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文档简介
集成电路设计与EDA应用实验三实验目的熟悉集成电路设计软件cadence熟悉运用cadence对版图绘制实验原理Cadence软件是集成电路设计中非常常用的一款软件。从电路绘制,电路仿真,版图绘制到完整的芯片设计,此款软件都可以实现。在本实验中,我们将以传输管构成的反相器为例,熟悉cadence设计的框架,并熟悉如何完成一个完成的芯片设计过程。实验示例建立版图。在实验一中,已经建立反相器的电路schematic和符号symbol。现在要建立版图layout。现在用同样的方法,在mylib下,使用LibraryManager,建立layout。CellName还是为反相器“INV”。此时,Tools要选择“Virtuoso”。建立之后,出现layout的空白窗口,同时出现显示层名字的LSW(layerselectionwindow)。正确打开的话可以通过CIW查看信息。LSW的使用LSW窗口是所有层的集合。它会显示你所选择的层。比如比选择了画栅极所用的Poly,那么“Poly(drw)”就会框起来。画版图时,需要严格遵守DesignRules的规定。比如层与层之间的最小间距等等。DRC可以帮助你检查是否符合designrules的规定。绘制版图Virtuosolayout“1830an18ba”中已经提供NMOS和PMOS的版图,可以直接添加。点击版图窗口左边的插入图标(instance),或者直接按快捷键“I”插入。在出现的createinstance窗口中,通过browse插入NMOS器件,view为layout。成功插入NMOS的版图之后,就看到了版图。若看到的是版图名字,则为上一个等级(hierarchy)。若想看到下一个等级的,需要按“shift+F”。如果回到上一个等级的,需要按“ctrl+F”。点击NMOS的版图,然后点击左边的properties图标,或者按“Q”快捷键,编辑版图的性能。。根据实验一中的电路图,length=0.5u,fingerwidth=2.24u。将body的位置由左边选择为下边“bottomTap”。正确操作之后就可以看到左边的图像同样的方法,添加PMOS,根据实验三中的电路图,length=0.5u,fingerwidth=4.05u将body的位置由左边选择为上边“topTap”。移动PMOS和NMOS,摆放在合适的位置。上下栅极对齐,方便连接。连接栅极。反相器中,PMOS和NMOS的栅极连接相同的输入A。因此可以画出一块代表栅极的“PLLY”将栅极连接。点击LSW中的“POLY(dg)”选中栅极所代表的层,然后点击layout窗口左边的rectangle的图标,或者点击createRectangle,或者快捷键“R”,将PMOS的栅极和NMOS的栅极相连。连接漏极。PMOS和NMOS的漏极相连作为输出Z。因此可以画一块金属将漏极相连。点击LSW中的“MET1(dg)”选中金属1所需要的层,然后点击“Rectangle”,将PMOS的漏极和NMOS的漏极用metal1相连。连接基极。PMOS的基极和源极相连,最终连接VP。NMOS的基极和源极相连,最终连接VN。同样的方式,用mental1将源极S和基极B相连。注意:移动(move):点中所要移动的版图,然后点击版图窗口左边的move,也可以按“M”快捷键移动。就可以移动。为了安全,移动只能上下移动,或者左右移动,但是不能任一角度移动。放大缩小(zoomin/zoomoout):版图窗口左边的“放大”,“缩小”可以改变整个版图的区域。或按“ctrl+Z”放大,“shift+Z”缩小。若只想放大某一个区域的大小,可以右键鼠标,无需松开,直接选中想改变的区域,即可放大。伸缩(strench):如果画好的层大小不是自己需要的,可以通过strench修改每一条边达到需要的大小。添加contact。Poly连接好之后需要加入contact作为输入A的连接点。点击插入从“1830an18ba”中找到“M1_POLYc”,就是metal1和poly之间的contact。有metal1,poly和contact三者构成。然后插入版图中合适的位置。M1_POLYc应该紧贴着栅极poly添加VIA。输出端Z是用metal1连接而成。为了使得Z方便连接,需要加入一个VIA与metal2连接。点击插入从“1830an18ba”中找到“M2_M1c”,就是metal1和metal2之间的VIA。有metal1,metal2和VIA1三者构成。然后插入版图中合适的位置。M2_M1c应该放在连接漏极的metal1上。添加Pins。电路图中的4个pin需要在版图中也添加在相应的位置。在LSW中点击“MET1(tt)”,可以对金属1进行标记。之后点击左边的“label”图标或者“P”快捷键,添加A,Z,VP,VN在相应的位置。A:输入栅极;Z:输出漏极;VP:PMOS基极;VN:NMOS基极。注意:MET1(tt)是金属1的标识层,一定要放在金属1所在的位置,否则软件无法辨识。版图画完之后,点击保存。则最终得到与电路图对应的版图。
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