微电子工艺习题总结

./第一章1.Whatisawafer?Whatisasubstrate?Whatisadie?什么是硅片,什么是衬底,什么是芯片答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯〔单数和复数芯片或集成电路〕；硅圆片通常称为衬底。2.Listthethreemajortrendsassociatedwithimprovementinmicrochipfabricationtechnology,andgiveashortdescriptionofeachtrend.列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势,简要描述每个趋势答:提高芯片性能:器件做得越小,在芯片上放置得越紧密,芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性,不间断地分析制造工艺。降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。3.Whatisthechipcriticaldimension<CD>?Whyisthisdimensionimportant?什么是芯片的关键尺寸,这种尺寸为何重要答：芯片的关键尺寸〔CD〕是指硅片上的最小特征尺寸；因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准,也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力,那你就能加工其他所有特征尺寸,由于这些尺寸更大,因此更容易产生。4.Describescalinganditsimportanceinchipdesign.描述按比例缩小以与在芯片设计中的重要性答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的重要性：为了优电学性能,多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。5.WhatisMoore'slawandwhatdoesitpredict?什么是摩尔定律,它预测了什么答：摩尔定律：当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数,月每隔18个月便会增加1倍,性能也将提升1倍。预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。第二章6.Whatistheadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化镓相对于硅的优点是什么答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。7.Whatistheprimarydisadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化镓相对于硅的主要缺点是什么答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备,工艺和废物清除设施中特别控制。第三章8.Whatisanactivecomponent?Givetwoexamplesofthistypeofcomponent.什么是无源元件,举出两个无源元件的例子答：有源器件：在不需要外加电源的条件下,就可以显示其特性的电子元件。例子：电阻,电容。9.Whataresomenotablecharacteristicsofbipolartechnology?Whatisbiggestdrawbacktobipolartechnology?双极技术有什么显著特征,双极技术的最大缺陷是什么答：显著特征：高速,耐久性和功率控制能力。最大缺陷：功耗高。10.Whatarethebenefitsofthefield-effecttransistor<FET>?场效应管有什么优点答：低电压和低功耗。11.WhatarethetwobasictypesofFETs?Whatisthemajordifferencebetweenthem?FET的两种基本类型是什么,他们之间的主要区别是什么答：类型：结型〔JFET〕和金属-氧化物型〔MOSFET〕半导体。区别：MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。12.WhatarethetwocategoriesofMOSFETs?Howaretheydistinguishablefromoneanother?MOSFET有哪两种类型,他们怎样区分答：类型：nMOS〔n沟道〕和pMOS〔p沟道〕区分方法：可有各自器件的多数载流来区别。13.WhattwoICtechnologiesareusedinBiCMOS?BiCMOS使用了哪两种集成电路技术答：采用了CMOS和双极技术14.Whatcouldadigital/analog<D/A>converterchipbeusedfor?Whatcouldananalog/digital<A/D>chipbeusedfor?数模转换器芯片能用做什么,模数转换器芯片能用做什么答：数/模转化器芯片可用来提供用做电子机械设备的控制模拟驱动信号。模/数转换器芯片可用来测量模拟驱动信号的输出。15.Explainthedifferencebetweenanenhancement-modetransistoranddepletion-modetransistorwithregardstotheirstandbycondition.解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别答：增强型晶体管很好地工作于数字陆机应用中,只需要单极的输入信号控制场效应晶体管。耗尽型被已经存在的闭合沟道部分开启。输入电压可以在一个方向变化以提高流过沟道的电流,或者在相反方向降低流过的沟道电流。如果栅极的输入电压在反向更大地提高,耗尽型晶体管将会断开。第四章16.Whyisitnecessarytohavemonocrystalsiliconforwaferfabrication?为什么要用单晶进行硅片制造答：半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构,这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。17.WhichcrystalplaneorientationismostcommonMOS?Whichismostcommonforbipolar?MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向,双极型用的最多的是哪几种答：MOS：<100>面的硅片；双极型：〔111〕面的硅片18.Definecrystalgrowth.WhatistheCZmethodforcrystalgrowth?定义晶体生长,什么是CZ单晶生长法答：晶体生长：是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。CZ单晶生长法：是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。19.Listsevenwaferqualityrequirementsforasiliconwafer.列举硅片的七种质量要求答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗粒；体电阻率20.Whatisanepitaxiallayer,andwhyisitusedonwafers?什么是外延层,为什么在硅片上使用它答：在某种情况下,需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面,还要保持对杂质类型和浓度的控制,这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻,在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来,因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。第八章21、Whatisplasma?WhyisRFenergyusedinplasma?什么是等离子体,为什么要在等离子体中使用RF能量答：等离子是一种中性,高能量,离子化的气体,包含中性原子或分子,带电离子和自由电子。RF能量的使用可以产生一个高功效的等离子体。第九章Listthesixdistinctproductionareasinawaferfabandgiveashortdescriptionofeacharea.列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述答：扩散：扩散区一般认为是进行高温工艺与薄膜沉积的区域。光刻：使用黄色莹光管照明使得光刻区与芯片厂中的其他各个区明显不同。刻蚀：是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。离子注入：采用高电压和磁场来控制并加速离子。薄膜生长：主要负责生产各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。抛光：为了使硅片表面平坦化,是通过将硅片表面突出的部分减薄到下凹部分的高度实现。Identifythethreeproductionareaswherephotoresistcoatedwaferscanbefound.确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域答：光刻区,刻蚀区和离子注入区Whatisthepurposeoftheetchprocess?Namethemostcommontoolsusedinthisarea?刻蚀工艺的目的是什么,这个区中最常用的设备是什么答：目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。常用设备：等离子刻蚀机,等离子体去胶机和湿法清洗设备。Whatarethereasonsforthethermalannealprocessafterionimplantation?离子注入后进行退火工艺的原因是什么答：可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活,使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。26、Whatisshallowtrenchisolation<STI>?Whatprocessdiditreplace?什么是浅槽隔离〔STI〕,它取代了什么工艺答：浅槽隔离〔STI〕是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。取代了局域氧化工艺〔LOCOS〕第十章27、Whatisthedifferencebetweenagrownandadepositedoxidelayer?生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么答：在升温环境里,通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应,可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源,使它们在腔体中反应,从而在硅片表面形成一层薄膜。28、Describethefieldoxidelayer,andstateitsrangeofthickness.描述场氧化层与其厚度X围答：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层X围：2500~12000*10^-10〔A上面一个圈〕之间29、Whyisthegateoxidethermallygrown?为什么删氧要用热生长答：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点,栅氧一般通过热生长获得。30、Listsixapplicationsforthermaloxidesinwaferfabricationandgiveapurposeforeachapplication.列出热氧化物的硅片制造的六种用途,并给出各种用途的目的答：金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。31.Ifanoxidelayeristhermallygrowritobe2,000Athick,howmuchsiliconisconsumed?如果热生长氧化层厚度为2000A,那么Si消耗多少答：920A〔每生长1000A的氧化物,就有460A的硅被消耗〕32.ListthefourtypesofoxidechargesSi/Si02interface.列出Si/Si02界面处的4种氧化物电荷答：正的电荷。负的电荷。界面陷阱电荷。可移动氧化物电荷33.Givetwoadvantagestousingchloijinatedagentsduringoxidation.举出氧化工艺中掺氯的两个优点答：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。Whateffectdoesdopinghaveonoxidegrowth?掺杂对氧化物生长的影响是什么答：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快。35、Explaintheeffectfromcrystalorientationonoxidegrowth.解释晶体晶向对氧化物生长的影响答：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是〔111〕面的硅原子密度比〔100〕面的大。因此,在线性阶段,〔111〕硅单晶的氧化速率将比〔100〕稍快,但是〔111〕的电荷堆积更多。36、Pressurehaswhateffectonoxidegrowth?压力对氧化物生长的影响是什么答：生长速率随着压力增大而增大。高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层,这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降低温度但仍保持不变的氧化速率,或者在相同温度下获得更快的氧化生长。氧化生长的经验法则表明,每增加一个大气压的压力,相当于炉体温度降低30摄氏度。37、Whatarethefivecomponentsinaverticalfurnacesystem?立式炉系统的五部分答：工艺腔,硅片传输系统,气体分配系统,尾气系统,温腔系统38Whatisarapidthermalprocessor<RTP>?Whataresixadvantagesithasovertheconventionalfurnace?什么是快速热处理,相比于系统炉其6大优点是什么答：快速热处理是在非常短的时间内,将单个硅片加热至400~1300摄氏度X围内的一种方法。优点：减小热预算。硅中杂质运动最小。减小玷污,这归功于冷壁加热。由于较小的腔体体积,可以达到清洁的气氛。更短的加工时间。加大热梯度。38DescribehowanRTPheatsawafer.IsanRTPtypicallyahotwallorcoldwallheatingsystem描述RTP如何对单个硅片加热,RTP是热壁系统还是冷壁系统答：是冷壁系统第十一章Listanddescribethethreestagesofthinfilmgrowth.列举并描述薄膜生长的三个阶段答：第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成,这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来,形成附着在硅片表面的分离的小膜层的时候。晶核直接形成于硅片表面,是薄膜进一步生长的基础；第二步是聚集成束,也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。岛束不断生长,直到第三步即形成连续的膜,这些岛束汇聚合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。40、Listthefivemajortechniquesfordeposition.列出沉积的5种主要技术答：化学气相淀积〔cvd〕电镀物理气相淀积〔pvd或溅射〕蒸发旋涂方法41、ExplainAPCVD.WhatistheprincipaldisadvantagewithAPCVDSi02,usingsilaneasasource?解释APCVD,使用APCVDSiO2的主要问题是什么,是用硅烷作为反应源吗答：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质〔ILD〕,保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源42、WhatCVDtoolisusedtodepositthepolysilicongatematerial?Listsixreasonswhypolysiliconisusedasagateelectrode沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因答：采用LPCVD工具；1.通过掺杂可得到特定的电阻；2.和二氧化硅优良的界面特性；3和后续高温工艺的兼容性；4.比金属电极更高的可靠性；5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；6。实现栅的自对准工艺。StatesixadvantagestousingplasmaduringCVD.CVD过程中采用等离子体的优点有哪些答：1.更高的工艺温度〔250-450℃〕；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力<用高密度等离子体>；3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；4.高的淀积速率；5.少的针孔和空洞,因而有高的膜密度；6.工艺温度低因而应用广泛。44、ExplainwhatHDPCVDis.WhatareitsmainbenefitsinadvancedICs?解释HDPCVD,它在IC中有什么优势答：高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力,并可以在300-400℃较低的淀积温度下,制备出能够填充高深宽比间隙的膜。45、DescribetheeffectwaferbiasinghasonHDPCVDdirectionality.描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响答：使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙46.ExplainsimultaneousdepositionandetchingforHDPCVD.Whatisthevalueforthetypicaldep-etchratio?解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么答：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。3:147、WhatareLOCOSandSTI〔写中英文全称〕?WhyhasSTIreplacedLOCOSforadvancedICs?ListtheprocessingstepsforSTI.什么是LOCOS和STI〔写中英文全称〕,为什么在高级IC中STI取代了LOCOS,列举STI的工艺步骤答：LOCOS:硅的局部氧化隔离localoxidationofsiliconSTI：浅槽隔离shallowtrenchisolation原因：1.更有效的器件隔离的需要,尤其是对DRAM器件而言对晶体管隔离而言,表面积显著减小。超强的闩锁保护能力。对沟道没有侵蚀。与CMP的兼容步骤：阻挡层和线性氧化层第十三章Describethedifferencebetweenareticleandaphotomask.描述投影掩膜版和光掩膜版的区别答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯,也可能是几个光掩膜版通常称为掩膜版,包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。Explainthedifferencebetweennegativeandpositivelithography.解释负性和正性光刻的区别答：负性光刻把掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上。主要区别是所用光刻胶的种类不同Describeaclear-fieldmaskandadark-fieldmask解释亮场掩膜版和暗场掩膜版答：如果一个掩膜版,其石英板上大部分被铬覆盖,它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英,而只有很细的铬图形。Listtheeightstepsofphotolithography,andgiveashortexplanationofeachstep.列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。答：1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。2旋转涂胶：完成底膜后,硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后,必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。5曝光后烘焙：对于深紫外〔duv〕光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解,将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙,提高光刻胶对硅片表面的粘附性。8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形,就要进行检查以确定光刻胶图形的质量Givetwopurposesofaphotoresistinwaferfabrication.给出硅片制造中光刻胶的两种目的答：1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。2.在后续工艺中保护下面的材料。Listanddescribethetwomajortypesofphotoresist.列出并描述两种主要的光刻胶答：负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上Whatistheresolutionlimitofnegativeresist?Whichresistisusedforsubmicronlithography?什么是负胶分辨率的限制,哪种胶应用在亚微米光刻胶中。答：由于显影时的变形和膨胀,负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。正性光刻胶55.Listanddescribethefourcomponentstoani-lineresist.列出并描述I线光刻胶的4种成分。答：1.树脂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质,用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂2.感光剂。是光刻胶材料中的光敏成分,它对光形成的辐射能会发生反应3.溶剂。使光刻胶保持液体状态,直到它被涂在硅片衬底上4.添加剂：是专用化学品,用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性Whataretwodisadvantagesofanegativephotoresist?负胶的两大缺点是什么。答：在显影时曝光区域由溶剂引起的泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联Whatdoesresistthicknessvarywith?光刻胶厚度随什么变化答：粘度越高转速越低,光刻胶就越厚Statethefourreasonsforsoftbake.陈述软烘的4个原因答：1.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除；2。增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好地粘附；3.缓和在旋转过程中光刻胶胶膜内产生的应力。4.防止光刻胶粘在设备上第十四章Describetherelationshipbetweenlightexposurewavelengthandimageresolution.描述曝光波长和图像分辨率的关系答：较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率ListanddescribethetwoUVexposuresourcesusedinopticallithography.列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源答：汞灯和准分子激光Whathappenstoresistsidewallsifthereisexcessiveresistlightabsorbance?如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样答：如果光刻胶的吸收过多,光刻胶底部接收的光强度就会比顶部的少很多,会导致图形侧墙倾斜。Whatexcimerlaserisusedasa248nmlightsource?Asa193nmlightsource?哪种激光器用做248nm的光源,193nm的光源是什么答：通常用于深紫外光刻胶的准分子激光器是波长为248nm氟化氪〔KrF〕激光器,193nm的氟化氪激光器大概是作为曝光源的准分子激光器WhatisatypicaldoseexposurelatitudeforaDUVresist?典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少答：深紫外光刻胶的曝光宽容度是剂量变化X围在1%左右WhatlensmaterialisusedattheDUVexposurewavelength?DUV波长曝光时使用哪种透镜材料答：一种合适的透镜材料是熔融石英,他是深紫外波长X围内的较少的光吸收,氟化钙正在作为一种可能的候选透镜材料Explainhowlenscompactionoccursandwhatproblemitcreates.解释透镜压缩是怎么发生的,它产生了什么问题答：透镜压缩是透镜材料结构上的重新排列导致透镜材料增密,压缩发生在透镜材料中,包括熔融石英它可以增加激光束穿过区域的透镜材料的折射率,这将导致图像质量的损失Whatisnumericalaperture<NA>?Stateitsformula,includingtheapproximateformula.什么是数值孔径〔NA〕,陈述它的公式,包括近似公式答：透镜收集衍射光的能力被称做透镜的数值孔径,NA=<n>t透镜的半径除以透镜的焦长Statetheformulaforresolution.Whatthreelithographyparametersaffectresolution?陈述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数答：R=K*入/NA1,波长入2,数值孔径NA3,工艺因子KListandexplainthetwoprimaryproblemsoflightreflectionfromthewafersurface.列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题答：两种主要的光反射问题是反射切口和反射驻波,在刻蚀形成的垂直侧墙表面,反射光到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口,光刻中一个光波反射和干涉的例子是驻波现象驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率Whathappenstoresolutionifthelightwavelengthdecreases?IfNAgoesup?如果光波长减小分辨率会有什么变化,如果NA增加了呢答：光波长减小分辨率提高,]。如果NA增加分辨率提高CalculatetheresolutionofascannerifX=248nm,NA=0.65,andk=0.6.计算扫描光刻机的分辨率,假设波长是248nm,NA=0.65,K是0.6答：0.6*248/0.65=228.9R=K*入/ＮＡWritetheequationtocalculateDOF.写出计算焦深的公试答：DOF=入/〔2*NA〕²Whathappenstodepthoffocusasresolutioninreases?当分辨率增加时焦深会发生什么变化答：焦深减小72、Whatmaterialisusedtomakeareticle?Whatopaquematerialispatternedonareticle?使用什么材料制作投影掩膜板,投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么答：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬第十五章74、Explainresistselectivityandwhetheritshouldbehighorlow.解释光刻胶选择比,要求的比例是高还是低答：显影也应具有选择性,高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。要求比例低75、Whyisapost-developinspectionperformed?为什么要进行显影后检查答：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷,鉴别并除去有缺陷的硅片,用来检查光刻工艺的好坏,为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息７６光学光刻技术的改进有哪些方面？答：1.减小紫外线光源波长；2.提高光学光刻工具的数值孔径；3.化学放大深紫外光刻胶；4.分辨率提高技术；5.硅片平坦化；6.光学光刻设备的先进性。77、Listfouralternativelithographymethodsunderevaluationfornext-generationlithography.列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术答：1.极紫外光刻技术〔EUV〕2.离子束投影光刻技术〔IPL〕3.角度限制投影电子束光刻技术〔SCALPEL〕4.X射线光刻技术第十六章78、Whatisthegoalofetching?刻蚀的目的是什么答：目的是为涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形Listthethreemajormaterialcategoriesfordryetch.列出按材料分类的三种主要干法刻蚀答：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀Describeisotropicandanisotropicetchprofilesandwhatarethedesirableandundesirableaspectsofeachprofile.描述各同向性和各向异性刻蚀剖面,以与在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的答：各向同性的刻蚀剖面在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀,这将带来不希望的线宽损失。各向异性的刻蚀剖面即刻蚀只在垂直于硅片表面的方向进行,只有很少的横向刻蚀。希望剖蚀面是各向异性的。Isadryetchprofileisotropic,anisotropicorboth?Whataboutawetetchprofile?干法刻蚀的剖面是各同向性,各向异性的还是两者都有,湿法腐蚀的剖面是怎样的答：两者都有。详情请见表16.1Doesdryetchinghavegoodorpoorselectivity?干法刻蚀有高的或低的选择比答：干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比83、Listtheadvantagesofdryetchoverwetetch.Whatarethedisadvantagesofdryetch?列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点,干法刻蚀的不足之处是什么答：优点：1.刻蚀剖面是各向异性,具有非常好的侧壁剖面控制2.好的CD控制。3.最小的光刻胶脱落或粘附问题4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性5.较低的化学制品使用和处理费用。缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备84、一个成功的干法刻蚀要求是哪些方面？Listsixrequirementsforsuccessfuldryetch.列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法答：1.对不需要刻蚀的材料的高选择比获得可接受的产能的刻蚀速率好的侧壁剖面控制好的片内均匀性低的器件损伤6.宽的工艺制造窗口85、Whatgaschemistriesareusedforsilicondioxide,aluminum,siliconandphotoresist?二氧化硅,铝,硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀答：刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3.刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.86、Describethetungstenetchbackprocess.描述平板反应器答：首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口,然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W,最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨覆盖层,制作出填满钨的通孔。Whatgaschemistriesareusuallyusedforetchingpolysiliconandwhyhasthesechemistriesreplacedfluorinechemistries?哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅,为什么这种化学气体替代了氟基化学气体答：氯气、溴气、氯/溴气原因：因为氟基气体的刻蚀是各向同性的并且对光刻胶的选择比一般,为了避免击掉下一层的氧化物材料,所以选用轰击离子能量更低的化学气体。88.Givethreerequirementsforpolysilicongateetch.列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤答：1.对下层栅氧化层具有高的选择比非常好的均匀性和可重复性。高度的各向异性第十七章列举用于硅片制造的5种常用掺杂。答：离子注入,热扩散,硅浆料,丝网印刷,激光离子注入通常在什么工艺之后？答：光刻。91、列举离子注人优于扩散的7点