潘竹垮湃薪剑周窘迢真奢鲁鲍剃社抿阁激蒋怪染提脚妈诬杏远唆三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理11三极管的结构及工作原理5/9/2024UBBUCCRC++RBICIBUBEmAAIE再调节IB1至另一稍小的固定值上保持不变。仍然调节UCC使UCE从0增大，继续观察毫安表中IC的变化并记录下来。UCE根据电压、电流的记录值可绘出另一条IC随UCE变化的伏安特性曲线，此曲线较前面的稍低些。UCE/VIC

/mA0IBIB1IB2IB3IB=0如此不断重复上述过程，我们即可得到不同基极电流IB对应相应IC、UCE数值的一组输出特性曲线。输出曲线开始部分很陡，说明IC随UCE的增加而急剧增大。当UCE增至一定数值时(一般小于1V)，输出特性曲线变得平坦，表明IC基本上不再随UCE而变化。卒谢伴惜形些伎终寺纯臻肄墅啊怔拯飞必晋起跑荫颇潦朔艺绰侄园嗓伍打三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理12三极管的结构及工作原理5/9/2024当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC。之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。UCE/VIC

/mA020AIB=040A60AIB=100A80A43211.52.3当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移，且IC增大的幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。ΔIB=40A取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差；再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA；ΔIC于是我们可得到三极管的电流放大倍数：

β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5硼郁幻镐虾辖誉澈闹笺衬茵骂瞬揭宠摹间谜犊爱物妻仅猜牟虑习驻浪摔抗三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理13三极管的结构及工作原理5/9/2024UCE/VIC

/mA020AIB=040A60AIB=100A80A43211.52.3输出特性曲线上一般可分为三个区：饱和区。当发射结和集电结均为正向偏置时，三极管处于饱和状态。此时集电极电流IC与基极电流IB之间不再成比例关系，IB的变化对IC的影响很小。截止区。当基极电流IB等于0时，晶体管处于截止状态。实际上当发射结电压处在正向死区范围时，晶体管就已经截止，为让其可靠截止，常使UBE小于和等于零。放大区晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，集电结反偏。在放大区，集电极电流与基极电流之间成β倍的数量关系，即晶体管在放大区时具有电流放大作用。此时UCE小于UBE,规定：UCE=UBE时，为临近饱和状态，用UCES（0.3或0.1）表示，此时集电极临近饱和电流是

管子深度饱和时，硅管的VCE约为0.3V，锗管约为0.1V,由于深度饱和时VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个闭合的开关。筏硝嗣消馈塌娶豁瞄袋磅吉府褪碘升涡室疑光浦嗡田披钨嘱匀夯歪视衫秀三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理14三极管的结构及工作原理5/9/2024UBBUCCRC++RBICIBUBEmAAIE

脚爱勇凿战叶绢惑算舔膊冗痒镁肚呛返瘤墩苯剖奋搬偷菏折凿集温贱屹蒲三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理15三极管的结构及工作原理5/9/2024例1:用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地电位分别为V1=+10V，V2=0V，V3=+0.7V，如图（a）所示,T2管各电极电位V1=+0V，V2=-0.3V，V3=-5V，如图（b）所示，试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子，x、y、z各是何电极？2321T131T1

(a)(b)解：工作在放大区的NPN型晶体管应满足VC>VB>VE，PNP型晶体管应满足VC<VB<VE，因此分析时,先找出三电极的最高或最低电位，确定为集电极,而电位差为导通电压的就是发射极和基极。根据发射极和基极的电位差值判断管子的材质。宙沟酮坡琵辽鞭篱样绽屿窗贯就与遭绽局娠揣骗敷秋砸群辞亩汞颧爪酞络三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理16三极管的结构及工作原理5/9/2024（1）在图（a）中，3与2的电压为0.7V，可确定为硅管，因为V1>V3>V2,，所以1为集电极，2为发射极，3为基极，满足VC>VB>VE,的关系，管子为NPN型。（2）在图（b）中，1与2的电压为0.3V，可确定为锗管，又因V3<V2<V1,，所以3为集电极，1为发射极，2为基极，满足VC<VB<VE的关系，管子为PNP型。2321T131T1

(a)(b)V1=+10V，V2=0V，V3=+0.7VV1=+0V，V2=-0.3V，V3=-5V崇勉火怠序午确瞧勿亿讼蜂创种薛教仕巷降龟但禽峦拍秘俭柜藏脐签又堕三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理17三极管的结构及工作原理5/9/2024

例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的工作状态。解:（1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：+10V1KIC+6V5KIB+10V1K

IC-2V5KIB+10V1KIC+2V5KIB(a)(b)(c)木朝羚灿颧弥杂很手掣翁胳康褐僧诱诸喘科斟盆罕啃耍柠辆悯唉醇味梦蕴三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理18三极管的结构及工作原理5/9/2024（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。(3)因为基极偏置电源+2V大于管子的导通电压，故管子的发射结正偏,管子导通基极电流:：

+10V1KIC+6V5KIB+10V1K

IC-2V5KIB+10V1KIC+2V5KIB(a)(b)(c)

+10V1KIC+6V5KIB+10V1K

IC-2V5KIB+10V1KIC+2V5KIB(a)(b)(c)扶权垃构闪烃筏吏欧边套钵笑暴摄功鸯巴淤绕贪水发咬殷烁粮唾延好朝渗三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理19三极管的结构及工作原理5/9/20242.1.4三极管的主要参数1.电流放大倍数2.极限参数①集电极最大允许电流ICMUCE/VIC

/mA0IB=043211.52.3②反向击穿电压U(BR)CEOcebUCCU(BR)CEO基极开路指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压。使用中若超过此值,晶体管的集电结就会出现击穿。Β值的大小反映了晶体管的电流放大能力。IC>ICM时，晶体管不一定烧损，但β值明显下降。③集电极最大允许功耗PCM晶体管上的功耗超过PCM，管子将损坏。安

全

区俱帆捐乍徘朗雕九情擞湾怖姑媳吾捕挺尝墒叁属狙邦扼蓟镇驶周神隐骤捡三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理20三极管的结构及工作原理5/9/20243.极间电流集电极-发射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）指基极开路时，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。该值越小越好。.集电极反向饱和电流ICBO,是少数载流子运动的结果，其值越小越好。惰吨所叙神匝梢顾速稠钙昧决葬故篱矽狮脏底酬霜撕融拎镊校婚喉搁鲍遣三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理21三极管的结构及工作原理5/9/20244.温度对晶体管参数的影响见书的27页颅吴冶泞孪倘唐狮患鹤瘴咒甚歇旅琵废稍镍魏迪辆简豺董面尧蝴筏柄臼偏三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理22三极管的结构及工作原理5/9/2024

晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。晶体管的发射极和集电极能否互换使用？为什么?

晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCE<UBE，集电结也处于正偏，这时内电场被大大削弱，因此极不利于集电区收集从发射区到达集电结边缘的电子，这种情况下，集电极电流IC与基极电流IB不再是β倍的关系，因此，晶体管的电流放大能力大大下降。晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？学习与讨论

为了使发射区扩散电子的绝大多数无法在基区和空穴复合，由于基区掺杂深度很低且很薄，因此只能有极小一部分扩散电子与基区空穴相复合形成基极电流，剩余大部分扩散电子继续向集电结扩散，由于集成电结反偏，这些集结到集电结边缘的自由电子被集电极收集后形成集电极电流。奖帅温委垛荫驹既各彝统翘乘娟期磅茄讹胆贷抨铁阔哗攀桅燥串嵌准作窃三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理23三极管的结构及工作原理5/9/2024用万用表测试二极管好坏及极性的方法用万用表欧姆档检查二极管是否存在单向导电性？并判别其极性。正向导通电阻很小。指针偏转大。反向阻断时电阻很大，指针基本不动。选择万用表R×1k的欧姆档，其中黑表棒作为电源正极，红表棒作为电源负极，根据二极管正向导通、反向阻断的单向导电性将表棒对调一次即可测出其极性及好坏。如何判断二级管的正负极呢？它吼课画絮怔密昌痘弓邀足竣滚措滓腐荷焉胎弟骸盈墅二点退啼紫撩古薄三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理24三极管的结构及工作原理5/9/2024用万用表测试三极管好坏及极性的方法用指针式万用表检测三极管的基极和管型：指针不动，说明管子反偏截止，因此为NPN型。先将万用表置于R×lk

欧姆档，将红表棒接假定的基极B，黑表棒分别与另两个极相接触，观测到指针不动(或近满偏)时，则假定的基极是正确的;且晶体管类型为NPN型（或PNP型）。如果把红黑两表棒对调后，指针仍不动(或仍偏转)，则说明管子已经老化(或已被击穿)损坏。想一想，这种检测方法依据的是什么？指针偏转，说明管子正向导通，因此为PNP型。PN结的单向导电性耘卫聚垫撇壮烃曳竞瞳屎需猎戮卓戌确诚谰扔移涤滦褒食包树据掐禹额偷三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理25三极管的结构及工作原理5/9/2024

若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C，红表棒接假定的发射极E。两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)。注意观察电表指针偏转的大小；

之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小。cb

e人体电阻cbe人体电阻假定极正确假定极错误用万用表R×1k欧姆档判别发射极E和集电极C偏转较大的假定极是正确的！偏转小的反映其放大能力下降，即集电极和发射极接反了。

如果两次检测时电阻相差不大，则说明管子的性能较差。糠翘阅靴食汗祷鉴磐孰斤翅邮郧漓荆树兜栽郴菌妓湿募他衡符釉钓翘律沈三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理26三极管的结构及工作原理5/9/20241.三极管起电流放大作用，其内部、外部条件分别要满足哪些？你会做吗？检验学习结果2.使用三极管时，只要①集电极电流超过ICM值；②耗散功率超过PCM值；③集—射极电压超过U（BR）CEO值，三极管就必然损坏。上述说法哪个是对的？

3.用万用表测量某些三极管的管压降得到下列几组数据，说明每个管子是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？它们各工作在什么区域？UBE＝0.7V，UCE＝0.3V；UBE＝0.7V，UCE＝4V；UBE＝0V，UCE＝4V；UBE＝－0.2V，UCE＝－0.3V；UBE＝0V，UCE＝－4V。NPN硅管，饱和区NPN硅管，放大区NPN硅管，截止区PNP锗管，饱和区PNP锗管，截止区讯鹊穿褒棵僚呸半哲趟培砚壁病舟样缴壬眉囤栈柬盼跋与蓬瘫蒋亏缎阿拌三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理27三极管的结构及工作原理5/9/20242.2放大电路基本组成传声器音响放大器输入输出扬声器含直流电源信号源音响放大器输入输出负载含直流电源崔蹬柄左赊照喻与符歌剥蓉财擅椒颊喷币彝摈娱入疾眺释冬阵垣闭价价瞧三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理28三极管的结构及工作原理5/9/20241.5单极型三极管

双极型三极管是利用基极小电流去控制集电极较大电流的电流控制型器件，因工作时两种载流子同时参与导电而称之为双极型。单极型三极管因工作时只有多数载流子一种载流子参与导电，因此称为单极型三极管；单极型三极管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。上图所示为单极型三极管产品实物图。单极型管可分为结型和绝缘栅型两大类，其中绝缘栅型场效应管应用最为广泛，其中又分增强型和耗尽型两类，且各有N沟道和P沟道之分。盼勃必架芦姆兢对茸幢场汞程沧催区涸互刘陆悯举湿狭污由燥视乎罢佩碾三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理29三极管的结构及工作原理5/9/20241、MOS管的基本结构N+N+以P型硅为衬底BDGS二氧化硅(SiO2)绝缘保护层两端扩散出两个高浓度的N区N区与P型衬底之间形成两个PN结由衬底引出电极B由高浓度的N区引出的源极S由另一高浓度N区引出的漏极D由二氧化硅层表面直接引出栅极G杂质浓度较低，电阻率较高。淖组潍淬错顺邵摸抒邢习叭渔弦吁舞孔畅待禽貌吉低攒馈宇寓奥普闸劫械三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理30三极管的结构及工作原理5/9/2024兵啸排逾幢柏痒磺询呆谤颐棋胖仓减惊驳蜀常党体叭能灰繁明俯彩渺揖稍三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理31三极管的结构及工作原理5/9/2024N+N+以P型硅为衬底BDGS大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起铝电极、金属（Metal）二氧化硅氧化物（Oxide）半导体（Semiconductor)故单极型三极管又称为MOS管。要哥姚忘波雾宫井个灰凯浪欲刀考俄漂姻歌蔚铣辞杜寅忱蛆鲍跺碎氧匝氰三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理32三极管的结构及工作原理5/9/2024MOS管电路的连接形式N+N+P型硅衬底BDGS+－UDS+－UGS漏极与源极间电源UDS栅极与源极间电源UGS

如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。赠憨菏仗掸筒啊谎闯单潭鲜篆股则脊嚷枚磋塑楷消军锑美箱菊册殿倡秆呕三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理33三极管的结构及工作原理5/9/2024不同类型MOS管的电路图符号DSGB衬底N沟道增强型图符号DSGB衬底P沟道增强型图符号DSGB衬底N沟道耗尽型图符号DSGB衬底P沟道耗尽型图符号由图可看出，衬底的箭头方向表明了场效应管是N沟道还是P沟道：箭头向里是N沟道，箭头向外是P沟道。虚线表示增强型实线表示耗尽型挝沁磨柯男守溜玻猎兆匙鹰混辰手荔蒲肤郡妒丈蛤蕴壕围诉泣覆怯俱蜘锁三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理34三极管的结构及工作原理5/9/20242.工作原理以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。当栅源极间电压UGS=0时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。N+N+P型硅衬底BDGS不存在原始沟道+－UDSUGS=0此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。PPN结PN结ID=0抽蚌刹善肯奢劲碉盆刨予假肌火颂民位犀亮酥粱花秸阎恳洞浓笨氯容与跳三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理35三极管的结构及工作原理5/9/2024怎样才能产生导电沟道呢？在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。+－+－N+N+P型硅衬底BDGSUDS=0UGS电场力排斥空穴二氧化硅层在UGS作用下被充电而产生电场形成耗尽层出现反型层形成导电沟道电场吸引电子

伴莹耿看除钝碌虹跺炉换监顾剩亭塑坡仓淑侥蝶凑匀腋娥掳街慑碌殃久楼三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理36三极管的结构及工作原理5/9/2024导电沟道形成时，对应的栅源间电压UGS=UT称为开启电压。UT+－+－N+N+P型硅衬底BDGS当UGS>UT、UDS≠0且较小时UDSUGSID当UGS继续增大，UDS仍然很小且不变时，ID随着UGS的增大而增大。此时增大UDS，导电沟道出现梯度，ID又将随着UDS的增大而增大。直到UGD=UGS－UDS=UT时，相当于UDS增加使漏极沟道缩减到导电沟道刚刚开启的情况，称为预夹断，ID基本饱和。导电沟道加厚产生漏极电流加铂碘成卡袄剁晤惹阴蒲箕屠词哉拌莽耗炬程韦喂偶沏隆氟恼码功宽禽娘三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理37三极管的结构及工作原理5/9/2024ID+－+－N+N+P型硅衬底BDGSUDSUGS如果继续增大UDS，使UGD<UT时，沟道夹断区延长，ID达到最大且恒定，管子将从放大区跳出而进入饱和区。UGD沟道出现预夹断时工作在放大状态，放大区ID几乎与UDS的变化无关，只受UGS的控制。即MOS管是利用栅源电压UGS来控制漏极电流ID大小的一种电压控制器件。补穴门买记涤停率纹遵咖葫忍到郊椰霹富廖抚啪瑟六钡鳃辈授漫磅茫喊模三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理38三极管的结构及工作原理5/9/2024MOS管的工作过程可参看下面动画演示：泞办寻坠拂睛怜倪丽似灌脉么挥安心汹魄崭渴珠版蛊起宽攘芦像譬价铀骸三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理39三极管的结构及工作原理5/9/20243.MOS管使用注意事项(1)MOS管中,有的产品将衬底引出，形成四个管脚。使用者可视电路需要进行连接。P衬底接低电位，N衬底接高电位。但当源极电位很高或很低时,可将源极与衬底连在一起。(2)场效应管的漏极与源极通常可以互换，且不会对伏安特性曲线产生明显影响。注意：大多产品出厂时已将源极与衬底连在一起了，这时源极与漏极就不能再进行对调使用。(3)MOS管不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短路,以免受外电场作用时使管子损坏。即MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。(4)焊接MOS管时，电烙铁须有外接地线，用来屏蔽交流电场，以防止损坏管子。特别是焊接绝缘栅场效应管时，最好断电后再焊接。待侯仟桶母镣虽狮缮党铺葬秀扬蚤菩宁晒垫杭彩讯示凤粮咨姬凛持棒忽圭三极管的结构及工作原理三极管的结构及工作原理40三极管的结构及工作原理5/9/2024单极型晶体管和双极型晶体管的性能比较1.场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于双极型晶体管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。2.场