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文档简介

GaN芯片工艺流程

生产二部2024/1/261精选课件GaNITO芯片前道流程

晶片投入&激光刻号ITO蒸镀前清洗ITO蒸镀P-Mesa光罩作业ITO蚀刻P-Mesa干蚀刻干蚀刻后光阻去除ITO熔合CVDPad光罩作业Metal蒸镀前蚀刻Metal蒸镀金属剥离温筛ITO光罩作业ITO蚀刻2024/1/262精选课件外延片ITO光刻胶ICPEtchingITO蚀刻光刻胶ITO蚀刻ITO熔合SiO2光刻胶Metal蒸镀P电极N电极GaN芯片前道流程演示图2024/1/263精选课件GaNITO芯片后道流程前道测试抽测判定（A/B/C)研磨（衬底减薄）划裂测试mapping分选目检正检打标签分类入库2024/1/264精选课件GaN芯片后道流程演示图2024/1/265精选课件GaN产品分类GaN蓝光Blue绿光Green一、按颜色分二、按尺寸分10B10F12C13A13K14A16B20A24A40A……2024/1/266精选课件S-10BB**8mil10milGaN芯片图形2024/1/267精选课件GaNLED分选片命名规则2024/1/268精选课件GaN规格的定义表示WLD（波长）的起始主波长表示WLD（波长）的跨度表示IV（光强）的跨度表示VF(电压)的跨度ABCD1EF…23456…波长跨度代码对照表光强代码对照表B20-30C30-40D40-50E50-70F70-100GH100-130130-160IJ160-200200-240K240-300L300-360E150-60E260-70F170-80F280-100462CEX规格正向电压的范围X：3.0-3.4Y：3.2-3.62024/1/269精选课件GaNLED大圆片命名规则

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