a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳定性研究的开题报告_第1页
a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳定性研究的开题报告_第2页
a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳定性研究的开题报告_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳定性研究的开题报告一、研究背景透明导电氧化物（TCO）在光伏、光电和显示等领域具有广泛的应用前景。其中，无机氧化物薄膜晶体管（TFT）因其高迁移率和可扩展性而被认为是下一代电子学器件的有力候选者。然而，传统无机氧化物材料，如铟锡氧化物（ITO），存在短缺、以及价格高等缺点。因此，非ITOTCO材料的研究引起了人们的广泛关注。具体而言，氧化铟锌（IZO）是一种备受关注的非ITOTCO材料，其具有良好的电气性能和优异的光学透明性。现阶段，最常见的IZOTFTs的研究是采用宽带隙半导体材料ZnO作为底部电极材料，这种器件结构受到底部ZnO材料极性的影响带来的问题，如晶体方向失配，缺陷密度大，难以控制界面质量等。近年来，研究人员发现将a-InZnO作为源和漏极材料，可以有效地克服这些问题，从而提高了TFTs的性能和稳定性。因此，探索和优化a-InZnO-TFTs的制备和性能成为了研究的重点。二、研究目的本文旨在研究a-InZnO-TFTs的器件制备、性能和稳定性，并探索其优化方法。具体而言，包括以下几个方面：1.通过不同工艺条件控制源漏极膜的制备，在提高a-InZnO-TFTs电性能的同时，有效降低其接触电阻和漏电流的影响。2.对制备的a-InZnO-TFTs进行电学和光学性能的表征，分析薄膜晶体管的电性能，如迁移率、阈值电压、开关比等，以及透明性表现。3.研究a-InZnO-TFTs在不同环境下的稳定性表现，分析器件寿命以及其长期使用中可能出现的稳定性问题。4.探索a-InZnO-TFTs性能的优化方法，包括优化源漏极结构、改变制备工艺等。三、研究内容及方法1.材料制备：采用磁控溅射法制备a-InZnO源漏极及ZnO底部电极。2.器件制备：将a-InZnO源漏极和ZnO底部电极沉积在硅基板表面，在最后沉积PDMS/LTO封盖层。通过光刻和蚀刻工艺制作TFTs器件。3.器件表征：使用物理性能测试仪器对a-InZnO-TFTs进行电学和光学性能的表征。4.结果分析：对表征结果进行分析，分析器件制备、性能和稳定性的关系，找出优化器件性能的方法。四、预期成果1.成功制备a-InZnO-TFTs，并探索出在不同制备条件下对器件性能影响的关键因素。2.对a-InZnO-TFTs进行电学和光学性能表征，获取a-InZnO-TFTs的主要电性能参数，如迁移率、阈值电压、开关比和光学透明度等。3.研究a-InZnO-TFTs在不同环境下的稳定性表现，分析TFTs器件寿命以及其长期使用中可能出现的稳定性问题。4.探索a-InZnO-TFTs性能的优化方法，包括优化源漏极结构、改变制备工艺等。五、研究意义1.对非ITOTCO材料a-InZnO中Zn含量对TFTs性能的影响进行详细探索，为发掘其性能潜力提供理论依据和实验支撑。2.提高a-InZnO-

人人文库> 全部分类> 毕业设计 > 开题报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论