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文档简介
第八章
波谱分析法8.2.1基本原理8.2.2核磁共振与化学位移8.2.3自旋偶合与自旋裂分8.2.4谱图解析与化合物结构确定第二节
核磁共振波谱法8.2.1核磁共振波谱分析基本原理
若原子核存在自旋,产生核磁矩:自旋角动量:I:自旋量子数;h:普朗克常数;核磁子
=eh/2Mc;自旋量子数(I)不为零的核都具有磁矩,原子的自旋情况可以用(I)表征:质量数原子序数 自旋量子数I
偶数 偶数0 偶数 奇数1,2,3…. 奇数奇数或偶数1/2;3/2;5/2….
核磁矩:一、原子核的自旋讨论:(1)
I=0的原子核O(16);C(12);S(22)等,无自旋,没有磁矩,不产生共振吸收。(2)I=1或I>0的原子核
I=1:2H,14N
I=3/2:11B,35Cl,79Br,81Br
I=5/2:17O,127I这类原子核的核电荷分布可看作一个椭圆体,电荷分布不均匀,共振吸收复杂,研究应用较少;(3)I=1/2的原子核1H,13C,19F,31P
原子核可看作核电荷均匀分布的球体,并象陀螺一样自旋,有磁矩产生,是核磁共振研究的主要对象,C,H也是有机化合物的主要组成元素。二、核磁共振现象
自旋量子数I=1/2的原子核(氢核),可当作电荷均匀分布的球体,绕自旋轴转动时,产生磁场,类似一个小磁铁。当置于外加磁场H0中时,相对于外磁场,可以有(2I+1)种取向:氢核(I=1/2),两种取向(两个能级):(1)与外磁场平行,能量低,磁量子数m=+1/2。(2)与外磁场相反,能量高,磁量子数m=-1/2。
两种取向不完全与外磁场平行,
=54°24’和125°36’相互作用,产生进动(拉莫进动)进动频率
0;角速度
0;
0=2
0=
B0
磁旋比;B0外磁场强度;两种进动取向不同的氢核之间的能级差:E=
B0(
磁矩)三、核磁共振条件
在外磁场中,原子核能级产生裂分,由低能级向高能级跃迁,需要吸收能量。能级量子化。射频振荡线圈产生电磁波。对于氢核,能级差:
E=
B0
(
磁矩);产生共振需吸收的能量:
E=
B0=h
0
;由拉莫进动方程:
0=2
0=
B0
;共振条件:
0=
B0/(2)。共振条件:(1)核有自旋(磁性核);(2)外磁场,能级裂分;(3)照射频率与外磁场的比值
0/B0=
/(2)。讨论:共振条件:
0=
B0/(2)(1)对于同一种核,磁旋比
为定值,B0变,射频频率
变。(2)不同原子核,磁旋比
不同,产生共振的条件不同,需要的磁场强度B0和射频频率
不同。(3)固定B0,改变
(扫频),不同原子核在不同频率处发生共振(图)。也可固定
,改变B0(扫场)。扫场方式应用较多。氢核(1H):1.409T共振频率60MHz2.305T共振频率100MHz磁场强度H0的单位:1高斯(GS)=10-4T(特拉斯)讨论:在1950年,Proctor等人研究发现:质子的共振频率与其结构(化学环境)有关。在高分辨率下,吸收峰产生化学位移和裂分,如右图所示。由有机化合物的核磁共振图,可获得质子所处化学环境的信息,进一步确定化合物结构。四、核磁共振波谱仪1.永久磁铁:提供外磁场,要求稳定性好,均匀,不均匀性小于六千万分之一。扫场线圈。2.射频振荡器:线圈垂直于外磁场,发射一定频率的电磁辐射信号。60MHz或100MHz。3.射频信号接受器(检测器):当质子的进动频率与辐射频率相匹配时,发生能级跃迁,吸收能量,在感应线圈中产生毫伏级信号。4.样品管:外径5mm的玻璃管,测量过程中旋转,磁场作用均匀。核磁共振波谱仪8.2.2核磁共振与化学位移
理想化的、裸露的氢核;满足共振条件:
0=
B0/(2
)
产生单一的吸收峰;实际上,氢核受周围不断运动着的电子影响。在外磁场作用下,运动着的电子产生相对于外磁场方向的感应磁场,起到屏蔽作用,使氢核实际受到的外磁场作用减小:
B=(1-
)B0
:屏蔽常数。
越大,屏蔽效应越大。
0=[
/(2)](1-
)B0由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。一、核磁共振与化学位移化学位移:
0=[
/(2)](1-
)B0由于屏蔽作用的存在,氢核产生共振需要更大的外磁场强度(相对于裸露的氢核),来抵消屏蔽影响。
在有机化合物中,各种氢核周围的电子云密度不同(结构中不同位置)共振频率有差异,即引起共振吸收峰的位移,这种现象称为化学位移。化学位移的表示方法1.位移的标准没有完全裸露的氢核,没有绝对的标准。相对标准:四甲基硅烷Si(CH3)4(TMS)(内标)
位移常数
TMS=02.为什么用TMS作为基准?(1)12个氢处于完全相同的化学环境,只产生一个尖峰;(2)屏蔽强烈,位移最大。与其他质子峰不重迭;(3)化学惰性;易溶于有机溶剂;沸点低,易回收。位移的表示方法
与裸露的氢核相比,TMS的化学位移最大,但规定
TMS=0,其他种类氢核的位移为负值,负号不加。
=[(样-TMS)/
TMS]106(ppm)
小,屏蔽强,共振需要的磁场强度大,在高场出现,图右侧;
大,屏蔽弱,共振需要的磁场强度小,在低场出现,图左侧;常见结构单元化学位移范围二、影响化学位移的因素电负性与质子相连元素的电负性越强,吸电子作用越强,价电子偏离质子,屏蔽作用减弱,信号峰在低场出现。-CH3,
=1.6~2.0,高场;-CH2I,
=3.0~3.5,-O-H,-C-H,
大
小低场高场影响化学位移的因素2
价电子产生诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。影响化学位移的因素3
价电子产生诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。影响化学位移的因素4
苯环上的6个
电子产生较强的诱导磁场,质子位于其磁力线上,与外磁场方向一致,去屏蔽。8.2.3自旋偶合与自旋裂分
每类氢核不总表现为单峰,有时多重峰。
原因:相邻两个氢核之间的自旋偶合(自旋干扰)。一、自旋偶合与自旋裂分1.峰的裂分峰的裂分原因:自旋-自旋偶合相邻两个氢核之间的自旋偶合(自旋干扰);多重峰的峰间距:偶合常数(J),用来衡量偶合作用的大小。2.自旋偶合二、峰裂分数与峰面积
峰裂分数:n+1规律;相邻碳原子上的质子数;系数符合二项式的展开式系数。
1.峰裂分数峰裂分数2.峰面积
峰面积与同类质子数成正比,仅能确定各类质子之间的相对比例。峰面积由谱图上的积分线给出。化合物C10H12O25223
8.2.4谱图解析与结构确定(1)峰的数目:标志分子中磁不等性质子的种类,多少种;(2)峰的强度(面积):每类质子的数目(相对),多少个;(3)峰的位移(
):每类质子所处的化学环境,位置;(4)峰的裂分数:相邻碳原子上质子数;(5)偶合常数(J):确定化合物构型。不足之处:仅能确定质子(氢谱)。
一、谱图中提供的化合物结构信息二、谱图解析6个质子处于完全相同的化学环境,单峰。没有直接与吸电子基团(或元素)相连,在高场出现。1.谱图解析谱图解析(2)质子a与质子b所处的化学环境不同,两个单峰。单峰:没有相邻碳原子(或相邻碳原子无质子)质子b直接与吸电子元素相连,产生去屏蔽效应,峰在低场(相对与质子a)出现。质子a也受其影响,峰也向低场位移。谱图解析(3)裂分与位移谱图解析(4)苯环上的质子在低场出现。为什么?为什么1H比6H的化学位移大?对比2.谱图解析与结构确定5223化合物C10H12O2876543210谱图解析与结构确定(1)正确结构:u=1+10+1/2(-12)=5δ2.1单峰三个氢,—CH3峰结构中有氧原子,可能具有:δ7.3芳环上氢,单峰烷基单取代δ3.0δ4.30δ2.1
δ3.0和δ4.30三重峰和三重峰
O—CH2CH2—相互偶合峰
谱图解析与结构确定(2)9δ5.30δ3.38δ1.37C7H16O3,推断其结构61结构确定(2)C7H16O3,u=1+7+1/2(-16)=0a.δ3.38和δ1.37四重峰和三重峰
—CH2CH3相互偶合峰
b.δ3.38含有—O—CH2结构结构中有三个氧原子,可能具有(—O—CH2)3c.δ5.3CH上氢吸收峰,低场与电负性基团相连。正确结构:谱图解析与结构确定(3)
化合物C10H12O2,推断结构δ7.3δ5.21δ1.2δ2.35H2H2H3H结构确定(3)化合物C10H12O2,u=1+10+1/2(-12)=51)δ2.32和δ1.2—CH2CH3相互偶合峰2)δ7.3芳环上氢,单峰烷基单取代3)δ5.21—CH2上氢,低场与电负性基团相连哪个正确?正确:B为什么?谱图解析与结构确定(4)化合物C8H8O2,推断其结构987654310结构确定(4)化合物C8H8O2,u=1+8+1/2(-8)=5δ
7~8:芳环上氢,四个峰对位取代δ9.87:醛基上上氢,低场正确结构:
δ3.87:CH3峰,向低场位移,与电负性基团相连三、联合谱图解析(1)C6H12O
1700cm-1,C=0,
醛,酮<3000cm-1,-C-H
饱和烃两种质子1︰3或3︰
9-CH3︰
-C(CH3)3无裂分,无相邻质子谱图解析(2)C8H14O4
1700cm-1,C=0,
醛,酮,排除羧酸,醇,酚<3000cm-1,-C-H
饱和烃,无芳环(1)三种质子4︰
4︰
6(2)裂分,有相邻质子;(3)
=1.3(6H)两个CH3裂分为3,相邻C有2H;CH3-CH2-(4)
=2.5(4H),单峰,
CO-CH2CH2-CO-(5)
=4.1(4H)低场(吸电子),两个-O-CH2-
内容选择:结束8.1红外吸收光谱法
8.2核磁共振波谱法
8.3质谱法卖油翁下课了,回顾学习一个小故事吧!学习目标1、复述故事,深入理解文章内容,初步把握人物形象。2、学会利用文中关键词句分析人物形象。3、体会文章所揭示的深刻道理。故事发生的时间、地点、人
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