MOOC 材料科学基础（上）-西北工业大学 中国大学慕课答案

MOOC材料科学基础（上）-西北工业大学中国大学慕课答案第一章原子结构及键合作业第一章原子结构及键合测验1、问题：离子键通过（）成键选项：A、价电子转移?B、共用电子对C、自由电子与阳离子D、静电偶极吸引力正确答案:【价电子转移?】2、问题：共价键通过（）成键选项：A、共用电子对B、价电子转移C、自由电子与阳离子D、静电偶极吸引力正确答案:【共用电子对】3、问题：金属键通过（）成键选项：A、自由电子与阳离子B、价电子转移C、共用电子对D、静电偶极吸引力正确答案:【自由电子与阳离子】4、问题：共价键为主的晶体：选项：A、熔点高B、塑性差C、硬度低D、固态导电正确答案:【熔点高#塑性差】5、问题：金属键为主的晶体：选项：A、硬度有高有低B、固态导电C、液态导电D、熔点都高E、塑性都差正确答案:【硬度有高有低#固态导电#液态导电】6、问题：分子键为主的晶体：选项：A、硬度低B、熔点低C、固态导电D、塑性差正确答案:【硬度低#熔点低】7、问题：离子键为主的晶体：选项：A、熔点高B、塑性差C、硬度低D、固态导电E、液态不导电正确答案:【熔点高#塑性差】8、问题：分子键有方向性选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：氢键有方向性选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：一般地离子键比共价键的键合强度大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：共价键有方向性选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：金属键键合强度相差很大。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：金属键有方向性选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第二章晶体的结构（一）：作业第二章晶体的结构（一）：测验1、问题：立方晶系包括：选项：A、简单立方B、面心立方C、体心立方D、底心立方正确答案:【简单立方#面心立方#体心立方】2、问题：正交晶系包括：选项：A、简单正交B、底心正交C、面心正交D、体心正交正确答案:【简单正交#底心正交#面心正交#体心正交】3、问题：晶体结构有无数多种。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：晶体结构和空间点阵中的点都表示原子。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：相似的晶体结构可属于不同点阵。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：差别很大的晶体结构可以属于同一点阵。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：按照不同法则，点阵中可以选取多种不同的基本单元体。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：晶胞就是点阵中最小的单元体。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第二章晶体的结构（二）：作业第二章晶体的结构（二）：测验1、问题：在简单立方晶胞中画出晶面选项：A、B、C、D、正确答案:【】2、问题：点阵常数为a的体心立方晶体中，（110）晶面间距为选项：A、B、aC、D、正确答案:【】3、问题：在简单立方晶胞中画出晶面选项：A、B、C、D、正确答案:【】4、问题：点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为选项：A、B、aC、D、正确答案:【】5、问题：点阵常数为a的简单立方晶体中，（100）晶面间距为选项：A、aB、C、D、正确答案:【a】6、问题：点阵常数为a的面心立方晶体中，（111）晶面间距为选项：A、B、C、aD、正确答案:【】7、问题：立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面选项：A、相互垂直B、相互平行C、45°相交D、夹角不确定正确答案:【相互垂直】8、问题：非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面选项：A、有可能相互垂直B、有可能相互平行C、夹角不确定D、45°相交正确答案:【有可能相互垂直】9、问题：点阵常数为a的面心立方晶体中，（110）晶面间距为选项：A、B、C、D、a正确答案:【】10、问题：晶向指数表示选项：A、晶体中任意两点的连线B、晶体中平行、同向的晶体学方向C、顶点到顶点的连线D、表示了原子之间的方向与距离正确答案:【晶体中任意两点的连线#晶体中平行、同向的晶体学方向】11、问题：晶面指数表示选项：A、晶体中一个晶面B、晶体中所有平行的晶面C、晶面的指数是唯一的D、不同晶面的指数肯定不同正确答案:【晶体中一个晶面#晶体中所有平行的晶面】第二章晶体的结构（三）：作业第二章晶体的结构（三）：测验1、问题：面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为选项：A、74％、68％、74％B、68％、68%、68%C、68％、74%、68%D、74％、74%、74%正确答案:【74％、68％、74％】2、问题：体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为选项：A、0.15、0.29B、0.29、0.15C、0.414、0.15D、0.414、0.29正确答案:【0.15、0.29】3、问题：面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA选项：A、面心立方与密排六方相同B、面心立方与体心立方相同C、密排六方与体心立方相同D、都不相同正确答案:【面心立方与密排六方相同】4、问题：体心立方密排面、密排方向分别为选项：A、{110},111B、{100},111C、{111},110D、{111},111正确答案:【{110},111】5、问题：面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为选项：A、4、2、6B、4、2、4C、2、4、4D、4、4、6正确答案:【4、2、6】6、问题：面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为选项：A、0.414、0.225B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正确答案:【0.414、0.225】7、问题：面心立方密排面、密排方向分别为选项：A、{111},110B、{110},111C、{100},111D、{111},111正确答案:【{111},110】8、问题：面心立方密排面的堆垛方向和次序为选项：A、111,ABCB、110,ABCC、{111},ABD、[001],AB正确答案:【111,ABC】9、问题：体心立方密排面的堆垛方向和次序为选项：A、110,ABB、110,ABCC、{111},ABD、[001],ABC正确答案:【110,AB】第三章晶体缺陷（一）：作业第三章晶体缺陷（一）：测验1、问题：点缺陷种类包括选项：A、空位B、间隙原子C、溶质原子D、杂质原子正确答案:【空位#间隙原子#溶质原子#杂质原子】2、问题：点缺陷使晶体的选项：A、电阻升高B、电子状态改变C、发生点阵畸变D、强度升高正确答案:【电阻升高#电子状态改变#发生点阵畸变#强度升高】3、问题：点缺陷是选项：A、零维缺陷B、三个方向上尺寸都很小C、二个方向上尺寸很小D、一个方向上尺寸很小正确答案:【零维缺陷#三个方向上尺寸都很小】4、问题：点缺陷种类包括选项：A、弗兰克缺陷B、肖脱基缺陷C、反位原子D、空位片正确答案:【弗兰克缺陷#肖脱基缺陷#反位原子】5、问题：完整晶体中是不含空位的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：常温下，空位可以被完全消除。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：点缺陷尺度太小，所有主要影响晶体的物理性质，对力学性质基本没有影响。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：点缺陷是热力学平衡缺陷。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（二）：作业第三章晶体缺陷（二）：测验1、问题：螺位错的柏氏矢量选项：A、与位错线不平行，也不垂直B、与位错线垂直C、与位错线平行D、与位错先正方向无关正确答案:【与位错线不平行，也不垂直】2、问题：刃位错的柏氏矢量选项：A、与位错线垂直B、与位错线平行C、与位错线不平行，也不垂直D、与位错先正方向无关正确答案:【与位错线垂直】3、问题：螺位错的柏氏矢量选项：A、与位错线平行B、与位错线不平行，也不垂直C、与位错线垂直D、与位错先正方向无关正确答案:【与位错线平行】4、问题：位错是选项：A、一维缺陷B、线性缺陷C、二个方向上尺寸很小D、热力学平衡缺陷正确答案:【一维缺陷#线性缺陷#二个方向上尺寸很小】5、问题：位错的基本类型包括选项：A、螺位错B、刃位错C、混合位错D、位错环正确答案:【螺位错#刃位错#混合位错】6、问题：柏氏矢量选项：A、反映畸变的大小B、反映畸变的方向C、与标定用的柏氏回路大小、形状无关D、与位错线方向有关正确答案:【反映畸变的大小#反映畸变的方向#与标定用的柏氏回路大小、形状无关#与位错线方向有关】7、问题：随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：位错的密度可以分为体密度和面密度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：混合位错就是既有螺型位错分量，又有刃型位错分量的位错。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：一根位错先不能终止与晶体内部。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（三）：作业第三章晶体缺陷（三）：测验1、问题：刃位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量】2、问题：螺位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面不唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位错线或具有平行的分量】3、问题：混合位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、位错线沿法线方向运动C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#位错线沿法线方向运动#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量】4、问题：刃位错的滑移是选项：A、依次逐排的运动B、正、负刃位错运动方向相反C、b与位错线确定的晶面一定是其滑移面D、原子面上的整体平移正确答案:【依次逐排的运动#正、负刃位错运动方向相反】5、问题：螺位错的滑移是选项：A、依次逐排的运动B、左螺、右螺位错运动方向相反C、在任意经过位错线的原子面上运动D、原子面上的整体平移正确答案:【依次逐排的运动#左螺、右螺位错运动方向相反】6、问题：半原子面缩短是正攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：只有刃位错才能发生交滑移选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：只有螺位错才能发生攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】9、问题：攀移对塑性变形没有直接作用，但可以使滑移继续选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：刃位错的攀移和交滑移都是守恒运动选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：攀移对塑性变形没有意义选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】12、问题：交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：只有刃位错才能攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：螺位错的交滑移和滑移都是守恒运动选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（四）：作业第三章晶体缺陷（四）：测验1、问题：螺位错的应力场选项：A、是纯剪切应力场B、沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、与θ角无关正确答案:【是纯剪切应力场#沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#与θ角无关】2、问题：研究位错应力场的基本假设包括选项：A、完全弹性体，服从胡可定律B、各向同性C、连续介质，可以用连续函数表达D、可研究位错线核心区至外围全范围正确答案:【完全弹性体，服从胡可定律#各向同性#连续介质，可以用连续函数表达】3、问题：混合位错的应力场选项：A、可分解为刃型位错分量和螺型位错分量B、既有正应力，也有切应力C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、轴向对称，与θ角无关正确答案:【可分解为刃型位错分量和螺型位错分量#既有正应力，也有切应力#远离位错线时，应力场逐渐减弱】4、问题：刃位错的应力场选项：A、既有正应力，也有切应力B、沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区正确答案:【既有正应力，也有切应力#沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区】5、问题：位错线附近区域畸变严重，因而不符合连续介质模型的相关假设选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：位错的应变能越高，位错稳定性越好选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：柏氏矢量的模越小，位错的应变能越高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：具有同样柏氏矢量的刃位错与螺位错，刃位错的应变能较高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：位错引起点阵畸变，因而必然具有应变能选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（五）：作业第三章晶体缺陷（五）：测验1、问题：位错线张力选项：A、使位错自发收缩B、与位错柏氏矢量大小有关C、是一虚拟力D、方向垂直与位错线正确答案:【使位错自发收缩#与位错柏氏矢量大小有关】2、问题：作用在刃位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】3、问题：作用在螺位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】4、问题：作用在混合位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】5、问题：位错线张力类似与液体表明张力选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：位错线引起的畸变越大，线张力越强选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：作用在位错线上的力与柏氏矢量大小有关选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：位错线张力的作用是降低体系能量选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：作用在位错线上的力与外力大小有关选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：作用在位错线上的力是实际推动位错运动的力选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第三章晶体缺陷（六）：作业第三章晶体缺陷（六）：测验1、问题：异号、平行位错之间相互选项：A、吸引B、排斥C、缠绕D、交割正确答案:【吸引】2、问题：同号、平行位错之间相互选项：A、排斥B、吸引C、缠绕D、交割正确答案:【排斥】3、问题：异号、平行位错相互靠近可降低体系能量选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：同号、平行位错相互靠近可降低体系能量选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】5、问题：位错交割产生的位错线拐弯必然对位错的后续运动产生影响选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：位错塞积引起的集中应力大小与外应力大小相同选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：位错塞积必然阻碍位错运动选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：位错可能通过攀移或交滑移绕过障碍物，减轻位错塞积选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：位错交割后，必然在位错线上形成拐弯选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：位错塞积是位错与面缺陷间的弹性交互作用选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（七）：作业第三章晶体缺陷（七）：测验1、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，回缩力最小选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】2、问题：F-R源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：F-R源开动临界切应力值与固定点间距大小有关选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：位错增殖机制可以使晶体中的位错密度提高数个数量级选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：位错源只有Frank-Read这一种类型选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】6、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】7、问题：F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错运动方向必定同向选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第三章晶体缺陷（八）：作业第三章晶体缺陷（八）：测验1、问题：单位位错是选项：A、柏氏矢量等于点阵矢量B、柏氏矢量等于点阵矢量数倍C、柏氏矢量小于点阵矢量D、柏氏矢量不等于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量等于点阵矢量】2、问题：部分位错是选项：A、柏氏矢量小于点阵矢量B、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍C、柏氏矢量等于点阵矢量D、柏氏矢量大于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量小于点阵矢量】3、问题：堆垛层错选项：A、是面缺陷B、无畸变能C、对晶体没有影响D、引起较大的畸变正确答案:【是面缺陷】4、问题：全位错是选项：A、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍B、柏氏矢量等于点阵矢量C、柏氏矢量小于点阵矢量D、柏氏矢量不等于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量等于点阵矢量整数倍】5、问题：Fcc晶体中，单位位错的模可以不同选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：模越小的单位位错，稳定性越高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：弗兰克不全位错是螺位错选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】8、问题：肖克莱不全位错线一定是平面曲线选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：位错反应肯定是合并，这样才能降低体系自由能选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：Fcc晶体中，最短单位位错是选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：若位错反应能够自发进行，必然使体系自由能降低选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：位错反应实质上是应变场的拆分和合并选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：扩展位错越宽，畸变能越低选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：只有密排面才能产生层错选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：以AB为堆垛周期的原子面也可以产生层错选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：不全位错是局部层错的边界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：弗兰克不全位错线可以是平面曲线，也可以是空间曲线选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：若位错反应能够自发进行，不一定需要使反应前后的柏氏矢量和相等选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：Bcc晶体中，最短单位位错是选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：肖克莱不全位错可以是刃位错、螺位错，也可以是混合位错选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第三章晶体缺陷（九）：作业第三章晶体缺陷（九）：测验1、问题：小角度晶界是位向差小于10°的晶界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】2、问题：相界两侧是异质的（不同的固体相之间的分界面）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】3、问题：表面指是不同态（固态与气态、液态）物质之间的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】4、问题：层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】5、问题：孪晶面是孪晶的对称面，属于孪晶界的一部分选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】6、问题：亚晶界是亚晶粒之间的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】7、问题：按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：小角度晶界可以理解为位错墙选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】10、问题：按界面两侧原子匹配程度分，可分为共格、半共格和非共格界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：按界面两侧晶体的位向差大小分类，可分为小角晶界和大角晶界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：孪晶界是孪晶之间的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：与孪晶面不重合的孪晶界是非共格界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：小角晶界中位错密度越大，位向差越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：小角晶界中位错密度越大，晶界能越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】16、问题：大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】17、问题：晶界两侧是同质的（相同的固体相之间的分界面）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】18、问题：层错不产生晶格畸变选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：孪晶面是共格界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】20、问题：亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】21、问题：小角晶界中位向差越大，晶界能越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】第四章固体中的相：作业第四章固体中的相：测验1、问题：非晶相的形成条件包括选项：A、熔融态的粘度B、冷却速度C、原子尺寸大小D、晶体结构正确答案:【熔融态的粘度#冷却速度】2、问题：影响间隙固溶体的固溶度的因素有选项：A、电负性B、原子半径差C、组元晶体结构D、电子浓度正确答案:【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】3、问题：固体中的相是指选项：A、结构相同B、性质相同C、聚集状态相同D、均匀体正确答案:【结构相同#性质相同#聚集状态相同#均匀体】4、问题：影响置换固溶体的固溶度的因素有选项：A、电负性B、原子半径差C、组元晶体结构D、电子浓度正确答案:【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】5、问题：晶态的陶瓷材料的特点包括选项：A、以离子键为主B、原子比例比较严格，可以用分子式表示C、典型的非金属性质D、以共价键为主正确答案:【以离子键为主#原子比例比较严格，可以用分子式表示#典型的非金属性质】6、问题：硅酸盐结构包括选项：A、岛状硅酸盐B、链状硅酸盐C、层状硅酸盐D、网状硅酸盐正确答案:【岛状硅酸盐#链状硅酸盐#层状硅酸盐#网状硅酸盐】7、问题：影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】8、问题：对某一个具体的固溶体而言，并非所有影响固溶度的因素都起作用选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】9、问题：影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】11、问题：电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】12、问题：相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】13、问题：化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】14、问题：固溶体中异类原子间结合力越大，固溶体的有序度（有序的范围和有序程度）越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】15、问题：化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】第五章固体中的扩散：作业第五章固体中的扩散：测验1、问题：非稳态扩散指的是选项：A、与时间t有关B、浓度梯度随时间变化C、与距扩散距离远近有关D、各处浓度梯度随位置变化正确答案:【与时间t有关#浓度梯度随时间变化】2、问题：典型的上坡扩散诱发原因有选项：A、弹性应力场作用B、电磁场作用C、晶界内吸附D、调幅分解正确答案:【弹性应力场作用#电磁场作用#晶界内吸附#调幅分解】3、问题：稳态扩散指的是选项：A、与时间t无关B、浓度梯度不随时间变化C、与距扩散距离远近无关D、各处浓度梯度不随位置变化正确答案:【与时间t无关#浓度梯度不随时间变化】4、问题：原子扩散激活能来自选项：A、能量起伏B、外界能量输入C、能级跃迁D、结合键破坏正确答案:【能量起伏#外界能量输入】5、问题：反应扩散选项：A、形成新相层，并有明确界面B、反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响C、不可能出现两相共存区D、扩散引起反应的扩散过程正确答案:【形成新相层，并有明确界面#反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响#不可能出现两相共存区#扩散引起反应的扩散过程】6、问题：科肯道尔效应选项：A、揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系B、扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数C、扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等D、会对扩散偶产生不利影响，应尽量避免正确答案:【揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系#扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数#扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等】7、问题：影响扩散的因素包括选项：A、温度B、晶体结构与固溶体类型C、晶体缺陷D、化学成分正确答案:【温度#晶体结构与固溶体类型#晶体缺陷#化学成分】8、问题：扩散的路径包括选项：A、体扩散B、外表面扩散C、界面扩散D、位错扩散正确答案:【体扩散#外表面扩散#界面扩散#位错扩散】9、问题：扩散的实际驱动力由浓度梯度提供选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】10、问题：扩散通量为零时，扩散系数也必然为零选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】11、问题：对扩散常数的影响因素主要是温度和扩散激活能选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】12、问题：晶体化合物中，非本征缺陷少，因此非本征扩散是次要机制选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】13、问题：溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】14、问题：若溶质原子提高基体的熔点，将是扩散系数升高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】15、问题：扩散通量是指扩散物质的流量选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】16、问题：扩散第一定律只适用于稳态扩散选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】17、问题：扩散激活能是原子跳动时需要越过的势垒选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】18、问题：纯物质中不存在浓度梯度，因此不存在扩散选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】19、问题：晶界处原子排列混乱，因此扩散激活能高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】20、问题：温度越高，扩散激活能越小，扩散越快选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】21、问题：间隙固溶体中，溶质原子越多，则占据间隙越多，剩余间隙越少，因此使得扩散系数下降选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】22、问题：若没有宏观扩散流，则说明没有发生扩散选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】23、问题：非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】24、问题：置换型扩散机制中，换位机制不依赖空位就能实现扩散，因此是主要的置换型扩散机制选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】材料科学基础（上）期末考试1、问题：影响间隙固溶体的固溶度最主要的因素有选项：A、原子半径差B、电负性C、组元晶体结构D、电子浓度正确答案:【原子半径差】2、问题：面心立方、体心立方和密排六方的晶胞原子数分别为选项：A、4、2、6B、4、2、4C、2、4、4D、4、4、6正确答案:【4、2、6】3、问题：混合位错的柏氏矢量选项：A、与位错线不平行，也不垂直B、与位错线垂直C、与位错线平行D、与位错线正方向无关正确答案:【与位错线不平行，也不垂直】4、问题：面心立方、体心立方和密排六方的配位数分别为选项：A、12、8、12B、8、8、6C、12、12、12D、12、6、8正确答案:【12、8、12】5、问题：体心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为选项：A、0.15、0.29B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正确答案:【0.15、0.29】6、问题：面心立方密排面、密排方向分别为选项：A、{111},110B、{110},111C、{100},111D、{111},111正确答案:【{111},110】7、问题：同号、平行位错之间相互选项：A、排斥B、吸引C、缠绕D、交割正确答案:【排斥】8、问题：立方晶系包括________种点选项：A、3种B、2种C、1种D、4种正确答案:【3种】9、问题：全位错是选项：A、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍B、柏氏矢量等于点阵矢量C、柏氏矢量小于点阵矢量D、柏氏矢量不等于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量等于点阵矢量整数倍】10、问题：部分位错是选项：A、柏氏矢量小于点阵矢量B、柏氏矢量等于点阵矢量整数倍C、柏氏矢量等于点阵矢量D、柏氏矢量大于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量小于点阵矢量】11、问题：立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面选项：A、相互垂直B、相互平行C、45°相交D、夹角不确定正确答案:【相互垂直】12、问题：堆垛层错选项：A、是面缺陷B、无畸变能C、对晶体没有影响D、引起较大的畸变正确答案:【是面缺陷】13、问题：非立方晶系中，具有完全相同指数的晶向与晶面选项：A、有可能相互垂直B、有可能相互平行C、45°相交D、夹角不确定正确答案:【有可能相互垂直】14、问题：面心立方、体心立方和密排六方的致密度分别为选项：A、74％、68％、74％B、68％、68%、68%C、68％、74%、68%D、74％、74%、74%正确答案:【74％、68％、74％】15、问题：面心立方八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA分别为选项：A、0.414、0.225B、0.414、0.15C、0.29、0.15D、0.414、0.29正确答案:【0.414、0.225】16、问题：面心立方、体心立方、密排六方的八面体间隙和四面体间隙大小rB/rA选项：A、面心立方与密排六方相同B、面心立方与体心立方相同C、密排六方与体心立方相同D、都不相同正确答案:【面心立方与密排六方相同】17、问题：刃位错的柏氏矢量选项：A、与位错线垂直B、与位错线平行C、与位错线不平行，也不垂直D、与位错线正方向无关正确答案:【与位错线垂直】18、问题：螺位错的柏氏矢量选项：A、与位错线平行B、与位错线不平行，也不垂直C、与位错线垂直D、与位错线正方向无关正确答案:【与位错线平行】19、问题：异号、平行位错之间相互选项：A、吸引B、排斥C、缠绕D、交割正确答案:【吸引】20、问题：单位位错是选项：A、柏氏矢量等于点阵矢量B、柏氏矢量等于点阵矢量数倍C、柏氏矢量小于点阵矢量D、柏氏矢量不等于点阵矢量正确答案:【柏氏矢量等于点阵矢量】21、问题：六方晶系包括________点阵选项：A、简单六方B、密排六方C、底心六方D、体心六方正确答案:【简单六方】22、问题：点阵常数为a的面心立方晶体中，（100）晶面间距为选项：A、B、C、D、a正确答案:【】23、问题：体心立方密排面、密排方向分别为选项：A、{110},111B、{111},110C、{100},111D、{111},111正确答案:【{110},111】24、问题：面心立方密排面的堆垛方向和次序为选项：A、111,ABCB、110,ABCC、{111},ABD、[001],AB正确答案:【111,ABC】25、问题：体心立方密排面的堆垛方向和次序为选项：A、110,ABB、110,ABCC、{111},ABD、[001],ABC正确答案:【110,AB】26、问题：科肯道尔效应选项：A、揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系B、扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数C、扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等D、会对扩散偶产生不利影响，应尽量避免正确答案:【揭示了宏观扩散规律与微观扩散机制间的内在联系#扩散系统中每一种组元都有各自的扩散系数#扩散偶界面两侧原子迁移速度不相等】27、问题：典型的上坡扩散诱发原因有选项：A、弹性应力场作用B、电磁场作用C、晶界内吸附D、调幅分解正确答案:【弹性应力场作用#电磁场作用#晶界内吸附#调幅分解】28、问题：位错是选项：A、一维缺陷B、线形缺陷C、二个方向上尺寸很小D、热力学平衡缺陷正确答案:【一维缺陷#线形缺陷#二个方向上尺寸很小】29、问题：柏氏矢量选项：A、反映畸变的大小B、反映畸变的方向C、与标定用的柏氏回路大小、形状无关D、与位错线方向有关正确答案:【反映畸变的大小#反映畸变的方向#与标定用的柏氏回路大小、形状无关#与位错线方向有关】30、问题：刃位错的滑移是选项：A、依次逐排的运动B、正、负刃位错运动方向相反C、原子面上的整体平移D、能在任意经过位错线的原子面上运动正确答案:【依次逐排的运动#正、负刃位错运动方向相反】31、问题：混合位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、位错线沿法线方向运动C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分D、需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#位错线沿法线方向运动#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分】32、问题：混合位错的应力场选项：A、可分解为刃型位错分量和螺型位错分量B、既有正应力，也有切应力C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、轴向对称，与θ角无关正确答案:【可分解为刃型位错分量和螺型位错分量#既有正应力，也有切应力#远离位错线时，应力场逐渐减弱】33、问题：作用在螺位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】34、问题：作用在混合位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】35、问题：正交晶系包括选项：A、简单正交B、底心正交C、面心正交D、体心正交正确答案:【简单正交#底心正交#面心正交#体心正交】36、问题：刃位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力垂直于位错线或具有垂直的分量】37、问题：螺位错滑移选项：A、滑移量＝柏氏矢量的模B、滑移面不唯一C、需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量D、需要外力平行于位错线或具有平行的分量正确答案:【滑移量＝柏氏矢量的模#滑移面不唯一#需要外力平行于柏氏矢量或具有平行的分量#需要外力平行于位错线或具有平行的分量】38、问题：稳态扩散指的是选项：A、与时间t无关B、浓度梯度不随时间变化C、与距扩散距离远近无关D、各处浓度梯度不随位置变化正确答案:【与时间t无关#浓度梯度不随时间变化】39、问题：研究位错应力场的基本假设包括选项：A、完全弹性体，服从胡可定律B、各向同性C、连续介质，可以用连续函数表达D、可研究位错线核心区至外围全范围正确答案:【完全弹性体，服从胡可定律#各向同性#连续介质，可以用连续函数表达】40、问题：螺位错的应力场选项：A、是纯剪切应力场B、沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、与θ角无关正确答案:【是纯剪切应力场#沿z方向建立模型时，仅有z方向的切应力，正应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#与θ角无关】41、问题：点缺陷种类包括选项：A、弗兰克缺陷B、肖脱基缺陷C、反位原子D、空位片正确答案:【弗兰克缺陷#肖脱基缺陷#反位原子】42、问题：影响化合物类型的因素有选项：A、电负性B、原子半径差C、组元晶体结构D、电子浓度正确答案:【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】43、问题：螺位错的滑移是选项：A、依次逐排的运动B、左螺、右螺位错运动方向相反C、能在任意经过位错线的原子面上运动D、原子面上的整体平移正确答案:【依次逐排的运动#左螺、右螺位错运动方向相反#能在任意经过位错线的原子面上运动】44、问题：晶态的陶瓷材料的特点包括选项：A、以离子键为主B、原子比例比较严格，可以用分子式表示C、典型的非金属性质D、以共价键为正确答案:【以离子键为主#原子比例比较严格，可以用分子式表示#典型的非金属性质】45、问题：硅酸盐结构包括选项：A、岛状硅酸盐B、链状硅酸盐C、层状硅酸盐D、网状硅酸盐正确答案:【岛状硅酸盐#链状硅酸盐#层状硅酸盐#网状硅酸盐】46、问题：刃位错的应力场选项：A、既有正应力，也有切应力B、沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零C、远离位错线时，应力场逐渐减弱D、含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区正确答案:【既有正应力，也有切应力#沿z方向建立模型时，与z方向有关的切应力为零#远离位错线时，应力场逐渐减弱#含半原子面部分为压应力区，不含半原子面部分为拉应力区】47、问题：反应扩散选项：A、形成新相层，并有明确界面B、反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响C、不可能出现两相共存区D、扩散引起反应的扩散过程正确答案:【形成新相层，并有明确界面#反应扩散速度受原子扩散速度和反应速度共同影响#不可能出现两相共存区#扩散引起反应的扩散过程】48、问题：作用在刃位错线上的力选项：A、垂直位错线B、与柏氏矢量大小有关C、总是与外力方向相同D、就是外加切应力正确答案:【垂直位错线#与柏氏矢量大小有关】49、问题：影响扩散的因素包括选项：A、温度B、晶体结构与固溶体类型C、晶体缺陷D、化学成分正确答案:【温度#晶体结构与固溶体类型#晶体缺陷#化学成分】50、问题：位错线张力选项：A、使位错自发收缩B、与位错柏氏矢量大小有关C、是一虚拟力D、方向垂直与位错线正确答案:【使位错自发收缩#与位错柏氏矢量大小有关】51、问题：小角度晶界包括选项：A、对称倾侧B、不对称倾侧C、扭转晶界D、相界正确答案:【对称倾侧#不对称倾侧#扭转晶界】52、问题：影响置换固溶体的固溶度的因素有选项：A、电负性B、原子半径差C、组元晶体结构D、电子浓度正确答案:【电负性#原子半径差#组元晶体结构#电子浓度】53、问题：非晶相的形成条件包括选项：A、熔融态的粘度B、冷却速度C、原子尺寸大小D、晶体结构正确答案:【熔融态的粘度#冷却速度】54、问题：非稳态扩散指的是选项：A、与时间t有关B、浓度梯度随时间变化C、与距扩散距离远近有关D、各处浓度梯度随位置变化正确答案:【与时间t有关#浓度梯度随时间变化】55、问题：扩散的路径包括选项：A、体扩散B、外表面扩散C、界面扩散D、位错扩散正确答案:【体扩散#外表面扩散#界面扩散#位错扩散】56、问题：点缺陷种类包括选项：A、空位B、间隙原子C、溶质原子D、杂质原子正确答案:【空位#间隙原子#溶质原子#杂质原子】57、问题：点缺陷使晶体的选项：A、电阻升高B、改变电子状态C、引起点阵畸变D、强度升高正确答案:【电阻升高#改变电子状态#引起点阵畸变#强度升高】58、问题：位错类型包括选项：A、螺位错B、刃位错C、混合位错D、位错环正确答案:【螺位错#刃位错#混合位错】59、问题：固体中的相是指选项：A、结构相同B、性质相同C、聚集状态相同D、均匀体正确答案:【结构相同#性质相同#聚集状态相同#均匀体】60、问题：影响间隙固溶体固溶度的因素只有原子尺寸差选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】61、问题：差别很大的晶体结构可以属于同一点阵选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】62、问题：扩散激活能是原子跳动时需要越过的势垒选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】63、问题：晶界处原子排列混乱，因此扩散激活能高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】64、问题：点缺陷是热力学平衡缺陷选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】65、问题：若没有宏观扩散流，则说明没有发生扩散选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】66、问题：空位可以被完全消除。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】67、问题：置换型扩散机制中，换位机制不依赖空位就能实现扩散，因此是主要的置换型扩散机制选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】68、问题：一根位错先不能终止与晶体内部。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】69、问题：半原子面缩短是正攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】70、问题：攀移和交滑移都是躲避障碍物的运动方式选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】71、问题：具有同样柏氏矢量的刃位错与螺位错，刃位错的应变能较高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】72、问题：作用在位错线上的力是实际推动位错运动的力选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】73、问题：位错可能通过攀移或交滑移绕过障碍物，减轻位错塞积选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】74、问题：F-R源开动临界切应力值与固定点间距大小有关选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】75、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，所需外应力最小选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】76、问题：晶体结构有无数多种选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】77、问题：肖克莱不全位错线一定是平面曲线选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】78、问题：点阵中，按照不同法则，可以选取多种不同的基本单元体选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】79、问题：小角度晶界可以理解为位错墙选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】80、问题：晶体结构和空间点阵中的点都表示原子选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】81、问题：层错是原子堆垛顺序发生错误形成的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】82、问题：孪晶面上的原子为两侧孪晶所共有选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】83、问题：亚晶界是亚晶粒之间的分界面选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】84、问题：亚晶之间的位向差一般小于10°，所以亚晶界往往是小角度晶界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】85、问题：小角晶界中位错密度越大，位向差越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】86、问题：相是结构、性质、聚集状态相同的均匀体，不涉及形貌选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】87、问题：固溶体与化合物都是两种或多种原子混合形成的，若不形成新晶体结构，则为固溶体，若形成了新晶体结构，则为化合物选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】88、问题：随着位错线的弯曲，柏氏矢量是可变的。选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】89、问题：影响间隙固溶体固溶度的因素主要是原子尺寸差，另外组元晶体结构、电负性和原子价也有影响选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】90、问题：化合物中原子严格按比例结合，不存在偏差，因而可以用分子式表示选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】91、问题：只有螺位错才能发生攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】92、问题：扩散通量是指扩散物质的流量选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】93、问题：温度越高，扩散激活能越小，扩散越快选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】94、问题：纯物质中不存在浓度梯度，因此不存在扩散选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】95、问题：位错的应变能越高，位错稳定性越好选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】96、问题：间隙固溶体中，溶质原子越多，则占据间隙越多，剩余间隙越少，因此使得扩散系数下降选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】97、问题：对扩散常数D0的影响因素主要是温度和扩散激活能选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】98、问题：同号、平行位错相互靠近可降低体系能量选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】99、问题：非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】100、问题：位错塞积必然阻碍位错运动选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】101、问题：溶质原子浓度越高，扩散速度必然较快选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】102、问题：F-R源开动需要克服一定的临界阻力（势垒）选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】103、问题：F-R源开动要克服位错滑移阻力和位错线张力选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】104、问题：F-R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】105、问题：相似的晶体结构可属于不同点阵选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】106、问题：空间点阵可以划分为七大晶系，包括14种点阵类型选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】107、问题：Fcc晶体中，单位位错的模可以不同选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】108、问题：不全位错是局部层错的边界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】109、问题：位错反应肯定是合并，这样才能降低体系自由能选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】110、问题：位错反应实质上是应变场的拆分和合并选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】111、问题：扩展位错越宽，畸变能越低选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】112、问题：小角晶界中位错密度越大，晶界能越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】113、问题：小角晶界中位向差越大，晶界能越大选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】114、问题：一个柏氏回路只要包含的位错没有变，则无论柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，所得的柏氏矢量不变。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】115、问题：大角晶界畸变能大于小角晶界，所以大角晶界的晶界能较高选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】116、问题：位错的密度可以分为体密度和面密度。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】117、问题：按界面两侧是否同种介质，可分为晶界和相界选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】118、问题：混合位错就是既有螺型位错分量，又有刃型位错分量的位错。选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】119、问题：只有刃位错才能攀移选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】120、问题：刃位错的攀移和交滑移都是守恒运动选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】121、问题：电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】122、问题：攀移对塑性变形没有意义选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】123、问题：化合物中同类原子之间结合力大，因而化合物的结构往往是有序的选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】124、问题：交滑移可以躲避障碍物，有利于塑性变形选项：A、正确B、错误正确答案:【正确】125、问题：固溶体中同类原子之间结合力小，往往形成是有序固溶体选项：A、正确B、错误正确答案:【错误】126、问题：固溶体