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文档简介

电子受激辐射

电子受激辐射1.实验特征:●发光强度随泵浦强度呈非线性增长，

即

●泵浦强度存在阈值

●辐射谱窄.频率由腔长决定.2.泵浦方式：●激光模具有方向性.●强激光：

取决于材料和泵浦情况。

●电子束：

激发能量大于

●闪光灯.●激光二极管中,在pn结上加正向偏压.

3.本征半导体①受激辐射过程Ⅰ●电子-激子非弹性散射●伴随LO的激子复合.●激子-激子散射、激子-载流子非弹性散射.●双激子衰减②粒子数方程其中能量为

的光子数密度.包括共振腔内光子数的所有损耗,例如反射或衍射等.●第二项是所有对辐射

的光子过程求和.表示能量守恒.表示跃迁几率.在强耦合情况下,表示类激子极化激元向类光子极化激元跃迁几率。为粒子数因子.例

线

该式可以分解成两部分,其中与光子数密度

无关部分与自发辐射有关，而与光子数密度

有关部分给出受激吸收与受激辐射的净增益或吸收

假设不同激子态达到热平衡,那么,在低温下,即使两个激子碰撞也发生粒子数反转,③增益

●激子-激子散射:低温下，

随泵浦强度非线性增长,直到增益大于损耗,即直到激光辐射开始,高温下，

态被占据

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