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文档简介
专题十五晶体类型与晶胞结构分析与计算1.了解晶体的类型,了解不同类型晶体中结构微粒、微粒间作用力的区别。2.了解分子晶体、共价晶体、离子晶体、金属晶体结构与性质的关系。3.了解四种晶体类型熔点、沸点、溶解性等性质的不同。4.掌握切割法计算的一般方法,能根据晶胞中微粒的位置计算晶胞的化学式。5.掌握晶体密度与晶胞参数计算的一般步骤。考点一常见晶体类型及性质1.四种常见晶体类型的比较类型比较分子晶体共价晶体金属晶体离子晶体构成微粒分子原子金属阳离子、自由电子阴、阳离子微粒间的相互作用力范德华力(某些含氢键)共价键金属键离子键硬度较小很大有的很大,有的很小较大熔、沸点较低很高有的很高,有的很低较高溶解性相似相溶难溶于一般溶剂一般不溶于水,少数与水反应大多易溶于水等极性溶剂导电、导热性一般不导电,溶于水后有的导电一般不具有导电性,个别为半导体晶体不导电,水溶液或熔融态导电2.离子晶体的晶格能(1)定义将1mol离子晶体完全气化为气态阴、阳离子所吸收的能量,单位:kJ·mol-1。(2)影响因素①离子所带的电荷数:离子所带的电荷数越多,晶格能越大。②离子的半径:离子的半径越小,晶格能越大。③离子晶体的结构类型。(3)与离子晶体性质的关系晶格能越大,形成的离子晶体越稳定,且熔点越高,硬度越大。3.常见晶体的结构模型(1)典型的分子晶体——干冰和冰①干冰晶体中,每个CO2分子周围等距且紧邻的CO2分子有12个。②冰晶体中,每个水分子与相邻的4个水分子以氢键相连接,含1molH2O的冰中,最多可形成2mol氢键。(2)典型的共价晶体——金刚石、二氧化硅①金刚石和二氧化硅晶体结构模型比较结构模型晶胞金刚石二氧化硅②金刚石和二氧化硅结构特点分析比较金刚石a.碳原子采取sp3杂化,键角为109°28′b.每个碳原子与周围紧邻的4个碳原子以共价键结合成正四面体结构,向空间伸展形成空间网状结构c.最小碳环由6个碳原子组成,每个碳原子被12个六元环共用d.金刚石晶胞的每个顶点和面心均有1个C原子,晶胞内部有4个C原子,内部的C在晶胞的体对角线的eq\f(1,4)处,每个金刚石晶胞中含有8个C原子二氧化硅a.Si原子采取sp3杂化,正四面体内O—Si—O键角为109°28′b.每个Si原子与4个O原子形成4个共价键,Si原子位于正四面体的中心,O原子位于正四面体的顶点,同时每个O原子被2个硅氧正四面体共用,晶体中Si原子与O原子个数比为1∶2c.最小环上有12个原子,包括6个O原子和6个Si原子d.1molSiO2晶体中含Si—O数目为4NAe.SiO2晶胞中有8个Si原子位于立方晶胞的顶点,有6个Si原子位于立方晶胞的面心,还有4个Si原子与16个O原子在晶胞内构成4个硅氧四面体。每个SiO2晶胞中含有8个Si原子和16个O原子(3)典型的离子晶体——NaCl、CsCl、CaF2①NaCl型:在晶体中,每个Na+同时吸引6个Cl-,每个Cl-同时吸引6个Na+,配位数为6。每个晶胞含4个Na+和4个Cl-。②CsCl型:在晶体中,每个Cl-吸引8个Cs+,每个Cs+吸引8个Cl-,配位数为8。③CaF2型:在晶体中,每个Ca2+吸引8个F-,每个F-吸引4个Ca2+,每个晶胞含4个Ca2+,8个F-。(4)过渡晶体与混合型晶体①过渡晶体:纯粹的分子晶体、共价晶体、离子晶体和金属晶体四种典型晶体是不多的,大多数晶体是它们之间的过渡晶体。人们通常把偏向离子晶体的过渡晶体当作离子晶体来处理,把偏向共价晶体的过渡晶体当作共价晶体来处理。②混合型晶体石墨层状晶体中,层与层之间的作用是分子间作用力,平均每个正六边形拥有的碳原子个数是2,C原子采取的杂化方式是sp2。1.分子晶体不导电,溶于水后也都不导电()2.沸点:HF<HCl<HBr<HI()3.离子晶体是由阴、阳离子构成的,所以离子晶体能够导电()4.共价晶体的熔点一定比离子晶体的高()5.金属导电是因为在外加电场作用下产生自由电子()6.金属具有光泽是因为金属阳离子吸收并放出可见光()【提示】1.×2.×3.×4.×5.×6.×1.(2023·北京卷第1题)中国科学家首次成功制得大面积单晶石墨炔,是碳材料科学的一大进步。下列关于金刚石、石墨、石墨炔的说法正确的是A.三种物质中均有碳碳原子间的σ键 B.三种物质中的碳原子都是sp3杂化C.三种物质的晶体类型相同 D.三种物质均能导电【答案】A【解析】原子间优先形成σ键,三种物质中均存在σ键,A项正确;金刚石中所有碳原子均采用sp3杂化,石墨中所有碳原子均采用sp2杂化,石墨炔中苯环上的碳原子采用sp2杂化,碳碳三键上的碳原子采用sp杂化,B项错误;金刚石为共价晶体,石墨炔为分子晶体,石墨为混合晶体,C项错误;金刚石中没有自由移动电子,不能导电,D项错误;故选A。2.(2023·重庆卷第9题)配合物[MA2L2]的分子结构以及分子在晶胞中的位置如图所示,下列说法错误的是A.中心原子的配位数是4 B.晶胞中配合物分子的数目为2C.晶体中相邻分子间存在范德华力 D.该晶体属于混合型晶体【答案】D【解析】由题干配合物[MA2L2]的分子结构示意图可知,中心原子M周围形成了4个配位键,故中心原子M的配位数是4,A正确;由题干图示晶胞结构可知,晶胞中配合物分子的数目为=2,B正确;由题干信息可知,该晶体为由分子组成的分子晶体,故晶体中相邻分子间存在范德华力,C正确;由题干信息可知,该晶体为由分子组成的分子晶体,D错误;故选D。3.(2023·浙江选考第17题)(3)Si与P形成的某化合物晶体的晶胞如图。该晶体类型是___________,该化合物的化学式为___________。【答案】(3)共价晶体SiP2【解析】(3)Si与P形成的某化合物晶体的晶胞如图可知,原子间通过共价键形成的空间网状结构,形成共价晶体;根据均摊法可知,一个晶胞中含有个Si,8个P,故该化合物的化学式为SiP2。4.(2022·江苏卷)下列说法正确的是A.金刚石与石墨烯中的夹角都为B.、都是由极性键构成的非极性分子C.锗原子()基态核外电子排布式为D.ⅣA族元素单质的晶体类型相同【答案】B【解析】金刚石中的碳原子为正四面体结构,夹角为109°28′,故A错误;的化学键为SiH,为极性键,为正四面体,正负电荷中心重合,为非极性分子;的化学键为SiCl,为极性键,为正四面体,正负电荷中心重合,为非极性分子,故B正确;锗原子()基态核外电子排布式为[Ar],故C错误;ⅣA族元素中的碳元素形成的石墨为混合晶体,而硅形成的晶体硅为共价晶体,故D错误;故选B。1.(2023·河北·校联考三模)实验室制取HF的原理为,氢氟酸可用来刻蚀玻璃,发生反应:。的立方晶胞如图所示,其晶胞参数为。下列说法错误的是A.简单氢化物的稳定性:B.、、三者的VSEPR模型均为四面体形C.晶体与Si晶体的晶体类型相同,二者均为良好的半导体D.晶体中与之间的最近距离为【答案】C【解析】A.非金属性:,则简单氢化物的稳定性:,A正确;B.、和的中心原子的价层电子对数均为4,故VSEPR模型均为四面体形,B正确;C.二氧化硅晶体和硅晶体均为共价晶体,共同点为熔点高、硬度大,不同点是二氧化硅晶体不导电,硅晶体是良好的半导体材料,C错误;D.晶体中为面心立方最密堆积,位于围成的正四面体的空隙中,与之间的最近距离为立方晶胞体对角线长的,即为,D正确;故选C。2.(2023·山东菏泽·校考三模)下列有关说法不正确的是A.MgO的离子键的键能大于CaO的B.干冰和的晶体类型相同C.如图所示的晶胞的化学式为D.DNA双螺旋的两个螺旋链通过氢键相互结合【答案】B【解析】A.的半径小于,所以的离子键的键能大于的,A正确;B.干冰为分子晶体,为共价晶体,二者的晶体类型不相同,B错误;C.如图所示的晶胞,在体心,个数为1,在顶点,个数为,在棱上,个数为,所以该晶胞的化学式为,C正确;D.DNA双螺旋含有N、H原子,两个螺旋链通过氢键相互结合,D正确;故选B。3.(2023·湖北武汉·模拟预测)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,熔点为1238℃,用于制作太阳能电池的材料,其结构如图所示,其中以原子1为原点,原子2的坐标为(1,1,1)。下列有关说法中错误的是A.原子3的坐标为(,,) B.Ga的配位数为4C.GaAs为共价晶体 D.若将Ga换成Al,则晶胞参数将变小【答案】A【解析】A.由图可知,原子3在x、y、z轴上的投影分别为,坐标为,A错误;B.根据晶胞结构可知,Ga的配位数为4,B正确;C.GaAs的熔点为1238℃,硬度大,熔点高硬度大,故晶体类型为共价晶体,C正确;D.Ga原子半径比Al小,则若将Ga换成Al,则晶胞参数将变小,D正确;故选A。考点二晶胞模型与晶胞参数计算一、晶胞模型与切割法计算1.晶胞中微粒数的计算方法——切割法(1)长方体(包括立方体)晶胞中不同位置的粒子数的计算如某个粒子为N个晶胞所共有,则该粒子有eq\f(1,N)属于这个晶胞。中学中常见的晶胞为立方晶胞,立方晶胞中微粒数的计算方法如图1。(2)非长方体晶胞在六棱柱(如图2)中,顶角上的原子有eq\f(1,6)属于此晶胞,面上的原子有eq\f(1,2)属于此晶胞,因此六棱柱中镁原子个数为12×eq\f(1,6)+2×eq\f(1,2)=3,硼原子个数为6。2.三种典型立方晶胞结构3.晶胞中微粒配位数的计算一个粒子周围最邻近的粒子数称为配位数,它反映了晶体中粒子排列的紧密程度。(1)晶体中原子(或分子)的配位数若晶体中的微粒为同种原子或同种分子,则某原子(或分子)的配位数指的是该原子(或分子)最接近且等距离的原子(或分子)的数目,常见晶胞的配位数如下:简单立方:配位数为6面心立方:配位数为12体心立方:配位数为8(2)离子晶体的配位数指一个离子周围最接近且等距离的异种电性离子的数目。以NaCl晶体为例①找一个与其他粒子连接情况最清晰的粒子,如上图中心的黑球(Cl-)。②数一下与该粒子周围距离最近的粒子数,如上图标数字的面心白球(Na+)。确定Cl-的配位数为6,同样方法可确定Na+的配位数也为6。二、晶胞参数计算1.晶胞参数晶胞的形状和大小可以用6个参数来表示,包括晶胞的3组棱长a、b、c和3组棱相互间的夹角α、β、γ,即晶格特征参数,简称晶胞参数。2.晶体结构的相关计算(1)空间利用率=eq\f(晶胞占有的微粒体积,晶胞体积)×100%。(2)金属晶体中体心立方堆积、面心立方堆积中的几组计算公式(设棱长为a)①面对角线长=eq\r(2)a。②体对角线长=eq\r(3)a。③体心立方堆积4r=eq\r(3)a(r为原子半径)。④面心立方堆积4r=eq\r(2)a(r为原子半径)。3.宏观晶体密度与微观晶胞参数的关系三、原子分数坐标、投影图(一)晶胞原子分数坐标的确定1.概念以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数坐标。原子分数坐标参数表示晶胞内部各原子的相对位置。2.原子分数坐标的确定方法(1)依据已知原子的分数坐标确定坐标系取向。(2)一般以坐标轴所在正方体的棱长为1个单位。(3)从原子所在位置分别向x、y、z轴作垂线,所得坐标轴上的截距即为该原子的分数坐标。(二)晶胞投影图1.简单立方模型投影图x、y平面上的投影图:2.体心立方模型投影图x、y平面上的投影图:3.面心立方模型投影图x、y平面上的投影图:4.金刚石晶胞模型投影图x、y平面上的投影图:5.沿体对角线投影(以体心立方和面心立方为例)(1)体心立方堆积(2)面心立方最密堆积1.(2023·辽宁卷第14题)晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1),进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是()A.图1晶体密度为g∙cm3B.图1中O原子的配位数为6C.图2表示的化学式为D.取代产生的空位有利于传导【答案】C【解析】根据均摊法,图1的晶胞中含Li:8×EQ\f(1,4)+1=3,O:2×EQ\f(1,2)=1,Cl:4×EQ\f(1,4)=1,1个晶胞的质量为g=g,晶胞的体积为(a×1010cm)3=a3×1030cm3,则晶体的密度为g÷(a3×1030cm3)=g/cm3,A项正确;图1晶胞中,O位于面心,与O等距离最近的Li有6个,O原子的配位数为6,B项正确;根据均摊法,图2中Li:1,Mg或空位为8×EQ\f(1,4)=2。O:2×EQ\f(1,2)=1,Cl或Br:4×EQ\f(1,4)=1,Mg的个数小于2,根据正负化合价的代数和为0,图2的化学式为LiMgOClxBr1x,C项错误;进行镁离子取代及卤素共掺杂后,可获得高性能固体电解质材料,说明Mg2+取代产生的空位有利于Li+的传导,D项正确;故选C。2.(2023·湖北卷第15题)镧La和H可以形成一系列晶体材料,在储氢和超导等领域具有重要应用。,属于立方晶系,晶胞结构和参数如图所示。高压下,中的每个H结合4个H形成类似的结构,即得到晶体。下列说法错误的是()A.晶体中La的配位数为8B.晶体中H和H的最短距离:C.在晶胞中,H形成一个顶点数为40的闭合多面体笼D.单位体积中含氢质量的计算式为【答案】C【解析】由LaH2的晶胞结构可知,La位于顶点和面心,晶胞内8个小立方体的中心各有1个H原子,若以顶点La研究,与之最近的H原子有8个,则La的配位数为8,故A正确;由LaHX晶胞结构可知,每个H结合4个H形成类似CH4的结构,H和H之间的最短距离变小,则晶体中H和H的最短距离:,故B正确;由题干信息可知,在LaHX晶胞中,每个H结合4个H形成类似CH4的结构,这样的结构有8个,顶点数为4×8=32,且不是闭合的结构,故C错误;1个LaHX晶胞中含有5×8=40个H原子,含H质量为g,晶胞的体积为(484.0×1010cm)3=(4.84×108)3cm3,则LaHX单位体积中含氢质量的计算式为,故D正确;故选C。3.(2023·湖南卷第11题)科学家合成了一种高温超导材料,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为apm。阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是A.晶体最简化学式为KCaB6C6B.晶体中与K+最近且距离相等的Ca2+有8个C.晶胞中B和C原子构成的多面体有12个面D.晶体的密度为【答案】C【解析】根据晶胞结构可知,其中K个数:8×EQ\f(1,8)=1,其中Ca个数:1,其中B个数:12×EQ\f(1,2)=6,其中C个数:12×EQ\f(1,2)=6,故其最简化学式为KCaB6C6,A正确;根据晶胞结构可知,K+位于晶胞体心,Ca位于定点,则晶体中与K+最近且距离相等的Ca2+有8个,B正确;根据晶胞结构可知,晶胞中B和C原子构成的多面体有14个面,C错误;根据选项A分析可知,该晶胞最简化学式为KCaB6C6,则1个晶胞质量为:,晶胞体积为a3×1030cm3,则其密度为,D正确;故选C。4.(2023·全国乙卷第35题)(3)一种硼镁化合物具有超导性能,晶体结构属于立方晶系,其晶体结构、晶胞沿c轴的投影图如下所示,晶胞中含有_______个。该物质化学式为_______,BB最近距离为_______。【答案】(3)3MgB2【解析】(3)由硼镁化合物的晶体结构、晶胞沿c轴的投影图可知,Mg位于正六棱柱的顶点和面心,由均摊法可以求出正六棱柱中含有个Mg,B在正六棱柱体内共6个,则该物质的化学式为MgB2;由晶胞沿c轴的投影图可知,B原子在图中两个正三角形的重心,该点到顶点的距离是该点到对边中点距离的2倍,顶点到对边的垂线长度为,因此BB最近距离为。5.(2023·山东卷第16题)(3)一定条件下,和反应生成和化合物。已知属于四方晶系,晶胞结构如图所示(晶胞参数),其中化合价为+2。上述反应化学方程式为_____。若阿伏加德罗常数的值为,化合物的密度_____(用含的代数式表示)。【答案】(3)【解析】(3)一定条件下,、和反应生成和化合物X。已知X属于四方晶系,其中Cu化合价为+2。由晶胞结构图可知,该晶胞中含有黑球的个数为、白球的个数为、灰色球的个数为,则X中含有3种元素,其个数比为1:2:4,由于其中Cu化合价为+2、的化合价为1、K的化合价为+1,根据化合价代数和为0,可以推断X为,上述反应的化学方程式为。若阿伏加德罗富数的值为,晶胞的质量为,晶胞的体积为,化合物X的密度。1.(2024·江西·统考模拟预测)朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现,其立方晶系型晶胞如下图所示,晶胞参数为anm,A原子的分数坐标为,阿伏加德罗常数的值为,下列说法正确的是A.S的配位数是6 B.晶胞中B原子分数坐标为C.该晶体的密度是 D.相邻两个Hg的最短距离为【答案】C【解析】A.由晶胞图知,S的配位数是4,A错误;B.由A原子的分数坐标为,结合投影图知,晶胞中B原子分数坐标为,B错误;C.由晶胞图可知,S有4×1=4个,Hg有,故该晶体的密度是,C正确;D.相邻两个Hg的最短距离面对角线的一半,为,D错误;故选C。2.(2024·吉林·统考模拟预测)镍酸镧电催化剂立方晶胞如图所示,晶胞参数为a,具有催化活性的是,图①和图②是晶胞的不同切面。下列说法错误的是A.催化活性:①>② B.镍酸镧晶体的化学式为C.周围紧邻的O有4个 D.和的最短距离为【答案】C【解析】A.具有催化活性的是,图②中没有Ni原子,则催化活性:①>②,故A正确;B.镍酸镧电催化剂立方晶胞中含有1个Ni,=3个O,8=1个La,镍酸镧晶体的化学式为,故B正确;C.由晶胞结构可知,在晶胞体心,O在晶胞的棱心,则La周围紧邻的O有12个,故C错误;D.由晶胞结构可知,和的最短距离为体对角线得一半,为,故D正确;故选C。3.(2024·广西·统考模拟预测)某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图1(为便于观察,省略了2个图2的结构),晶胞边长为apm。下列说法正确的是A.晶体的化学式为 B.晶胞中与1个Mg配位的Ni有6个C.晶胞中2个Ni之间的最近距离为apm D.镁镍合金中Mg、Ni通过离子键结合【答案】A【解析】A.Ni位于顶点和面心,根据均摊法,Ni的个数为8×+6×=4,每个Ni原子周围有6个H,因此H有24个,Mg都在体内,因此Mg有8个,晶体的化学式为Mg2NiH6,A正确;B.由图像可知,Mg周围距离最近且相等的Ni有4个,因此晶胞中与1个Mg配位的Ni有4个,B错误;C.由图像可知,晶胞中最近的2个N位于面的中心和顶点上,距离为面对角线的一半,即apm,C错误;D.Mg、Ni均为金属,合金中Mg、Ni通过金属键结合,D错误;故选A。1.(2024·江苏南京·统考一模)氧元素是地球上存在最广泛的元素,也是与生命活动息息相关的主要元素,其单质及化合物在多方面具有重要应用。氧元素存在多种核素,游离态的氧主要有、,工业上用分离液态空气、光催化分解水等方法制取。氢氧燃料电池是最早实用化的燃料电池,具有结构简单、能量转化效率高等优点;25℃和下,的燃烧热为。氧能与大部分元素形成氧化物如、、、、、、等;过氧化物如、等可以作为优秀的氧化剂。下列说法正确的是A.、、互为同素异形体 B.分子中键角大小:C.分子中键和键数目比为 D.如图所示晶胞中有4个铜原子【答案】D【解析】A.16O、17O、18O是氧元素的不同原子,互为同位素,不能互为同素异形体,故A错误;B.SO3中S原子价层电子对个数=3+=3且不含孤电子对;SO2中S原子价层电子对个数=2+=3且含有1个孤电子对,孤电子对和成键电子对之间的排斥力大于成键电子对之间的排斥力,这两种微粒空间构型依次是平面三角形、V形,分子中键角大小:SO2<SO3,故B错误;C.CO2分子结构为O=C=O,CO2分子中σ键和π键数目比为2:2=1:1,故C错误;D.如图所示Cu2O晶胞中,铜原子位于晶胞内部,共有4个铜原子,氧原子位于晶胞中心和8个顶角,故D正确;故选D。2.(2024·辽宁沈阳·统考一模)某立方晶系的锑钾合金可作为钾离子电池的电极材料,下图表示晶胞。下列说法中错误的是A.该晶胞的体积为 B.和原子数之比为C.与最邻近的原子数为4 D.该晶胞的俯视图为【答案】D【解析】A.晶胞的体积为,该晶胞的体积为,A正确;B.根据图示晶胞中平均含有原子数为,原子数为,和原子数之比为,B正确;C.由图可知,晶胞体心处最邻近的原子数为4,C正确;D.根据图示推出晶胞顶点、面心、内部存在原子,该晶胞的俯视图为,D错误;故选D。3.(2024·河北·校联考模拟预测)中国第一辆火星车“祝融号”成功登陆火星,探测发现火星上存在大量橄榄石矿物(),已知晶体硅的晶胞如图,下列说法错误的是A.Fe2+价电子排布式为3d6,未成对电子数是4B.橄榄石中各元素第一电离能和电负性大小顺序均为O>Si>Fe>MgC.硅的氯化物SiCl4分子是非极性分子,Si的杂化方式是sp3D.若单晶硅晶胞参数是anm,则Si原子的原子半径为【答案】D【解析】A.铁元素的原子序数为26,基态亚铁离子的价电子排布式为3d6,3d轨道中含有4个未成对电子,故A正确;B.金属元素的第一电离能和电负性小于非金属元素,同周期元素,从左到右第一电离能呈增大趋势、电负性依次增大,同主族元素,从上到下元素的第一电离能和电负性依次减小,则O元素的第一电离能和电负性大于硅元素;元素的金属性越强,第一电离能和电负性越小,则四种元素的第一电离能和电负性大小顺序均为O>Si>Fe>Mg,故B正确;C.四氯化硅分子中硅原子的价层电子对数为4,孤对电子对数为0,则分子中硅原子的杂化方式是sp3杂化,分子的空间构型为结构对称的正四面体形,属于非极性分子,故C正确;D.由晶胞结构可知,晶胞中位于顶点的硅原子与位于体对角线处的硅原子的距离最近,则硅原子的原子半径为,故D错误;故选D。4.(2024·广西·校联考模拟预测)氧化铈(CeO2)常用作玻璃工业添加剂,在其立方晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,可以得到更稳定的结构,这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性质和应用。假设CeO2晶胞边长为apm,下列说法错误的是A.CeO2晶胞中与最近的核间距为B.CeO2立方晶胞中铈离子的配位数为4C.CeO2晶胞中氧离子填充在铈离子构成的四面体空隙中D.若掺杂Y2O3后得到n(CeO2)∶n(Y2O3)=0.8∶0.1的晶体,则此晶体中O2−的空缺率为5%【答案】B【解析】A.CeO2晶胞中与最近的核间距为晶胞对角线长度的四分之一,即,选项A正确;B.由图知,CeO2立方晶胞中Ce位于顶点和面心,O位于8个小立方体的体心,则铈离于的配位数为8,选项B错误;C.结合选项B可知,CeO2晶胞中氧离子填充在铈离子构成的四面体空隙中,选项C正确;D.氧化铈(CeO2)立方晶胞中掺杂Y2O3,Y3+占据原来Ce4+的位置,则未掺杂前每个晶胞中含4个Ce8个O、若掺杂Y2O3后得到n(CeO2)∶n(Y2O3)=0.8∶0.1的晶体,每个晶胞中Ce与Y共4个时含4×(0.8×2+0.1×3)=7.6个O,则此晶体中O2−的空缺率=5%,选项D正确;故选B。5.(2024·河北·校联考一模)W、X、Y、Z是原子序数依次增大的短周期主族元素,其中Z元素基态原子L层电子数是电子层数的3倍。这四种元素组成的化合物(结构如图)可用于合成超分子聚合物。下列说法错误的是A.XZ2晶体属于共价晶体 B.元素W、X、Y都可以与Z形成多种化合物C.电负性:Z>Y>X>W D.超分子具有自组装和分子识别的特征【答案】A【分析】由Z元素原子L层电子数是电子层数的3倍可知Z为O元素,再结合图中结构简式,可知W、X、Y分别为H、C、N元素。【解析】A.CO2晶体属于分子晶体,故A错误;B.W、X、Y分别为H、C、N元素,能与O元素形成H2O、H2O2,CH4、C2H4,NH3、N2H4等多种化合物,故B正确;C.非金属性越强其电负性越大,由非金属性:O>N>C>H,电负性:O>N>C>H,故C正确;D.超分子的两大特性是具有自组装和分子识别特征,故D正确;故选A。6.(2024·山东·校联考模拟预测)快离子导体是一类具有优良导电能力的固体电解质。图1(Li3SBF4)和图2是潜在的快离子导体材料的结构示意图。温度升高时,NaCl晶体出现缺陷,晶体的导电性增强。该晶体导电时,③迁移的途径有两条:途径1:在平面内挤过2、3号氯离子之间的狭缝(距离为x)迁移到空位。途径2:挤过由1、2、3号氯离子形成的三角形通道(如图3,小圆的半径为y)迁移到空位。已知:氯化钠晶胞参数a=564pm,r(Na+)=95pm,r(Cl)=185pm,=1.4,=1.7。下列说法不正确的是A.第二周期元素中第一电离能介于B和F之间的元素有4种B.图1所示晶体中,每个Li+与4个呈四面体结构的离子相邻C.氯化钠晶体中,Na+填充在氯离子形成的正八面体空隙中D.温度升高时,NaCl晶体出现缺陷,晶体的导电性增强,该晶体导电时,③迁移的途径可能性更大的是途径1【答案】D【解析】A.第二周期元素第一电离能从左向右呈增大趋势,由于Be的2s轨道全满,N的2p轨道半满,结构稳定,造成Be和N比同周期相邻元素的第一电离能高,因此第一电离能介于B和F之间的有Be、C、N、O共4种,A正确;B.由图1所示晶体结构可知,Li+位于棱心,正四面体结构的离子在体心,则每个Li+与4个呈四面体结构的离子相邻,B正确;C.NaCl晶胞中Na+周围有3个Cl,则在NaCl晶体中,Na+周围等距离最近有6个C1,6个C1构成正八面体结构,即Na+填充在C1堆积而成的八面体空隙中,C正确;D.氯化钠晶胞参数a=564pm,则图2的小立方的边长为其一半。由1、2、3号氯离子形成的三角形为等边三角形,边长等于图2中面对角线长度,故三角形边长=,即,r(Cl)=185pm,解得x=24.8pm,该距离比钠离子的直径小很多;等边三角形的内部小圆的圆心是等边三角形的重心,其到三角形顶点的距离为,就是这个三角形的高的三分之二,所以,,则y=38.7pm,则小圆的直径为77.4pm,这个空隙比x大很多,Na+如果能挤过,那么挤过由1、2、3号氯离子形成的三角形通道相对容易些,即迁移可能性更大的途径是途径2,D错误;故选D。7.(2024·广西北海·统考一模)某铜的氯化物常作工业催化剂,其晶胞结构如图所示,晶胞中C、D两原子核间距为298pm。设阿伏加德罗常数的值为,则下列说法正确的是A.Cu的+2价比+1价稳定,是因为最外层电子达到半充满结构B.此氯化物的化学式为C.晶胞中Cu位于Cl形成的四面体空隙D.Cu与Cl的核间距为棱长的倍【答案】C【解析】A.Cu的+1价最外层电子达到全充满结构(3d10),所以+1价稳定,故A错误;B.此晶体中Cl位于顶点和面心,个数为=4,Cu位于晶胞内部,个数为4,Cu和Cl的原子个数比为1∶1,化学式为CuCl,故B错误;C.根据晶胞图可知,1个Cu与4个Cl相连,因此Cu位于Cl形成的四面体空隙,故C正确;D.把立方体分为8个小立方体,Cu位于小立方体的体心,Cu与Cl的核间距为体对角线的一般,即为棱长的倍,故D错误;故选C。8.(2023·吉林长春·东北师大附中校考三模)氮化铬的晶胞结构如图所示,A点分数坐标为(0,0,0)。氮化铬的晶体密度为dg/cm3,摩尔质量为Mg/mol,晶胞参数为anm,NA代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是A.铬原子的价电子排布式为B.Cr原子位于N原子构成的四面体空隙中C.距离Cr原子最近的Cr原子有8个D.【答案】D【解析】A.已知Cr是24号元素,根据洪特规则及特例可知,基态铬原子价层电子排布式为3d54s1,A错误;B.由题干晶胞示意图可知,Cr原子位于N原子构成的八面体空隙中,B错误;C.由题干晶胞示意图可知,距离体心的Cr原子最近的Cr原子位于棱心,共有12个,C错误;D.由题干晶胞示意图可知,N原子位于顶点和面心,个数为8×+6×=4,Cr原子位于棱心和体心,个数为12×+1=4,晶胞质量为g,晶胞体积为(a×107)3cm3,根据ρ=可得,dg⋅cm3=,则a=,D正确;故选D。9.(2023·河北邯郸·统考一模)设为阿伏加德罗常数的值。工业上用接触法制备硫酸的微流程如图:下列叙述正确的是A.和生成的反应是熵增反应B.完全转化成红色粉末和时转移的电子数为C.的晶胞结构如图所示,恰好切成个如图所示的晶胞D.上述工艺中使用足量的氧气可以将硫全部转化成硫酸【答案】C【解析】A.和生成的反应方程式为,是熵减反应,故A错误;B.和O2反应方程式为,O元素化合价从0到2,所以完全转化成红色粉末和时转移的电子数为,故B错误;C.根据的晶胞结构示意图,一个晶胞中含有4个,物质的量为,恰好切成个如图所示的晶胞,故C正确;D.是可逆反应,无法全部转化,所以上述工艺中无法将硫全部转化成硫酸,故D错误;故选C。10.(2023·吉林长春·统考一模)科学家合成了一种高温超导材料,其晶胞结构如图所示,该立方晶胞参数为。设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是A.晶体的最简化学式为B.晶体中与最近且距离相等的有4个C.晶胞中B和C原子构成的多面体有14个面D.晶体的密度为【答案】B【解析】A.根据均摊法,K原子处在晶胞顶点,个数为=1,Ca原子处在体心,个数为1个,B原子在晶胞每个面上有2个,则个数为12=6,C原子每个面上有2个,个数为12=6,则晶胞的最简化学式为,故A正确;B.K原子处在晶胞顶点,Ca原子处在晶胞体心,1个K原子同时被8个晶胞共有,则晶体中与最近且距离相等的有8个,故B错误;C.晶胞中B和C原子构成的多面体,同一个面上的B和C原子构成的面总共有6个,晶胞每个顶点对应1个B和C原子构成的面,总共有8面,合起来6+8=14,故C正确;D.晶胞的质量为,晶胞的体积为v=a31030cm3,则晶胞密度为,故D正确;答案B。11.(2023·湖北武汉·联考一模)一种超导材料(仅由三种元素组成)的长方体晶胞结构如图所示(已知,用表示阿伏加德罗常数的值):下列说法正确的是A.基态失去能级上的一个电子转化为B.若点原子分数坐标为,则点原子分数坐标为C.之间的距离为D.晶体的密度为【答案】D【解析】A.基态失去能级上的一个电子转化为,A错误;B.若点原子分数坐标为,则点原子分数坐标为,B错误;C.之间的距离为面对角线的,数值为,C错误;D.晶体结构中的个数分别为:,化学式为,晶体的密度为,D正确;故选D。12.(2023·辽宁·校联考三模)一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系,晶胞参数如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中,A点、B点原子的分数坐标分别为、,下列说法错误的是A.该晶体的化学式为B.C点原子的分数坐标为C.晶胞中四面体空隙的占有率为50%D.晶胞中C、D间距离【答案】D【解析】A.晶胞中位于顶点、面上、和体内的Cu原子个数=,位于面上、棱上的In原子个数=,位于体内的Te原子个数=8×1=8,则Cu、In、Te的原子个数比为4:4:8=1:1:2,晶体的化学式为CuInTe2,A正确;B.由位于顶点A点和体心B点原子的分数坐标分别为(0,0,0)、可知,晶胞边长为1,则位于体对角线处,面对角线处的C原子的分数坐标分别为,B正确;C.由晶胞结构可知,In原子形成的四面体空隙有8个,形成的八面体空隙也有8个,则四面体空隙的占有率为,C正确;D.由晶胞中C、D形成的直角三角形的边长为pm、pm可知,C、D间距离d=,D错误;故选D。13.(2023·北京海淀·校考三模)钛酸钙是典型的钙钛矿型化合物,该类化合物具有特殊的理化性质,比如吸光性、电催化性等,其晶体结构如图所示。下列说法正确的是A.基态钛原子价电子排布式为4s23d2B.钛酸钙的化学式为CaTiO2C.每个晶胞中含有8个Ca2+D.每个Ca2+周围距离最近且等距的O2有12个【答案】D【分析】每个晶胞中钛离子为1个,晶胞的八个钙离子在立方体顶点上,六个氧离子在面心,根据均摊原则,每个晶胞实际占有钙离子数目为,氧离子数目为,晶胞的化学式为CaTiO3。【解析】A.Ti为22号元素,其核外电子排布式为:1s22s22p63s23p63d24s2,可见其价层电子排布式为3d24s2,A错误;B.每个晶胞中钛离子为1个,晶胞的八个钙离子在立方体顶点上,六个氧离子在面心,根据均摊原则,每个晶胞实际占有钙离子数目为,氧离子数目为,所以晶胞的化学式为CaTiO3,B错误;C.每个晶胞实际占有钙离子数目为,C错误;D.由晶胞结构可知,以顶点为研究对象,在1个晶胞中Ca²⁺周围距离最近且等距的O2有3个,该顶点被8个晶胞共用,则每个Ca²⁺周围距离最近且等距的O2有=3×8×=12个,D正确;故选D。14.(2023·湖南长沙·联考模拟预测)科学家合成了一种高温超导材料,其晶胞结构如图所示。下列说法错误的是A.晶体最简化学式为KCaB6C6B.该晶体属于分子晶体C.晶体中与Ca最近且等距离的B有12个D.晶体中C原子的杂化类型为sp3【答案】B【解析】A.根据“均摊法”,该晶胞中含K(位于顶点):8×=1、Ca(位于体心):1、B(位于面上):12×=6、C(位于面上):12×=6,则晶体最简化学式为KCaB6C6,A项正确;B.该晶体是一种高温超导材料,该晶体不可能属于分子晶体,B项错误;C.由晶胞结构可知,Ca位于体心,B位于面上,晶体中与Ca最近等距离的B有12个,C项正确;D.C位于面上,结合晶胞结构知,C的价层电
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