椭偏仪指导书

椭偏仪操作指导书目的使用椭偏仪测量经PECVD镀膜后的SiN膜的厚度(d)和折射率(n)。适用范围适用于CENTECH公司的SE400advanced型号的椭偏仪。三•设备主要性能及相关参数3.1设备型号：SE400advanced3.2设备构成：A光学系统部分：由支架、定位显微镜、线偏振光发射器(包括632.8nm激光源)、椭圆偏振光接受和分析器组成。此部分完成整个光学部分的测试。BPC机部分。此部分完成数据的分析和输出。四•运行前的检查主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。五.设备操作启动软件将椭偏仪控制器和PC的电源打开，为了仪器快速可用和延长激光器寿命，推荐将椭偏仪控制器连续运转。SE400advanced程序通常被安装在文件夹：C:\programfiles\SE400Adv\ApplicationFrame\SiAFrame.exe.使用资源管理器或者直接双击桌面的SE400advanced图标，启动软件。

Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-1:SE400advanced图标软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面。Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-2:SE400advaneed用户认证通过菜单"Login"，能够添加、更改或删除用户和用户权限。用户主窗口ReadyFig.错误!文档中没有指定样式的文字。-3:SE400advanced主窗口最后一次使用的模式会被自动加载。通过菜单，工具栏或模式列表，能够选择另外的模式。在软件界面的右下角，一个图标（2）用来显示椭偏仪控制器的连接状态，它通常显示为绿色。如果显示不为绿色，请检查椭偏仪和控制器之间的网络连接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。样品测试1） 在recipe下拉菜单中选择08Si3N4onsilicon100nm.2） 将样品平放于测试台，并定位3）通过按 4心 来开始测量，测量完成后，结果被显示在主结果区（3）和protocol区（4）。测量选项在"Measurementoptions"页面中，能够按照测量的数值计算方法、数值极限和结果报告,对一些设定进行更改。此外，设定入射角度和对多角度测量所使用角度的选择，也能够在这里进行。Fig.错误文档中没有指定样式的文字。-4:模式选项（测量）

测量任务Psi,Delta椭偏角度的测量。Substratens，ks使用freesurface.模型时，基底的复折射率。Thickness使用单层透明膜模型，并指定膜层折射率和基底折射率时，膜层的厚度；开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。Thickness+n使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率（基底的复折射率作为固定值）。开始膜厚由用户给出或由CER测量给出。Thickness+n+absorption多角度测量情况下，膜层的厚度、折射率和吸收系数，使用“Thickness+n”模型，椭偏仪需要用多角度测量。Twolayers多角度测量情况下，双层膜的厚度。5.模型选项页面"Mode1"包含了所有对测量进行分析的参数。软件所使用的默认模型为在吸收基底上的三层吸收膜。模型的参数能够被直接输入在相应的区域，另一种方法是使用SENTECH材料库，可通过膜层名字右边的按钮使用材料库。Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-5:模式选项（模型）■Materialtfatalb^c口问凶HantsPt(PlaUnuml-Palt.fth(Rhcdtum]Ru(Rutherii-m)5F11侍击 )NFig.错误!文档中没有指定样式的文字。-5:模式选项（模型）■Materialtfatalb^c口问凶HantsPt(PlaUnuml-Palt.fth(Rhcdtum]Ru(Rutherii-m)5F11侍击 )NK AuthorZ.3Z744.14KS2.1+5(15.606^3.7fi7ti4.60^9L.7787O.QO[«：iHandt«joktf□閃由GarEtanterfaokfe.Editedb$|zE.D.PahL(XcademicPresEj19B5.pjbkdataHnnctiMkofOptedCmstantsofSilds,D.A^irK5Schotttechric^仃血3.8714a.QLE®JeOscndateG.EJejfcspnjr.SI(Skon(ILf|)SI^SkonlSi(Sicon)-Hdoped5i(Skcnj-parcius5ll3GeB9(51icorigermi=rikjm'[5lZDGeECi(SiicorigermEnLim)5EfiGe?2(Skorige^msnpjmJ创那I(Sllconritrld^)5L3Tiq(5ltnnrttrtl6)jSiESGecS(Skorigcrrnsnpjm)5i85Get5(^IectigB-maniumj5IS6GeEE(5korigwmarikjm：2日輛…QU丄驰…」H剧onttedGE.JBh页J.r...3.afi573.37143磁*L.96425.0358Q6O口1口-a..O.QLS0.DL5S0.0279a.aasfl0.3373阴皿0.1745a.aamn.aoroij.o+ejjQ.aLBfl0.0LS9JdkondMa应巳】日也an』.JeOscndataGE」日冶onJr・D.AsprwsCTJE7Median『rfeiMurefnentJelkcndetaG.EJ^isDn.Jr.Jelhcridiatm心EJ日詁on』，JdismdataG.EJdhonjfHandbookofOptliNCorstants.of勺oldsEdtedbyE.D.Paik?AcaderriiLPress,L^SS.Handt«joktf。閃咱Ganstartsrf5ofii±iEditedbyE.D.Paik,todarrt匸Pre镐L9S5.JriSscndataG.EJcJhmJf,JdlsondeiA'S-EJdlim^Jr.JelkuridataG.EJ^kDn.Jr.Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-6:SE400advaneed材料库模型参数的描述在下表给出：Ns基底折射率Ks基底吸收系数Na周围环境的折射率（空气:n=1）Ka周围环境的吸收系数（空气:k=0）Phi入射角（垂直时入射角=0°）La激光波长（nm）Nu上层膜的折射率Ku上层膜的吸收系数（通常为负）Du上层膜的厚度Nm中间层膜的折射率Km中间层膜的吸收系数Dm中间层膜的厚度Nl底层膜的折射率Kl底层膜的吸收系数Dl底层膜的厚度Tab.错误!文档中没有指定样式的文字。-1:三层膜模型的参数总结6.退出软件点击右上角的按钮，关闭SENTECH软件界面，就可以退出SE400advanced程序。六.注意事项被测片放于测试台，测试时注意片子不要移动，以使测试准确。测试时若参数有较大偏差（n约为2.05-2.11,d约为84-92nm）,应先考虑PECVD工艺问题，再考虑椭偏仪本身是否测试准确。测试时其Degreeofpolarization（偏振度）应大于0.996。定期检查光路准确情况：1） 首先在70度位置测量SiO2标准片，看是