传感器原理及应用精彩试题库已做

wordword)6.7.频率响应特性可由频率响应函数表示。设输出信号x〔t〕=sinωtL{x〔t〕}=ω/s²+ω²求稳态响应。Y〔s〕=kω/[τ(s+1/τ)(s²+ω²)]求变换其中Φ=-arctanωπ稳定响应y〔t〕=ksin〔ωt+φ〕/〔1+ω²τ²〕1，如下列图，设R1为电桥工作臂，受应变时，其电阻变化为△R1，R2，R3，R4均为固定桥臂。在起始时，电桥处于平衡状态，此时Usc=0.当有△R1时，求电桥输出电压？答：因为，设n=，起始电桥处于平衡状态，所以，略去分母中的项，得根据上图所示，此电路为直流电桥，R1=1，R2=2，R3=3，求R4？根据R1R4=R2R3，得R4=R2R3/R1=6对于钢材应变波速是5000，假如要相对误差是1%。对L=1mm的应变计，其允许的最高工作的频率是？F=Pmax=IU为常数的图形，求极限情况下的电导和电压变化。如图故可求得如果照度变化足够大，既从零变至Ev，如此电压变化为式中，IO为A点的暗电流。将GL代入上式得到的电压变化为在某二阶传感器的频率特性测试中发现，谐振发生在频率为216HZ处，并得到最大幅值比为1.4:1,试估该传感器的阻尼比和有角频率的大小。答：二阶系统ｐ７６页例题的电路分析计算有一直流电桥，如图，桥臂由R1，R2,R3,R4组成。求a,b两端开路电压和内阻答：直流电桥的特性方程的推导答P2710设E=18V,光电三极管采用3DU13，他在照度100LX时的电流IL=0.7MA.晶体管采用3DG6B,β=30求RL,RC答p78，10求一阶系统的频率响应的求导。幅频特性，相频特性答P11，11不定项选择反射式光纤位移传感器属于振幅型光纤传感器的一种，其测量位移与输出有如下关系〔〕A.位移与输出信号成线性关系。B.在一定X围内位移与输出信号成线性关系。C.位移与输出信号成反比关系。D.在一定X围内位移与输出信号成反比关系E.输出信号存在一种峰值。如下哪些是半导体应变计的优点〔ABD〕A、灵敏度高B、体积小、耗电省C、横向效应小D、机械滞后小，可测量静态应变、低频应变等。因环境温度改变而引起的附加电阻变化或者造成的视应变，与如下哪些因素有关〔ABC〕A、环境温度变化B、应变计本身的性能参数κ、α、βC、被测构件的线膨胀系数βgD、应变丝的长度l在应变式传感器应用中，温度的补偿方法主要有〔ABCD〕A、应变计自补偿法B、电桥补偿法C、辅助测温元件微型计算机补偿法D、热敏电阻补偿法光电器件的温度特性可以是如下哪些元素与温度的关系〔BCD〕A、入射辐射通量B、灵敏度C、暗电流D、光电流半导体式应变计的主要特征有哪些〔ABD〕A:测量应变的灵敏度和精度高B:测量X围大C:尺寸大D:能适应各种环境E:价格高金属式应变计的主要缺点有哪些〔AD〕A：非线性明显B：灵敏度低C：准确度低D：抗干扰能力差E：响应时间慢应变式传感器的温度误差产生的主要原因：〔CE〕A：应变式温度传感器件的温度系数变化。B：应变式温度传感器件的测量局部引起的。C：敏感栅金属丝电阻本身随温度发生变化。D：应变式温度传感器件对温度应变不敏感引起的。E：试件材料与应变丝材料的线膨胀系数不一,使应变丝产生附加变形而造成的电阻变化。设计光纤微弯传感器时，下面说法正确的答案是〔AD〕A：在光纤微变传感器中的变形器前后一定要有模式除去器。B：暗视场光纤传感器比明视场的灵敏度高。C：暗视场光纤微弯传感器的背景光噪声大。D：暗视场信号放大倍数比亮视场的放大倍数大。E：暗视场光纤微变传感器信号不易受到温度影响。下面的哪些传感器属于内光电传感器〔CDE〕A:光电管;B:光电倍增管C:光敏电阻D:光电二/三极管E:光电池如下属于按传感器的工作原理进展分类的传感器是〔ACD〕A、应变式传感器B、化学型传感器C、压电式传感器D、热电式传感器传感技术的研究内容主要包括〔ABC〕A、信息获取B、信息转换C、信息处理D、信息传输影响金属导电材料应变灵敏系数K的主要因素是〔B〕A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化电感式传感器可以对〔ABCD〕等物理量进展测量A、位移B、振动C、压力D、流量光纤传感器中常用的光探测器有以下哪几种〔ABC〕A、光敏二极管B、光电倍增管C、光敏晶体管D、固体激光器下面基于外光电效应的光电器件有〔ＡＢ〕A:光电管;B:光电倍增管C:光敏电阻D:光电二/三极管E:光电池如下不属于传感器静态特性的是〔C〕A、灵敏度B、线性度C、频率响应D、迟滞性制作应变计敏感元件的金属材料应有如下要求〔ADE〕A、k0大，并在尽可能大的X围内保持常数。B、灵敏度高C、机械滞后小D、电阻率ρ大E、电阻温度系数小应变式传感器与其他类型传感器相比有以下特点〔BCE〕A、受温度影响不大。B、测量X围广、精度高。C、频率响应特性较好。D、结构相对较复杂，体积大。E、能在恶劣的环境条件下工作。如下关于热释电效应说法正确的答案是〔ABC〕A、利用热释电效应的光电传感器包含光-热、热-电，两个阶段的信息变换过程。B、热-电阶段是利用某种效应将热转变为电信号。C、光-热阶段是吸收了光以后温度升高。D、热释电材料有晶体、陶瓷、塑料和金属等。对于光电管的根本特性，下面说法正确的答案是〔AD〕A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。在光的作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为〔D〕。应变片绝缘电阻是指已粘贴的〔B〕应变片的之间的电阻值。电阻应变片的线路温度补偿方法有(A.B.D).通常用应变式传感器测量(BCD).

在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于(BD).

发射光纤和传送光纤的分布有哪几种〔ABCD〕A、随机分布B、半球形对开分布C、共轴内发射分布D、共轴外发射分布E、圆形对开分布存在灵敏度界限的原因是〔AC〕A、输入的变化量通过传感器内部被吸收，因而反映不