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文档简介

4.3只读存储器ROM存储内容掉电不丢失，根据ROM信息写入的方式，ROM分为5种：ROM1.掩膜型ROM，厂家两次光刻制造，用于大批量生产2.可编程只读存储器PROM，利用某种方式将存储单元的熔丝烧断3.可擦除可编程只读存储器EPROM，利用特定电压写入数据，利用紫外线擦除数据4.电可擦除的可编程只读存储器EEPROM，采用高电压擦除数据5.闪存FLASHMEMORY，一是NOR闪存，有完整地址和数据接口，用作系统芯片，如BIOS，二是NAND，只允许连续读取和擦除，适合做存储卡、优盘、SSDEPROM例子－Intel2764(8K×8)EPROM2764引脚说明：A12~A0地址线，存储单元个数213=8KO7~O0数据线，读出时为输出，编程时为输入/CE芯片允许端，低有效/OE输出允许，低有效PGM编程脉冲控制Vpp编程电压输入，不同模式下不同Vcc工作电压，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764只读方式：A12~A0地址线，选择存储单元O7~O0数据线，输出数据/CE芯片允许端，接低电平/OE输出允许，接低电平PGM接低电平，无编程信号Vpp编程电压输入，+5VVcc工作电压，+5VGND地EPROM例子－Intel2764EPROM2764编程方式：A12~A0地址线，选择存储单元O7~O0数据线，写入数据/CE接+5V/OE接+5VPGM每写一次，输入50ms正脉冲Vpp随型号不同，+12V~25VVcc工作电压，+5VGND地OE

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