反映二极管质量的参数是

二极管的根底学问和参数选择二极管的根底学问和参数选择二极管〔Diode〕算是半导体家族中的分立元器件中最简洁的一类，其最明显的性质就是它的单向导电特性，就是说电流只能从一边过去，却不能从另一边过来(从正极流向负极)。1、二极管的分类1、二极管的分类二极管的种类有很多，依据所用的半导体材料，可分为锗二极管〔Ge管〕管及平面型二极管。依据二极管的不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、肖特基二极管、发光二极管等。2、二极管的型号命名方法〔1〕依据国产半导体器件型号命名方法：二极管的型号命名由五个局部组成：主称、材料与极性、类别、序号和规格号〔同一类产品的档次〕。几种常见二极管特点整流二极管作频率低。通常，IF在1安以上的二极管承受金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的承受全塑料封装。开关二极管反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。开关二极管有接触型，平面型和集中台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多承受全密封环氧树脂，陶瓷片状封装。稳压二极管压作用，故称为稳压二极管。它是利用PN结反向击穿时的电压根本上不随电流的变化而变化的特点，来到达稳压的目的。变容二极管变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。非线性关系，并提高Q值以适合应用。TVSTVS〔TransientVoltageSuppresser瞬态电压抑制器〕是和被保护态电流供给通路，使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁。由于TVS二极管的结面积较大，使得它具有泄放瞬态大电流的优点，具有抱负的保护作用。二、极管的参数选择额定正向工作电流额定正向工作电流指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。最大浪涌电流20最高反向工作电压lN400150V，lN40071000V。反向电流向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。10℃，反向电流增大一倍。硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。反向恢复时间这个时间就是反向恢复时间。它直接影响二极管的开关速度。最大功率二极管等显得特别。频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频状况下工作。2、不同二极管的选用检波二极管来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。整流二极管合要求的整流二极管即可。稳压二极管稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中50％左右。开关二极管关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列一般开关二极管。高速开关RLS1SS1N2CK〔〕来选择开关二极管的具体型号。变容二极管QTVSVBRIR。VBRTVS25℃时，低于这个电压TVS是不会产生雪崩的。当TVS1mA流〔IR〕TVSVBR。按TVS的VBRVBR5105VBRVWM=0.85VBR；对于10％的VBR来说，VWM=0.81VBR。为了满足IEC61000-4-2国际标准，TVS二极管必需到达可以处理最小8kV〔接触〕和击标准。对于某些有特别要求的可携设备应用，设计者可以依需要选择元件。IDVWM。VWM近，这样才不会在TVS工作以前使整个回路面对过压威逼。当这个额定反向切VWMTVSID。最大钳位电压VC和最大峰值脉冲电流IPP。当持续时间为20msIPPTVSVCVC、IPPTVSVCVBR1.2~1.4之间。VCESDTVSPppm500WTVSPMTVSPM其突波电流的承受力量越大。在特定的功耗PM下，钳位电压VC续时间与间歇时间之比〕为0.01％。假设电路内消灭重覆性脉冲，应考虑脉冲TVS。电容器量C。电容器量C是由TVS雪崩结截面打算的，是在特定的1MHz频率下测得的。C的大小与TVS管的电流承受力量成正比，C太大将使CTVS/讯TVS〕，40pF。肖特基二极管：150V0.3-0.6V10nS的反向低。硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PNRC制作太阳能电池或发光二极管。0.8-1.1V35-85nS管在制造工艺上承受掺金,单纯的目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.Diode〕是近年来问世的型半导体SRD〔SuperfastRecoveryDiode〕，则是在快恢复二极trr们可广泛用于开关电源、脉宽调制器〔PWM〕、不连续电源〔UPS〕、沟通电动机变频调速〔VVVF〕、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有进展前途的电力、电子半导体器件。150V)，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以承受金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料承受硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特RC时间常数限制，MIS〕肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间快速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上承受掺金,单纯的集中等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.快恢复二极管FRD〔FastRecoveryDiode〕是近年来问世的型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD〔SuperfastRecoveryDiode〕，则是在快恢复二极管根底上进展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可变频调速〔VVVF〕、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有进展前途的电力、电子半导体器件。TVSESDTVS瞬态电压抑制这里不管TV是如何产生的,比方直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.ESD静电放电保护其中主要应用是HBM和MM,简洁说,就是人或者设备对器件放电(静电),但是器件不能损坏.HBMCLASS1C1000V-2023V100pF