半导体物理学刘恩科第七版课后习题解第1章习题解_第1页
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...wd......wd......wd...半导体物理学第一章习题(公式要正确显示，请安装字体MTextra)TOC\o"1-3"\h\z1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：12.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。31．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：〔1〕禁带宽度;〔2〕导带底电子有效质量;〔3〕价带顶电子有效质量;〔4〕价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：〔1〕2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据：得补充题1分别计算Si〔100〕，〔110〕，〔111〕面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度〔提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图〕Si在〔100〕，〔110〕和〔111〕面上的原子分布如图1所示：〔a〕(100)晶面〔b〕(110)晶面〔c〕(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为，式中a为晶格常数，试求〔1〕布里渊区边界；〔2〕能带宽度；〔3〕电子在波矢k状态时的速度；〔4〕能带底部电子的有效质量；〔5〕能带顶部空穴的有效质量解：〔1〕由得〔n=0，1，2…〕进一步分析，E〔k〕有极大值，时，E〔k〕有极小值所以布里渊区边界为(2)能带宽度为(3〕电子在波矢k状态的速度

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