电子行业专题报告-存储专题跟踪：HBM引领AI存力扩容产品切换加剧产能紧缺

正文目录存价跟：AI高增中台地或存储能成击 5Nand产价持扬 5DRAM：高能求动高产价增长 6约：业市需求领Q2格行国台地或击储能 7HBM领AI存扩，产切加产紧缺 11光绩复预，AI是要动力 11AI速力容储价持上行 12利存价拐已至 23投建议 25风提示 25图表目录图表1:128Gb/256GbFlashWafer（）5图表2:512Gb/1TbFlashWafer）5图表3:SSD（）..................................................5图表4:eMMC美元）6图表5:UFS（）.............................................................6图表6:DDR4）.......................................................7图表7:DDR4）.......................................................7图表8:DDR5（）7图表9:NandFlash24Q2810:DRAM24Q2911:中国台湾存储产能分布...............................................................1012:美光营收及利润.....................................................................1113:美光分部门业绩.....................................................................1114:美光分部门业绩.....................................................................1215:美光FQ3-24业绩指引................................................................1216:2016-2017年全球IaaS云服务市场.....................................................1317:全球服务器出货.....................................................................1318:Nand出货情况.......................................................................1319:DRAM及Nand价格走势................................................................1320:美光CY17Q4终端市场表述............................................................1321:美光毛利率变动.....................................................................1422:Nand最新路线图.....................................................................1423:三星3DNand技术路线...............................................................1424:三大原厂HBM解决方案研发速度........................................................1525:三大终端应用存储容量需求成长情况....................................................1526:全球服务器出货量增速...............................................................1627:AI服务器出货量预估.................................................................1628:HBM在DRAM市场中的份额（百万美金，千片/月）........................................1629:SK海力士HBM产品时间线.............................................................1730:三星HBM技术路线图.................................................................1731:美光HBM技术路线图.................................................................1832:2025SSD2023（EB）1833:传统服务器与AI服务器的存储容量变化.................................................1934:AIPC出货预测.......................................................................1935:英特尔关于AIPC的内存趋势判断.......................................................1936:全球智能手机出货预估...............................................................2037:AIphone出货量预估.................................................................2038:美光及西部数据库存（亿美元）........................................................2139:美光及西部数据存货周转天数（天）....................................................2140:各大原厂资本开支表述...............................................................2141:2019-2020年内存厂投片量............................................................2242:DDR5渗透率预估.....................................................................2243:2024NandDRAM2244:华邦电月度营收（亿新台币）..........................................................2345:南亚科月度营收（亿新台币）..........................................................23图表46:DDR3现均动（元） 24图表47:DDR3合平变动美） 24图表48:大量SLC均价美） 24图表49:中容量SLC货均（元） 24存储价格跟踪：AINandNandFlashWaferFlashWafer（128GB）256GBWafer2023月13的现均价0.96美元至3月11日的1.82美，幅达89.61TbFlashWafer20233133.22到2024年3月11日上升至6.39美元,涨幅达98.4。图表1:128Gb/256GbFlashWafer现均（元） 图表2:512Gb/1TbFlashWafer现货价美）

8.07.06.05.04.03.02.01.02023/03/112023/04/112023/05/112023/03/112023/04/112023/05/112023/06/112023/07/112023/08/112023/09/112023/10/112023/11/112023/12/112024/01/112024/02/112024/03/112023/03/112023/04/112023/05/112023/06/112023/07/112023/08/112023/09/112023/10/112023/11/112023/12/112024/01/112024/02/112024/03/11现货平均价:Wafer:128GbTLC现货平均价:Wafer:256GbTLC

现货平均价:Wafer:512GbTLC现货平均价:Wafer:1Tb资料来源：iFind， 资料来源：iFind，SSD品牌进入2024年后渠道跟踪价格坚挺。PCIe产品中以三星PCIE3.0:970EVO+:1024GB:M.231523102718.6美，幅达20.69。SATA品以Crucial:SATA3:MX500:1024GB:2.5inch3月1523年10月2735.754.292024SSD2023年2023年2024年产品型号 10/2711/1011/2412/2512/291/121/262/162/273/15Samsung:PCIE3.0:89.9970EVO+:1024GB:M.2103.9108.9112.7119.3120.7111.6106.4114.6108.5Samsung:PCIE4.0:102.5980PRO:1024GB:M.2103.3111.3119.7126.8135.3132.4137.0126.4133.7ADATA:SATA3:28.5SU630:240GB:2.5inch28.730.431.833.033.633.233.933.734.5Kingston:SATA3:45.8A400:480GB:2.5inch46.547.746.247.448.849.450.652.351.9Crucial:SATA3:80.785.791.995.1100.7105.1107.9111.2113.1116.5MX500:1024GB:2.5inch资料来源：iFind，eMMCUFSeMMC32624小幅涨GB/6GB32G64GB品格涨度次为2/.5.8/23，其64GBUFS202395128Gb8.817.69月最点为87.2。图表4:eMMC产均（元） 图表5:部分UFS品价美）5.04.54.03.53.02.52.01.51.0

20.018.016.014.012.010.08.06.04.02.02023/03/262023/04/262023/03/262023/04/262023/05/262023/06/262023/07/262023/08/262023/09/262023/10/262023/11/262023/12/262024/01/262024/02/262024/03/262023/03/262023/04/262023/05/262023/06/262023/07/262023/08/262023/09/262023/10/262023/11/262023/12/262024/01/262024/02/262024/03/26市场价2023/03/262023/04/262023/05/262023/06/262023/07/262023/08/262023/09/262023/10/262023/11/262023/12/262024/01/262024/02/262024/03/26

市场价:UFS/128GB:平均价市场价:UFS/256GB:平均价资料来源：iFind， 资料来源：iFind，DRAMDDR4DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps123.453203.65涨达5.8。DDR4DDR48Gb(1Gx8)eTT201.38120.1815。DDR44Gb512Mx8eTT品3月20日货价0.54元较1月2均价涨0.09美，约20。图表6:大量DDR4货价（美） 图表7:小量DDR4货价（美）4.0

2.03.5

1.61.23.0

0.82023/03/202023/04/202023/03/202023/04/202023/05/202023/06/202023/07/202023/08/202023/09/202023/10/202023/11/202023/12/202024/01/202024/02/202024/03/202.5现货平均价:DRAM:DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps现货平均价:DRAM:DDR416Gb(1Gx16)3200现货平均价:DRAM:DDR416Gb(2Gx8)3200

现货平均价:DRAM:DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps现货平均价:DRAM:DDR48Gb(1Gx8)eTT现货平均价:DRAM:DDR44Gb512Mx8eTT现货平均价:DRAM:DDR44Gb(256Mx16)2400/2666现货平均价:DRAM:DDR44Gb(512Mx8)2400/2666资料来源：iFind， 资料来源：iFind，DDR52410，有望量价齐升。DDR516GBDDR516G(2Gx8)4800/56004.6923年8月点上涨0.82美，涨达20.9较24年1月2日涨10.4。我AI图表8:DDR5近期现货均价（美元）4.84.74.64.54.44.34.24.14.03.93.8现货平均价:DRAM:DDR516G(2Gx8)4800/5600资料来源：iFind，Q2NandFlashTrendForce24Q2NANDFlash13-18SSD20-25。24Q1Q1，Q2NANDeMMCNANDFlasheMMC10-15。UFS：UFS10-15。24H124H2SSD20-25。SSD：SSDPCOEM24Q2PCSSDSSD10-15。3DNandWafer：NANDFlash，Q2waferQ1，5-10。图表9:不同类别NandFlash24Q2合约价格预测资料来源：TrendForce，DRAMPCQ224H1DRAMQ2PCDRAM3~8。ServerDRAM：DDR524Q1DDR5DDR5DDR5DDR424Q2DDR4DDR5ServerDRAM3~8。MobileDRAM23H224Q1MobileDRAM3~8。ConsumerDRAM：AIAI方提备货预估ConsumerDRAMQ2约价幅收至增3~8。图表10:不同类别DRAM24Q2合约价格预测资料来源：TrendForce，437.7Ⅰ（红色）524Q2DRAMFABFoundryFABDRAMSSD图表11:中国台湾存储产能分布资料来源：TrendForce，HBMAI，AIFY24Q2(CY24Q158FY24Q1（51-55），；毛利率20，超出指引（11.5-14.5），yoy-11.4pcts，qoq+1pct.76FY210FY22-210.42（0.21-0.35）。图表12:美光营收及利润10010082.786.48074.276.9 77.966.46058.247.340.94036.937.540.1204.760-20-40营业收入（亿美元）净利润(NON-GAAP)（亿美元）资料来源：，FY24Q2分事业部业绩：CNBU21.85MBU：收入15.98美，yoy+69;EBU：收入11.11美，yoy+28；SBU：收入9.05亿元，yoy+79，qoq+39。图表13:美光分部门业绩资料来源：美光，FY24Q2分产品业绩DRAM：营收42美，占比71，qoq+21，yoy+53.4比出量百分增，ASP环长18-19，其超过75的bits中于1α和1-gammaCY25NAND：1629，qoq+27，yoy+80分位低，ASP比超30过90的bits集在176与232层一NANDCY25图表14:美光分部门业绩资料来源：美光，FY24Q3(CY24Q2（64-68）66.7qoq13.利率引间25-28中值26.qoq+65pc9.-1.050.-052美元；2024Capex75-80图表15:美光FQ3-24业绩指引资料来源：美光，AI&2016-2018PCSSD3DNandFlash2D3DNand1xnm图表16:2016-2017年球IaaS服务场 图表17:全球务出货 资料来源：TechWeb， 资料来源：wind，图表18:Nand出情况 图表19:DRAM及Nand格势资料来源：芯世相， 资料来源：芯世相，（2016-2018CY17Q4（FY18Q1）SSD5050CY16Q217.2高至CY18Q3的61CY16Q2的-7.4CY18Q3的8。图表20:美光CY17Q4终端市场表述资料来源：TrendForce，图表21:美光毛利率变动61.0317.1861.0317.18销售毛利率(%)销售净利率(%)6040202014-05-292014-08-282014-05-292014-08-282014-12-042015-03-052015-06-042015-09-032015-12-032016-03-032016-06-022016-09-012016-12-012017-03-022017-06-012017-08-312017-11-302018-03-012018-05-312018-08-302018-11-292019-02-282019-05-302019-08-292019-11-282020-02-272020-05-282020-09-032020-12-032021-03-042021-06-032021-09-022021-12-022022-03-032022-06-022022-09-012022-12-012023-03-022023-06-012023-08-312023-11-302024-02-29-20-40-60-80资料来源：wind，AIDRAM升级至HBMSSD200+L~300LNand20253DDRAMDRAMDRAM100G图表22:Nand最路图 图表23:三星3DNand术线资料来源：TechInsights， 资料来源：半导体芯闻，图表24:三大原厂HBM解决方案研发速度资料来源：TrendForce，PCAI2025AIPhone、AIPC2024~2025TrendForce，2024DRAMNANDFlashAIDRAM17.3SSD13.2。图表25:三大终端应用存储容量需求成长情况资料来源：TrendForce，1）服务器：TrendForce20241365.4.05AI服务器预计出货量约为1.6占约12.2受于智能务需的长AMDCSPASICAIDRAM13.2。图表26:全球务出量速 图表27:AI务出量估资料来源：TrendForce， 资料来源：TrendForce，服务器内部存储将在未来几年加速扩容：HBM：2024年全球位元增速达到260，占DRAM行业营收比重将达20。到2024底HBM计能达大约270K/占产的14260DRAM20238.4202420.12024HBM120-125KHBM390HBM3图表28:HBM在DRAM市场中的份额（百万美金，千片/月）资料来源：TrendForce，HBMAIHBMSKHBM60SKHBMSK2024年HBM2024HBM2025HBM3ESKHBM3E2025HBM40，HBM60，2024HBM3E2024TSVAIMCRDIMM202350上，2024HBM品，保障产品扩产及研发动作顺利进行，优先考虑扩大先进工艺产品量产及TSV与基础设施建设。HBM4SKAIHBM（HBM4），HBM420481024HBM42026年实现HBM4HBMGPU。图表29:SK海力士HBM产品时间线资料来源：SKHynix，TSVHBM1Bnm32GDDR5DDR5AIHBMTSVHBMHBM3E12H242026HBM202313.82028HBM202323.1HBM资料来源：三星，2024HBM3ED5LPDRAMSSD，2024226HBM3EH200TensorCoreGPU824GBHBM3E20242024Capex75-80HBM3E图表31:美光HBM技术路线图资料来源：美光，ServerSSD：，2024ServerPCIe5.0SSD20238TB/16TBPCIeSSDTrendForceAINandFlash4.1TB8TB此外，3532TB、64TB128TBSSD图表32:2025年数据中心SSD容量相对2023年翻倍（EB）3742913742912281721193503002502001501005002023 2024E 2025E 2026E 2027E资料来源：TrendForce，ServerGDDR，GDDR6NvidiaT4GPUL40SGDDRHBMTrendForceAIDRAM1.2-1.7TB2.2-2.7TB500-600GB。图表33:传统服务器与AI服务器的存储容量变化资料来源：TrendForce，AIPC：根据TechInsights，2024年全球笔记本电脑出货量预计同比增长11，同时伴随ows10到11的升级周期以及AIPC的增长驱动，出货量在2025年将达约2.4亿台。微软的AIPC规格要求CPU算力超过40TOPS，高通的SnapdragonXElite、AMD的Ryzen8000系列（StrixPoint）和英特尔的LunarLake等处理器都可以满足。对应AIPC存储硬件的首要需求是将DRAM容量扩展到至少16GB，并同步推动SSD容量的提升。据此，笔记本电脑中DRAM容量将同比增长约12.4，并将在2025年进一步显著增长。与此同时，客户端SSD的单机容量也呈上升趋势，2024年增长率预计约为9.7。AIPC16GB32GB202564GBAIPCSSDSSDSSD图表34:AIPC出预测 图表35:英特于AIPC内势判断资料来源：Omdia， 资料来源：英特尔，智能手机&AIphone：IDC2024122.8，中AIphone出量看1.7支占整手比近15从长ounerpitAIphne2075.2240，2023-2028cagr83。AIPhoneDRAM50-100DRAM容量增加17.5，NAND闪存容量增加19.2。美光预AIphoneDRAM50-1002024AIphoneDRAMNANDTrendForce14.19.3。图表36:全球能机货估 图表37:AIphone出量估资料来源：IDC， 资料来源：Counterpoint，HBM持续紧缺。23Q432.220Q3至115天，反应存储产品拉货动能持续提升。美光的存货尽管处于高位，但自FY24Q2FY24Q114222FY24Q1DRAM图表38:美光西数库（美元） 图表39:美光西数存周天数天）83.681.382.483.681.382.483.982.884.466.653.856.348.335.436.536.636.438.637.739.837.035.032.280 1607060 15050 1404030 13020 120100 110美光科技 西部数据美光科技 西部数据

164.5164.5160.8159.8157.5159.3131.0125.0126.6122.1119.92023Q2 2023Q3 2023Q4 2024Q1 2024Q2美光科技 西部数据资料来源：， 资料来源：，资本开支：2022-2023252624HBM25HBMbit2025DRAMbit图表40:各大原厂资本开支表述资本开支相关表述24年预计资本开支约10万亿韩元（约合76亿美元），23年实际资本开支9.5万亿韩元，约70.8亿美元，此前预计6万亿-7万亿韩元。SK海力士资本开支意在满足AI时代激增的需求，SK海力士三星美光

投资将聚焦于两方面：DRAMHBM3、DDR5LPDDR5；HBMTSV（硅通孔）SK24NAND2328.34（213）53.12415。HBMDDR5HBM2023（70）5-107580HBM3E2024WFE（24，DRAMNAND2022资料来源：DRAM23H22019DRAMDDR4DDR5DRAMHBMDDR53DRAMDRAM图表41:2019-2020年内存厂投片量资料来源：TrendForce，图表42:DDR5渗透率预估IntelDDR5IntelDDR5platformAMDDDR5platform23Q15823Q2 23Q3 23Q4E7~10 10~15 15~20 23~28 24Q1E24Q2E24Q3EDDR5BullCase23Q123Q223Q3SupplyProductionCustomer'sAdopBaseCaseBul资料来源：TrendForce，82AI24H124H2AITrendForce202424Q2DRAMNand3-82-3SSDNand24H224Q2SSD2015。图表43:2024年Nand及DRAM涨价预估资料来源：TrendForce，利基存储价格拐点已至262.730.58.0350.56SLCNANDDRAMDDR3ASP24图表44:华邦月营