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文档简介
半导体技术导论智慧树知到期末考试答案2024年半导体技术导论室温下绝缘体中价带电子无法从价带跃迁至导带。
A:错B:对答案:错半导体材料的载流子浓度与态密度有关。
A:对B:错答案:对激光器工作的两个基本条件是:谐振腔和集居数反转。
A:对B:错答案:对目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度,主要因为EUV的能量更小。(
)
A:正确B:错误答案:错误pn结平衡状态下,器件内的扩散电流和漂移电流相互抵消。
A:对B:错答案:对硅基光探测器可探测能量为1ev以下的光波。
A:错误B:正确答案:错误太阳能电池可以吸收太阳光谱中所有高于半导体禁带宽度的能量。
A:错B:对答案:对硅基太阳能电池因其光电转换效率最高而占有最大的市场份额。
A:错B:对答案:错锗是间接能带隙材料。
A:对B:错答案:对单晶硅和多晶硅的电学性能相同。
A:对B:错答案:错离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂深度。
A:对B:错答案:错提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
A:对B:错答案:对n型半导体中载流子只有电子没有空穴。
A:错B:对答案:错本征半导体的电导率通常小于掺杂后的半导体电导率。
A:错误B:正确答案:正确扩散法掺杂工艺通常是在高温下进行,温度变化速度对掺杂效果没有影响。
A:错B:对答案:错砷化镓是间接能带隙材料。
A:正确B:错误答案:错误EDX只能检测元素种类,无法标定元素含量。
A:对B:错答案:错离子注入法掺杂工艺通常无法精确控制掺杂浓度。
A:错B:对答案:错利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度,主要因为EUV的能量更小。
A:错误B:正确答案:错误镀Pt金属通常要用溅射法,而不用热蒸镀法,因为Pt的沸点很高。
A:错B:对答案:对一片晶圆经过加工、测试合格后,就可以直接作为芯片使用。
A:对B:错答案:错,GaAs的带隙一定比AlxGa1-xAs小。
A:正确B:错误答案:正确COMS工艺中电阻阻值大小通常通过掺杂浓度来控制。
A:正确B:错误答案:正确半导体的禁带宽度通常大于绝缘体的禁带宽度。
A:对B:错答案:对CVD沉积温度通常较高,这一特点限制了反应物的种类。
A:错B:对答案:对光刻技术中的反刻工艺也称之为剥离工艺。
A:错B:对答案:对在CMOS工艺中,通常采用SiO2作为掺杂工艺的掩膜层材料。
A:错B:对答案:对通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。
A:对B:错答案:对MOSFET的沟道处于导通状态时,栅极电压与漏极电流无关。
A:错B:对答案:错半导体的禁带宽度通常大于导体的禁带宽度。
A:错B:对答案:对半导体材料通过掺杂可以改变其电导率。
A:对B:错答案:对作为放大器使用的BJT通常采用共基极接入电路。
A:错误B:正确答案:错误在硅中掺入磷元素,可以改变电子浓度,但无法改变空穴浓度。
A:错B:对答案:错半导体器件主要分为电子器件和光电器件两大类。
A:错误B:正确答案:正确通常情况下,半导体材料掺杂后载流子浓度不会发生改变。
A:对B:错答案:错通常来说,光探测器的灵敏度越高,响应时间也就越短。
A:错B:对答案:错目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。()
A:对B:错答案:对CMOS工艺中,p-MOS和n-MOS通常采用不同的步骤分别制造。
A:正确B:错误答案:错误{111}晶面族不包含(1-1-1)晶面。
A:对B:错答案:错非晶体通常具有各向异性。
A:对B:错答案:错在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是:
A:光刻B:CVDC:腐蚀D:离子注入答案:光刻如下图所示的能带结构,代表的是___半导体。――――――――EC________EF――――――――EV
A:p型B:本征C:其余选项都不是D:n型答案:n型南京tsmc工艺技术节点为:
A:12nmB:7nmC:18nmD:20nm答案:12nm硅晶体中的费米能级向高能级移动,可能对应以下情况发生
A:导带电子浓度增加B:价带空穴浓度增加C:导带有效态密度Nc增加D:导带有效态密度Nc减少答案:导带电子浓度增加生产单晶硅晶圆的原材料是:
A:花岗岩B:多晶硅C:石灰岩D:石英砂答案:石英砂当一个PNP型BJT工作在电流放大模式下时,其_____的pn结上的电压方向是反向偏置的。
A:集电极到基极B:集电极到发射极C:以上都不是D:基极到发射极答案:集电极到基极一般情况下,以下沉积方式中腔体气压最低的是:
A:MOCVDB:MBEC:PECVDD:LPCVD答案:MBE2019年底,中芯国际集成电路制造有限公司()芯片实现量产。
A:7nmB:5nmC:28nmD:14nm答案:14nm以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体?
A:石英砂B:冶金级硅晶体C:晶锭D:电子级硅晶体答案:晶锭半导体市场分工细化后,半导体器件制造主要在()环节中进行。
A:系统B:组装C:集成电路设计D:代工答案:代工有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是4Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是3Å,其带隙有可能是
eV。
A:以上都不可能B:1.0C:1.2D:2.1答案:2.1一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的________达到了14nm量级。
A:栅极长度B:以上都不是C:栅极宽度D:漏极宽度答案:栅极宽度世界上第一台激光器是一台()激光器。
A:蓝宝石B:硅基C:氦氖D:红宝石答案:红宝石以下器件中哪种不属于光电半导体器件范畴?
A:pn结B:发光二极管C:光探测器D:太阳能电池答案:pn结激光器中谐振腔的长度通常需要满足()的整数倍。
A:λ/2B:λ/4C:λD:λ/3答案:λ/2pn结的接触电势差与下列哪个参数无关?
A:p区空穴浓度B:温度C:载流子迁移率D:n区电子浓度答案:载流子迁移率超晶格结构通常以()为基本结构单元。
A:场效应晶体管B:异质结C:欧姆接触D:pn结答案:异质结有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是4Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是5Å,其带隙有可能是___
__eV。
A:1.2B:1C:2.1D:其余选项都不是答
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