模电第1章-半导体器件练习2016(有答案)

推荐精选推荐精选推荐精选二极管和三极管练习题1、N型半导体中的多数载流子是(A)，而P型半导体中的多数载流子是(B)。A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子2、要得到P型半导体，可在本征半导体硅或锗中掺入少量的(A)，要得到N型半导体，则需要掺入少量的(C)。A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3、杂质半导体中多数载流子浓度(B)。A.只与温度有关 B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关C.与温度无关 D.与掺杂浓度和温度都无关4、PN结正偏是指(B)。A.N区电位高于P区 B.P区电位高于N区C.与外加电压无关 D.P区和N区电位相等5、在常温下，硅二极管的开启电压约为(C)V。A.0.1B.C.0.5D.0.26、当温度升高时，二极管伏安特性曲线的正向部分(C)，反向特性曲线(B)。A.上移B.下移C.左移D.右移7、理想二极管模型相当于(A)。A.一个理想开关B.一个恒压源C.一个动态电阻D.一条斜线8、理想二极管构成的电路如图所示，则（C）。A．V截止U0＝－10VB．V截止U0＝－3VC．V导通U0＝－10VD．V导通U0＝－6V9、由理想二极管构成的电路如图所示，电压UAB=(B)。A.-3VB.-12VC.0VD.-15V推荐精选推荐精选推荐精选10、理想二极管构成的电路如图，则(D)。A.V截止U0=-4VB.V导通U0=+4VC.V截止U0=+8VD.V导通U0=+12V11、图示电路中，D1、D2为理想二极管，则ao两端的电压为（C）。A．－3VB．0VC．1VD．4V12、图示电路，二极管VD1，VD2为理想元件，则UAB为（C）伏。A．－12VB．15VC．0VD．3V13、如图所示电路中的二极管性能均为理想，电路中的电压UAB=（C）。A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是（A）。

A.vO的b列B.vO的c列C.vO的a列D.vO的d列推荐精选推荐精选推荐精选15、图示电路中，二极管导通时压降为0.7V，若UA=0V,UB=3V,则UO为（B）。A.5VB.0.7VC.3.7VD.0V16、二极管正偏时应重点关注（A），反偏时应重点关注（A）。A.导通电流和耗散功率，最大反向电压B.结电容，最高工作频率C.最高工作频率，导通电流和耗散功率D.最高工作频率，最大反向电压17、对于普通的点接触二极管，一般具有的特性是(B)。A.最大整流电流大，最高工作频率高B.最大整流电流小，最高工作频率高C.最大整流电流大，最高工作频率低D.最大整流电流小，最高工作频率低18、两只稳压值分别为6V和9V硅稳压管并联，可得到的稳压值是(A)。A.6V，0.7VB.0.7V，0.7VC.9V，0.7VD.6V，9V19、稳压管电路如图所示。两稳压管的稳压值均为6.3V，正向导通电压为0.7V，其输出电压Uo为（B）。A.0.7VB.7VC.6.7VD.20、电路如图所示，设DZ1的稳定电压为5V，DZ2的稳定电压为7V，两管正向压降均为0V，若输入Ui为8V，则输出U0的值为（A）。A.5VB.7VC.12VD.2V21、图示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，则输出电压UO为(A)。A.2VB.14VC.6VD.8V推荐精选推荐精选推荐精选22、下图中正确使用稳压二极管的稳压电路是(B)。23、稳压管稳压电路如图所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知输出电压Uo为(D)。A.6VB.0C.7VD.1V24、在下图所示的电路中，已知稳压管DZ1的稳定电压VZ1=5V，DZ2的稳定电压VZ2=12V，则输出电压V0为（B）。A0.7VB5VC12VD20V25、发光二极管正常工作时处于(A)状态，光电二极管正常工作时应处于(B)状态。A.正偏B.反偏C.反向击穿D.任意26、晶体管是一种(C)的器件。A.电流控制电压B.电压控制电压C.电流控制电流D.电压控制电流27、晶体管的(C)。A.发射区的掺杂浓度小于集电区B.基区很薄，掺杂浓度较大C.基区与集电区的接触面积较大D.发射极与集电极可以互换28、工作在放大区的某晶体管，如果测得晶体管IB=30uA时IC=2.4mA，而IB=40uA时IC=3mA，则该管的交流电流放大系数为(B)。A.100B.60C.809、半导体三极管处在放大状态时是(D)。A.C结正偏e结正偏 B.C结反偏e结反偏C.C结正偏e结反偏 D.C结反偏e结正偏推荐精选推荐精选推荐精选30、某放大状态的三极管，测得其管脚电位为：①脚u1=0V,②脚u2=-0.7V，③脚u3=6V，则可判定该管为(C)。A.NPN型①是e极 B.NPN型③是e极C.NPN型②是e极 D.NPN型①是c极31、测得放大电路中的三极管管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V，说明该晶体管是(B)。A.NPN锗管 B.PNP锗管C.NPN硅管 D.PNP硅管31、用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是(D)。A.放大B.损坏C.饱和D.截止32、某电路中晶体三极管的符号如图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（C）。A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．状态不能确定33、测得放大电路中晶体管各电极电位如图所示，该管的电极从左到右依次为(A)。A.e、b、cB.b、e、cC.c、e、bD.c、b、e34、晶体管的ICEO大，说明其(A)。

A.热稳定性差B.工作电流大C.击穿电压高D.寿命长35、某三极管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO）=30V，若它的工作电压UCE=1V，则工作电流IC不得超过(C)mA。A.150B.5C.100D.5036、根据下图所示的晶体管电极上所标的实测对地电压数据，则该管是处于（B）。A.饱和状态B.截止状态C.放大状态D.倒置状态推荐精选推荐精选推荐精选37、根据下图所示的晶体管电极上所标的实测对地电压数据，则该管是处于（A）。A.放大状态B.截止状态C.饱和状态D.倒置状态38、三极管的主要参数UCEO其定义是(A)。A.集电极—发射极反向击穿电压B.集电极—发射极正向压降C.基极—发射极正向压降D.集电极—发射极反向饱和电流39、某三极管接在放大电路上，它的三个管脚的电位分别为U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，则对应该管的管脚排列依次是(D)。A.E、B、C B.B、C、EC.B、E、C D.C、B、E40、NPN型三极管处在放大状态时是(C)。A.UBE<0,UBC<0B.UBE>0,UBC>0C.UBE>0,UBC<0D.UBE<0,UBC>041、工作在放大状态的某PNP晶体三极管，各电极电位关系为(A)。A.VC<VB<VEB.VC>VB>VEC.VC<VE<VBD.VC>VE>VB42、从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施：(B)。A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大43、某一晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=15V，在下列情况下，为正常工作状况的是（D）。A.UCE=8V，IC=18mA B.UCE=2V，IC=40mAC.UCE=20V，IC=10mA D.UCE=3V，IC=10mA44、三极管工作在开关状态下，其“关”态和“开”态，分别指三极管的(A)。A.截止状态和饱和状态B.截止状态和放大状态C.放大状态和饱和状态D.饱和状态和放大状态推荐精选推荐精选推荐精选45、晶体三极管工作在饱和区时发射结、集电结的偏置是(B)。A.发射结正向偏置，集电结反向偏置B.发射结正向偏置，集电结正向偏置C.发射结反向偏置，集电结反向偏置D.发射结反向偏置，集电结正向偏置46用万用表的R×100Ω和R×1kΩ挡分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量结果是(B)。