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用于tft干刻工艺中的清洗方法专利名称:用于tft干刻工艺中的清洗方法技术领域：本发明涉及一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法。背景技术：在TFT(薄膜晶体管)制造过程中某些工程需要采用到干刻工艺(DryEtching)，干刻工艺是采用低压气体在高频电场下的生成的等离子体来起到刻蚀作用的。在该过程中，工艺气体与被刻蚀的物质发生化学反应生成其他产物，其中有一部分会沉积在工艺腔体的内表面，沉积的物质较多则会污染腔室的环境。针对干刻工艺中生成物的沉积一般都采取湿式清扫(WetClean)的方法——即用洁净布蘸酒精后擦洗。该方法需要开启腔室，对于真空设备、开启腔室后再恢复到真空状态需要很长的时间(5代线的干刻设备需要5小时以上)再加上本身清扫所需的时间，对生产的影响很大。发明内容本发明的目的是提供用一种简便的TFT干刻工艺中的清洗方法。本发明的目的是通过以下技术方案实现的一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，调整RF的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。其中，将上部电机功率调整为8千瓦，下部电极功率调整为2千瓦，氧气流量为900毫升/平方米，SF6的流量为100毫升/平方米，压力为1.3帕，处理时间为3×50秒。本发明的积极进步效果在于无需开腔也能达到一定的清洗效果，可减少沉积物的生成以及由其导致的灰尘，延长设备的使用时间，同时配合湿法清扫(WetClean)则可以达到理想的效果并且能节约大量的时间。图1为使用本发明的方法前后对比图表。具体实施方式下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，调整RF(射频)的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。其中，将上部电机功率调整为8千瓦，下部电极功率调整为2千瓦，氧气流量为900毫升/平方米，SF6(六氟硫)的流量为100毫升/平方米，压力为1.3帕，处理时间为3×50秒。如图1所示，使用本方法后，设备中的灰尘量下降明显。所检查的灰尘规格(3≤S≤5，5≤M≤10，5≤M≤10，单位um)。权利要求1.一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，其特征在于，调整RF的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。2.根据权利要求1所述的用于TFT干刻工艺中的清洗方法，其特征在于，将上部电机功率调整为8千瓦，下部电极功率调整为2千瓦，氧气流量为900毫升/平方米，SF6的流量为100毫升/平方米，压力为1.3帕，处理时间为3×50秒。专利摘要本发明公开了一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，调整RF的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。本发明无需开腔也能达到一定的清洗效果，可减少沉积物的

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