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文档简介

第七章

机械量丈量机械量丈量机械量丈量主要包括位移〔线位移及角位移〕丈量速度〔转速〕及加速度丈量、机械振动丈量、力和力矩的丈量。有关力的丈量内容已作了引见。位移丈量〔电涡流〕1转速丈量〔霍尔方式〕2主要内容位移丈量〔电涡流〕1转速丈量〔霍尔方式〕2主要内容1.1概述线位移量为质点在直线方向位置的变化量,而角位移量那么是角度方向位置的变化量。位移的丈量是经过位移传感器将被测位移量的变化转换成电量。目前丈量位移的传感器种类繁多,有接触式或非接触式两大类。丈量方法多样,如电感、变压器、电涡流、电容、电位器等。1.1概述常用线位移传感器变阻式:滑线、变阻器电阻应变式:电感式:差动变压器、螺管式、电涡流式电容式:变面积、变间隙霍尔元件感应同步器长光栅长磁栅1.1概述常用角位移传感器滑线变阻式,变阻器,应变计式差动变压器式自整角机,旋转变压器,微动同步器电容式,圆感应同步器圆光栅,圆磁栅角度编码器:接触式、光电式1.2电涡流传感器电涡流电涡流耗费一部分能量,在交流电气设备中是一种有害的景象。工程中电涡流的热效运用作高频加热器。电涡流产生的磁场线圈阻抗变化效应,用作厚度和位移的检测元件。电涡流式传感器是利用涡流效应,将非电量转换为阻抗变化而进展丈量的。电涡流作用原理电涡流例子如图,一个扁平线圈置于金属导体附近,当线圈中通以正弦交变电流时,线圈周围就产生一个正弦交变磁场。置于该磁场中的金属导体内就产生电涡流。后者将产生一个与原磁场方向相反的新磁场,抵消部分原磁场,使通电线圈的有效阻抗发生变化。电涡流作用原理阻抗发生变化的原理假设把被测金属导体笼统地看作一个短道路圈,那么电涡流的相互作用可以用变压器等效电路来表示。可列出电路方程组为电涡流作用的等效电路阻抗发生变化的原理原边线圈的等效电阻为线圈的等效电感为被测位移变化,引起互感系数变化、线圈阻抗Z变化,也引起线圈电感L和质量要素Q变化。涡流传感器的转换电路可以选用Z、L、Q中的任一参数并将其转换为电量进展丈量。涡流检测的开展史1824年加贝发现了铜板对摆动着的磁铁有阻尼景象,提出了涡流存在的实验。几年以后发现在非均匀强磁场中运动的铜盘中有电流存在。1831年法拉弟发现了电磁感应景象,并在实验的根底上提出了电磁感应定律。1861年麦克斯韦将法拉弟的概念用完好的数学方程式表示出来,建立了系统严密的电磁场实际。1873年提出了位移电流:变化的电场激发涡旋磁场。涡流检测的开展史涡流检测的开展史1879年休斯首先将涡流检测运用于实践——判别不同的金属和合金。1926年涡流测厚仪问世1831年德国的福斯特博士在实际和实际上完善涡流检测技术一百多年里,电磁实际及其实验不断完善,电子元器件不断更新换代,大大推进了涡流检测技术的开展。涡流检测的开展史福斯特在根底实验和实际推导的根底上发表了大量有关涡流检测的论文,并兴办了福斯特研讨所。-----早在50年代。他的涡流检测技术与设备推进了全世界涡流检测技术的开展。美国、前苏联、法国、英国、日本也先后做了大量的开发性任务,发表了大量论文,并都能消费高程度的涡流检测设备。涡流检测的开展史我国开展涡流检测的研讨任务始于60年代、并先后研制胜利了一系列检测系统。在我国的航空航天、冶金、机械、电力、化工、核能等领域中正在发扬着愈来愈重要的作用。初期的YY-11型管材探伤仪后来YY-17、TC-2000、ED-251、NE-30如今用途极为广泛的EEC-96数字涡流检测设备。涡流阻抗检测法涡流检测的信号来自于线圈的阻抗或次级线圈的感应电压的变化。但由于影响阻抗和电压的要素很多。在开展过程中曾提出过多种消干扰的方法,但直到阻抗分析法的引进才使涡流检测技术由艰苦的突破。直到目前为止,阻抗检测法依然是涡流检测中运用最广的方法。高频反射式电涡流传感器的构造如下图,主要由一个安顿在框架上的扁平线圈构成。线圈外径大、线性范围就大,但灵敏度低;反之,线圈外径小,灵敏度高,但线性范围就小。为了小型化,也可在线圈内加磁心,提高线圈的质量因数值高频反射式的构造高频反射式电涡流传感器构造1-线圈2-框架3-框架衬套4-支座5-电缆6-插头高频反射式电涡流传感器是利用线圈与被测导体之间的电磁耦合进展任务的,因此被测导体资料的物理性质、尺寸与外形都关系到传感器的特性。普通来说,1.被测导体的电导率越高,灵敏度也越高;而磁导率对灵敏度的影响那么相反。2.被测体的大小也会影响到灵敏度,假设被测体为平面,在电涡流环的直径等于线圈直径处的电涡流密度最大;在电涡流直径为线圈直径的1.8倍处,电涡流密度已衰减为最大值的5%。为了充分利用电涡流效应,被测体环的半径不应小于线圈外半径的1.8倍。高频反射式德国米铱测试技术公司开发消费的multiNCDT100非接触电涡流位移传感器。适用于丈量铝资料〔非铁磁体被测体〕,或者钢ST37〔铁磁资料〕量程:0~0.5mm和0~15mm。其线性度小于±0.5%,动态分辨率为0.5μm,静态分辨率可达0.05μm,任务极限频率为10kHz〔-3dB〕高频反射式电涡流传感器低频透射式在上述高频反射式电涡流传感器中,为了使金属导体内电涡流所产生的磁场“反射〞效果好,必需提高鼓励电流的频率,减小贯穿深度。反之,假设将鼓励电流频率减低,涡流的贯穿深度将加深。采用低频鼓励的电涡流传感器有较大的贯穿深度,适宜于丈量金属资料的厚度。低频透射涡流测厚原理低频透射式在L1和L2间放置金属资料M后,L1产生的磁力线必然透过M,并在其中产生电涡流。涡流损耗了部分磁场能量,使到达L2的磁力线减少,引起e下降。M的厚度越大,涡流越大,涡流引起的损耗也越大,e就越小。由此,e的大小反映了资料厚度δ的变化。低频透射涡流测厚原理低频透射式输出电势E与厚度δ及贯穿深度t的关系为贯穿深度t与√〔ρ/f〕成正比,ρ为被测资料电阻率,f为励磁频率。资料固定,t与f相关。频率较低时,线性较好、丈量范围t较大,测厚板应选较低的频率频率较高时,线性差,测薄板应选较高的频率。除了测位移和厚度外的艰苦运用:涡流探伤DWS系列电涡流测功器利用励磁线圈的定子,与转子相对运动时,产生涡流。在电磁作用下,实现制动功能。此时,吸收功率发热,需求水内冷却热平衡。它适用于对发动机及各种动力机有效功率,转矩测定和性能实验,并可对齿轮箱、油泵、油嘴、调速器等内燃机附件作负荷下的磨损实验和性能测定实验。

当控制仪供应不断流电流于测功器制动器上的励磁线圈时,经过励磁体、涡流环、空气隙和感应子构成一闭合磁通回路感应子旋转时,该磁场也随之旋转,并且在涡流环上产生涡电流。涡流产生对转子制动的力矩,该力矩使测功器的外壳转动。测力机构部件主要有制动臂、活节螺栓、拉压力传感器等组成。测功器产生的制动力臂与制动臂上拉压力传感器的反向力矩相平衡,由显示仪器显示制动力矩的大小。DWS系列电涡流测功器DWS系列电涡流测功器该电流与产生它的磁场相互作用构成与原动机反向的制动力矩,使架于摆动轴承上的电枢体摆动,经过力臂将力矩传给拉压传感器一拉力,丈量出力矩大小。原动机的功率全部被测功器吸收转变为电涡流,并转化为热能,由冷却水带走。励磁加载,负荷呼应矫捷规范砝码,静态标定功率曲线优良电涡流测功器的根本任务原理是:位移丈量〔电涡流〕1转速丈量〔霍尔方式〕2主要内容2.1概述磁电式转子陀螺交流测速发电机、直流测速发电机离心式转速表、频闪式转速表光电式:反射式转速表、直射式转速表激光式:测频法转速仪、测周法转速仪霍尔元件—成熟的方式、现成的产品2.2光电式传感器光电传感器根据受光照或无光照的条件作出电信号“有〞、“无〞输出的反响,将被丈量转换成通与断的开关信号。右图电机的转轴上涂黑白两种颜色。轴每转一周,反射光投射到光电元件上的强弱发生一次改动,故光电元件可产生一脉冲信号。2.2光电式传感器当电机轴上固装一齿数为z的调制盘〔或电机轴上黑白相间涂色〕,频率计的计数频率为,那么有据上式,可测得转轴转速。假设齿数z为60,那么n=f,单位是(r/min)2.3霍尔元件1霍尔效应--霍尔效应于1879年德国人霍尔(Hall)发现2资料与根本参数3霍尔元件的特性4霍尔元件的运用技术5霍尔元件的运用电路2.3.1霍尔效应霍尔效应产生的缘由:洛伦兹力FL=evB的作用,使电子沿Z方向运动,并积累构成霍尔电场;霍尔电场又反过来妨碍电子的继续积累.当FE=eEH=-FLEH霍尔电场的电场强度此时到达了动态平衡,FL+FE=0,构成了稳定的霍尔电势:eEH=evBEH=vB霍尔效应原理2.3.1霍尔效应EH=vB在A与B两点间建立的电势差即霍尔电压,可以推算〔物理学公式〕2.3.2霍尔元件的资料和根本参数霍尔元件的输出与灵敏度KH有关,KH越大,VH越大。而霍尔灵敏度又取决于元件的资料性质RH和尺寸。霍尔系数 RH= 资料的电阻率和电子迁移率大,RH就大,输出的VH也就大。在选用霍尔元件的资料时,为提高霍尔灵敏度,1〕要求资料的RH尽能够地大,2〕厚度d小。厚度d越小,KH越大,VH也越大.通常霍尔元件的厚度都比较小,但d太小,会使元件的输入输出电阻增大.2.3.2霍尔元件的资料和根本参数霍尔元件常采用的半导体资料有N型锗(Ge)、锑化铟(InSb)、砷化铟InAs)、砷化镓(GaAs)、受磷砷化铟(InAsP)、N型硅(Si)等。锑化铟元件的输出较大,受温度的影响也较大〔-0.2%/℃〕铟和锗元件输出虽然不如锑化铟大,但温度系数小,线性度也好砷化镓元件的温度特性〔-0.06%/℃〕和输出线性好,但价钱贵。2.3.2霍尔元件的资料和根本参数霍尔元件a)外形b〕构造c〕符号d〕根本电路2.3.2霍尔元件的资料和根本参数霍尔元件的构造与其制造工艺有关。体形霍尔元件是将半导体单晶资料定向研磨抛光,然后用蒸发合金法或其他方法制造欧姆接触电极,最后焊上引线并封装.膜式霍尔元件是在一块极薄(0.2mm)的基片上用蒸发或外延的方法制成半导体薄膜,然后再制造欧姆接触电极,焊上引线,并加以封装.注:霍尔元件的几何尺寸及电极的位置和大小等均直接影响它输出的霍尔电势,制造时有很严厉的要求.2.3.2霍尔元件的资料和根本参数12345寄生电势输入、输出电阻灵敏度输出功率

温度系数霍尔元件的根本参数——输入、输出电阻,灵敏度,寄生电势,温度系数,输出功率。

2.3.2霍尔元件的资料和根本参数①输入电阻RIN和输出电阻ROUT RIN为控制电流极间电阻,单位为欧姆;

ROUT为输出霍尔电势极间电阻,单位为欧姆。②灵敏度:灵敏度包括霍尔灵敏度KH和磁灵敏度SB,其中,KH又称乘积灵敏度,它是指霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度作用下,输出极开路时的霍尔电压:VH=KHIHB由此式,可以测定KH的值。SB是指在额定控制电流和单位磁感应强度作用下,输出极开路时的霍尔电压:VH=SBB2.3.2霍尔元件的资料和根本参数③寄生电势Vo:指控制电流为交流,在不加磁场时,霍尔电势极间产生的直流电势。④温度系数:霍尔电势温度系数和内阻温度系数霍尔电势温度系数:在一定的磁感应强度和规定控制电流下,温度每变化1℃时,霍尔电压值变化的百分率;〔0.04%/℃〕内阻温度系数:温度每变化1℃时霍尔资料的变化率。〔0.5%/℃〕锑化铟元件HZ-1,2,3等型号,在80℃时温度系数由正变负。锑化铟元件控制电流采用恒压供应,霍尔元件的温度特性可以提高。对于正温度系数的元件,利用负载电阻Rfz,使Rfz/Rsc=/,,可以实现温度补偿2.3.3霍尔元件的特性VH–I特性R–B特性TitleAB不平衡电压D温度特性C〔磁阻效应--R随磁场B〕物理磁阻效应、几何磁阻效应VH=KHIHB输出特性:在控制电流一定的条件下,霍尔电压VH与磁感应强度B之间的关系2.3.3霍尔元件的特性〔1)霍尔元件的输出特性输出特性:在一定条件下〔控制电流一定〕,霍尔电压VH与磁感应强度B之间的关系。其输出特性曲线有两种:一种是在宽范围内呈线性特性,即A特性,磁通计中的传感器等主要运用这种特性。另一种是非线性特性,即B特性,在低磁场时有较高的输出灵敏度,用于无刷电机的磁极传感器。2.3.3霍尔元件的特性〔2〕霍尔元件的VH-I特性在磁场和环境温度恒定时,霍尔电势VH与控制电流I之间呈线性关系。直线的斜率称为控制电流灵敏度。〔3〕R-B特性R-B特性是指温度一定时元件的输入电阻RIN和输出电阻ROUT,随磁场B的变化。由于磁阻效应缘由,随磁场B的添加,RIN和ROUT将会添加。〔3〕R–B特性内阻与B的关系温度一定时,输入电阻、输出电阻都随了磁场B变化。缘由是:磁阻效应载流子在磁场作用下遭到洛伦兹力,挪动途径产生偏移,途径加长,受晶格震动和杂质原子散射概率增大,致使电阻发生变化。载流子的迁移率越大,电阻变化就越明显。2.3.3霍尔元件的特性4.温度特性霍尔元件与普通半导体器件一样,对温度非常敏感.迁移率和载流子浓度随温度明显变化,从而电阻率,霍尔系数,灵敏度系数均随温度变化详细表现为内阻与霍尔电势有明显的温度特性.温度系数与霍尔电压的变化的关系,选用时要引起充分的留意。2.3.3霍尔元件的特性各种资料内阻与温度关系该电桥的四个桥臂均为等值的锰铜电阻,根本不受温度变化影响,桥臂R3并联热敏电阻Rt。当温度变化时,Rt发生变化,补偿电桥的输出电压那么相应改动,使所得的霍尔电势与温度根本无关。温度补偿电桥温度补偿原理图霍尔元件的不平衡电压霍尔元件的不平衡电压:也称剩余电压磁场B为零,仅由霍尔元件流过电流时产生的电压。不平衡电压VHe主要是元件制造时由于几何的不对称性引起的。对于磁性套管型普通为几mV左右〔在IH为10mA时〕该特性,用不平衡率VHe/VH来描画。不平衡率越小越好,GaAs元件普通为10%左右。霍尔元件的不平衡电压其补偿补偿电路—在霍尔元件的输出端d与输入端a—b间接入电位器RP,调整电位器RP使端子c-d间平衡。〔补偿电路也可接在霍尔元件的c端〕书本P有引荐的图消除不等位电势,还可采用不改动控制电流大小和方向,而将霍尔元件翻转180°,由两次霍尔电势之差就可消除不等位电势。2.3.4霍尔元件的运用技术(1)霍尔元件的驱动方式恒流驱动是使流过元件内的电流坚持恒定恒压驱动是使加在元件输入端的电压坚持恒定两种驱动方法各有优缺陷,视运用目的以及电路设计的要求而定。2.3.4霍尔元件的运用技术恒压驱动方法适宜于以InSb为主要资料的霍尔元件理由:输出电压的温度变化与内阻的温度变化有同向的作用,具有互补的效果,输出电压的温度系数小,即温度特性变好。2.3.4霍尔元件的运用技术恒流驱动方法的特点是可抑制因电源动摇对UH的影响但温度特性变坏。适宜于GaAs霍尔元件由于,GaAs霍尔元件的温度系数非常小,为-0.06%/℃,因此,要求较高的温度特性时,温度特性往往不是主要矛盾,而电源动摇对UH的影响是主要矛盾。霍尔元件的串并联霍尔元件间的衔接霍尔元件的串并联分立元件都有串并联运用方式:晶体管、热电偶…图中示出3个霍尔元件的并、串联方式,任何衔接方式都可具有作为3相无刷电机磁极传感器的功能。在串联电路中,霍尔元件流过的为同一电流,在并联电路中,假设霍尔元件特性一样,各自流过的电流为总电流的l/N。并联运用,霍尔电流大,受磁阻效应影响小串联运用,霍尔电流小,受磁阻效应影响大。为确保每个元件有同样的霍尔电流,并联时总电流是串联时N倍,电池驱动的耗费过大。串联时假设1个霍尔元件断线,那么失去全部功能;而并联时1个霍尔元件断线,对其他元件无影响。因此,要根据运用目的不同选用适宜的衔接方式。并联运用有利于提高检测的可靠性。船舶控制系统的运用常强调系统独立和任务的可靠性。运用时可以采用单个传感器检测信号,然后进展信号隔离与分别。也可以采用串并联方式,直接得到多个独立的信号。霍尔元件的串并联5霍尔元件的运用电路(1)采用运放恒流驱动电路电路中,基准电压(电流)采用稳压管获得,霍尔电流IH由稳压管的稳定电压和电阻RE决议,即IH=稳压管的稳定电压/RE =5.lV/lk另外,晶体管VT的VBE包含在运放电路的深度反响环节内,VBE温度特性遭到抑制,温度特性好。采用运放的恒流驱动电路实例5霍尔元件的运用电路(2)采用运放的恒压驱动电路它与上图的电路类似,但霍尔元件接在晶体管VT的发射极,因此,电路构成上为恒压电路,电路的设定电压可经过改换稳压二极管改动。采用运放的恒压驱动电路实例5霍尔元件的运用电路〔3〕开关电路右图为两个VBE特性对称晶体管构成的电流开关电路霍尔电压输出有一定幅度时,晶体管导通,而无B时输出幅度很低,晶体管截止。方式为差动式。A、B端的信号输出相位差互为180°。该电路需求200mV左右的VH输出电压,普通采用InSb霍尔元件。至于A端输出或B端输出取决于被检测磁场的方向采用晶体管的电流开关电路实例〔a〕电路〔b〕输出波形5霍尔元件的运用电路〔4〕霍尔元件的转速检测电路带有磁性资料的转子旋转同时,使霍尔元件感应到磁通的变化〔0或1〕,从而检测转子的转速〔见图7-28〕从霍尔元件构造上看,输出端包含共模电压Vc电压,Vc与霍尔电压毫无关系,运用时此电压必需除去,普通采用差动输入的运算放大器。霍尔元件的输出端接到差动放大器的输入端,在无磁场时虽然c点和d点对地有电压,c点电压等于d点电压,运放无输出。霍尔元件的运用电路--转速检测电路

c点电压大于d点电压或小于d点电压时,有差动信号输入,这时,运放输出端有较大的输出电压。输出为矩形波,电路中的反响电阻Rf小时,也能获得平稳的输出波形。运放的运用,即使霍尔元件输出很小也不会有问题。普通采用输出电压小,温度特性非常好的GaAs的霍尔元件。采用霍尔元件的转速检测电路5霍尔元件的运用电路采用两个运算放大器消除共模电压的电路A1用于除去霍尔元件的共模电压A2同相放大器,用于放大VT1构成霍尔元件的恒流驱动电路采用2个运放除去共模电压的电路实例霍尔元件运用于转速检测安装方法之一:转子旋转

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