2021电子线路知识点习题

电子线路高二复习题（江苏省刘泽飞羽独家发行）姓名：班级：学号：练习一：第1章知识点一、填空。1．自然界的物质根据其导电性能不同可分为________、________、________三种类型。2．2AP9是________材料________二极管，2CW是________材料________二极管。3．硅二极管的正向压降为________伏，反向漏电流为________数量级。PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位________。4．当温度升高时，半导体二极管的IR将________。5．二极管的伏安特性指____________和____________关系，当正向电压超过____后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为____V，锗管约为____V。6．在本征半导体中掺入________价元素，可形成P型半导体，其中多数载流子为________，它的导电能力比本征半导体________。7．二极管的重要特性是________，具体指：给二极管加________电压，二极管导通；给二极管加________电压，二极管截止。8．给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的________区，电源的负极通过电阻接半导体的________区。9．用万用表电阻挡判断二极管的正、负极时，应选用________或________挡，测得电阻小的一次，________表笔所接的是二极管正极。10．半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压________。11.N型半导体是在纯净半导体中掺入_______价元素形成的；P型半导体是在纯净半导体中掺入_______价元素形成的。12.常用的半导体材料有__________和__________。13.纯净半导体________和_______的数量相同，在一块纯净半导体中掺入微量磷元素形成_______半导体，掺入微量硼元素形成_______半导体。14.PN结具有_______性，加正向电压时（P区接高电位，N区接低电位），耗尽层_______，电阻_________；加反向电压时（P区接低电位，N区接高电位），耗尽层________，电阻_______。15.PN结导通的条件是：PN必须____偏，且电压应_____死区电压。16.二极管内部由_____个PN结构成，当二极管两端加一定正向电压时________，加反向电压时__________。17.自然界中的物质根据其导电性能不同可分为________、________、_________三种类型。18.半导体根据内部两种载流子的数量分布情况，可分为_______，________，_________三种类型。19.当外加电场方向PN结的内电场方向一致时，此时内电场逐渐______，PN结的宽度_______，流过PN结的电流_______,PN结_______状态，当外电场方向与PN结的内电场方向相反时，此时内电场逐渐______，PN结宽度______，流过PN的电流______，PN结处于_______状态。20.二极管的伏安特性曲线是指加在二极管两端________与流过二极管_________之间的关系曲线，在伏安特性曲线上可看出二极管可工作于4个区，即________，______________，_____________，____________。正向特性曲线上，在_________区电流几乎为0，只有当正向电压大于________时（硅管），二极管才导通进入_________区，此时，正向电流________。而二极管两端电压几乎不变，约为_______V（硅管）。21.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将_________。22.硅二极管的门坎电压是_______V，导通电压是_______V，锗二极管的门坎电压是________，导通电压是_________V。23.当温度升高时，二极管伏安曲线的正向曲线向________移动。24.如果测得二极管的正反向电阻值均很小，则二极管_________。25.用统一万用表的不同电阻档测同一二极管的正向电阻时用Rx100Ω档测出的电阻比Rx1KΩ测出的电阻_________（大、小）。26.把_______电变成_______电的过程称为整流，整流的实现是利用二极管的________特性来完成的。常用的二极管整流电路类型有______________，________________，________________。27.单向半波整流电路中，若变压器次级电压V2为100V,则负载两端电压为________V,二极管承受的反向电压为________V。28.将脉动直流电的脉动成分滤除的电路称为____________。电容滤波，电路利用电容________特性实现的。29.电容滤波器常用于____________场合，电感滤波器常用于___________。30.变压器中心的抽头式的全波整流电路的工作过程是在输入交流信号的一个周期内，两只二极管________导通，先后给负载提供同一方向的电流，因此每只二极管中的电流是负载电流的_________，一只二极管截止时，另一只二极管导通，截止管承受的反向峰值电压为输入电压的_________倍。31.在二极管整流电路中，输入量用_________值表示，输出量用________值表示，二极管的正向电流用________值表示，二极管承受的反向电压则用__________值表示。32.选择整流二极管时，主要应考虑__________和___________两个参数。33.半波整流电路变压器中心抽头式桥式整流电路整流滤波有载滤波无载整流滤波有载滤波无载整流滤波有载滤波无载ULILIVURM34.由硅二极管的伏安特性曲线可知，当反向电压增大到击穿电压时,反向电流变化_______，而管子两端电压变化却________，这称为_______特性。稳压管就是利用该特性进行工作的。35.稳压管的主要参数有________，_________，_________，________，_________。36.稳压管工作在伏安特性的_________区，而普通二极管工作在福安特性曲线的____________。37.稳压管工作时，应当控制其电流在_____________和____________之间，若电流过大，则易烧毁稳压管若电流过小则稳压性能变差。38.稳压电路是指__________变化或__________变化时，能保持输出电压基本不变的电路。39.稳压二极管在电路中应处于_________偏置。稳压管的动态电阻越________，稳压效果越好。40.温度上升晶体二极管的反向伏安特性曲线_____移，正向导通压降______（增大，减小）41.点接触型二极管用于__________，面接触型二极管用于__________。二、判断题1．由于N型半导体内部自由电子是多数载流子，因此N型半导体对外呈负电。()2．本征半导体中的自由电子和空穴的数目是相等的。()3．在一块纯净半导体掺入微量磷元素形成N型半导体。()4．只要二极管承受正向电压就一定导通。()5．当二极管两端的反向电压达到反向击穿电压时，此二极管一定烧坏。()6．用万用表欧姆挡测量二极管时，阻值大的一次红表笔所接的是二极管的正极。()7．反向漏电流的值越小，二极管的单向导电性能越好，热稳定性越差。()8．正偏二极管的动态电阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。()9．点接触型二极管一般用于整流电路中。()10．二极管反向电流太小也不好，稳定性差。()11．某人在修理电路时，测得某二极管阳极电位为－3V，阴极电位为－2.3V，故可知该管为硅管。()12．制作二极管利用的是PN结的掺杂特性。()13．由于半导体中含有两种载流子故导电能力一定很强。()14．二极管导通后，其电流大小由管子的型号决定。()15．硅管的反向饱和电流比锗管大，因此硅管的温度稳定性比锗管好。()16．只要调换半波整流电路中变压器次级两端钮，则输出直流电压的极性改变。()17．输入电压相同时，单相桥式整流与变压器中心抽头式整流电路中负载上得到的电压相同。()18．单相桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通。()19．桥式整流电流中，有一只二极管接反，电路将变为半波整流。()20.由于N型半导体内部自由电子是多数载流子，因此N型半导体对外呈负电。21.当环境温度升高时，晶体二极管的正向导通压降将减小。22.将一块P型半导体和一块N型半导体紧靠在一起，会形成PN结。23.选择整流二极管时，主要考虑两个参数最大整流电路和反向漏电流。24.点接触型二极管承受电流小于面接触型二极管。25.反向漏电流的值越小，二极管的单向导电性能越好，热稳定性越差。26.当二极管两端的反向电压达到反向击穿电压时，此二极管一定烧坏。27.普通二极管的正向特性也具有稳压作用。28.数字表测量二极管正向电阻时，红表笔接二极管正极。29.二极管导通后，流过它的电流与二极管的型号无关。30.N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。31.二极管是非线性原件。32.单向桥式整流电路在输入交流电压的每半周内有两个二极管导通。33.输入电压相等的情况下，单向桥式整流电路的输出电压是单向半波整流电路输出电压的两倍。34.在整流电路中流过二极管的电流一定等于负载电流。35.晶体二极管在使用过程中一旦发生反向击穿就会烧坏。36.硅稳压二极管的正向伏安特性没有稳压作用。37.普通二极管的正向特性没有稳压作用。38.使用稳压管时限流电阻，在电流小于尾压管最大电流时可以省去。三、选择题1．当二极管导通后参加导电的是()A．多数载流子B．少数载流子C．既有多数载流子又有少数载流子D．不能确定2．当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该管相当于()A．小阻值电阻B．大阻值电阻C．内部短路D．外部短路3．在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而()A．明显增大B．基本不变C．迅速减小D．不能确定三、选择题1．当二极管导通后参加导电的是()A．多数载流子B．少数载流子C．既有多数载流子又有少数载流子D．不能确定2．当硅二极管加上0.3伏正向电压时，该管相当于()A．小阻值电阻B．大阻值电阻C．内部短路D．外部短路3．在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而()A．明显增大B．基本不变C．迅速减小D．不能确定4．PN结加反向偏置时，其PN结的厚度将()A．变宽B．变窄C．不变D．不能确定5．当晶体二极管工作于伏安特性曲线的正向特性区，而且所承受的正向电压大于门坎电压时，则晶体二极管相当于()A．断开的开关B．接通的开关C．大电阻D．电容6．对于普通的点接触型二极管，一般具有的特性是()A．最大整流电流大，最高工作频率高B．最大整流电流小，最高工作频率高C．最大整流电流大，最高工作频率低D．最大整流电流小，最高工作频率低7．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于()A．本征半导体B．温度C．杂质浓度D．掺杂工艺8．某二极管的最高工作反向电压是50V，则该管的反向击穿电压大约()A．30VB．50VC．150VD．300V9．半导体二极管是温度的敏感器件，当温度增加时，其参数IR和URM都将发生变化，试选择正确答案()A．IR上升，URM下降B．IR上升，URM上升C．IR下降，URM下降D．IR下降，URM上升练习二：第二章知识点一.填空。1.三极管的三个区分别为_____________,_____________和_____________；三个极分别为_____________，_____________和_____________；两个结_____________和_____________。2.三极管工作在放大状态时偏置条件是_____________________________________。三个极的电流分配关系为_______________________________________。3.普通晶体三极管是一种_____________控制型器件，是通过_____________电流的变化控制较大的_____________电流的变化。4.三极管的积极电流为40μA，交流电流放大系数β=50，则Ic=______mA,IE=_______mA。5.ICEO称为三极管的_____________电流,他反映了三极管的_____________,ICEO越_________越好。6.三极管的连接方式有_____________,_____________和_____________三种；其中_____________不能做输入端，_____________不能做输出的。7.有一个三极管的三个端A，B，C，现测得Ic=-4mA,IA=0.02mA,IB=3.98mA（电流流入为正，流出为负）则_______端为基极,_________端为集电极,______端为发射极,此管为_________。8.晶体三极管由______个相距很近的PN结构成，它有三个区，即________________________，三个电极分别用字母表示为______________。9.在制造三极管过程中，对其内部三个区域都有一定的掺杂要求，发射区_________，以利于___________；基区_________，以利于____________；集电区___________，以利于______________。10.三极管符号中的箭头方向表示发射节加上正向电压时内部__________方向，PNP型电流从________极流向________极，NPN型电流从________极流向_________极。11.当处于放大状态的晶体三极管满足VC>VB>VE时，该管为________型晶体管；当Vc<VB<VE时，该管为________型晶体管。12.根据三极管电路公共端的不同，有三种放大电路在共发射及电路中，______极为输入端，_______为输出端。在共基极电路中，______极为输入端，_______为输出端。在共集电极电路中，______极为输入端，_______为输出端。13.晶体三极管有两个PN结构成，分别叫_________________，三极管正常工作时在前者加________电压，后者加_______电压。14.晶体三极管是________（电流，电压）控制型器件，是通过较小的_______变化去控制较大的________变化。15.晶体三极管实现放大的外部条件是：_______________________,___________________________。16.晶体三极管的结构包括三个区：_______________________，三个电极_____________________。两个PN结________________。17三极管的β=99，若IB=1uA，则该管的Ic=______mA,IE=______mA。18.某三极管的发射极电流IE=3.64mA，基极电流IB=40uA,则集电极电流为______mA,电流放大系数β=__________。19.有一只PNP型三极管构成的放大电路，三个电极电位分别是VA=-3V,VB=-3V,Vc=8V,则三个电极顺序是A脚为________极;B脚为_______极,C脚为________极。20.在共发射级电路中，______和______之间的关系称为三极管的输入特性。21.有输入特性曲线可知，硅三极管导通电压为___________，门坎电压约为___________，锗三极管导通电压为___________，门坎电压约为___________。22.当温度升高时，晶体管的输入特性曲线将_____移，输出特性曲线将_____移，而且输出特性曲线之间的间隔将_______。23.晶体三极管的及电极电流过大或过小，都会导致β值______，当Ic>Icm,将引起_____________,当VCE>VCEO时，将引起_________当Pc>Pcm时，将引起_______________。24.硅晶体三极管的饱和压降为________V，发射结导通压降为________V；锗晶体三极管的饱和压降为________V，发射结导通压降为________V。25.三极管的穿透电流ICEO是集一基反向饱和电流ICBO的_______倍,选用管子时一般希望ICBO尽可能_______。26.晶体管工作在________区时，Ic=βlB；工作在_______区时；l≈0;工作在_______时，Vc≈0。27.三极管的输出特性曲线是指________和__________之间的关系曲线。28.场效应管是一种________极型半导体器件，晶体管是一种__________极型半导体器件。29.场效应管是___________控制型器件，输入电阻__________，栅极电流__________。30.场效应管根据VGS=0时，导电沟道是否存在，可分为__________和___________。31.场效应管是____________控制器件,用____________来控制__________。32.夹断电压是电压是___________场效应管特有的参数;开启电压是___________场效应管特有的参数。33.场效应管工作在__________区时具有电流放大作用。表示场效应管放大能力的重要参数是__________。场效应管的转移特性曲线是指__________与__________之间的关系曲线。输出特性曲线是指___________与______________之间的关系曲线，它可划分为___________，_____________和_____________三个区域。34.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻______，所以输入电流近似为_______。二.判断题。1.发射极开路时,基极电流与集电极电流相等，且从集电极流向基极。2.严格的讲，三极管当IB等于零时，IC也为零。3.只要电路中三极管的IC小于Icm，该三极管就能安全工作。4.三极管的β值与IC的大小有关，IC越大，β值也越大，β值越大越好。5.二极管由一个PN结构成三极管由两个PN结构成，所以可以用两个二极管构成一个三极管。6.在共发射级电路中基极是输入集电极是输出端，而在共基极电路中，集电极是输入端，发射极是输出端。7.晶体三极管的发射区和集电区是同一种类型的半导体构成，所以e和c可以互换使用。8.三极管的发射结正偏，集电解反偏，就一定工作在放大状态。9.用万用表测量电子线路中的晶体管，VCE≈VG时，晶体管处于截止状态。当VCE≈0时，晶体管处于饱和状态。10.晶体三极管的电流放大作用具体体现在△Ic>△IB。11.当晶体管及电极流过的电流，Ic大于极电极最大允许电流ICM时，晶体管一定损坏。12.晶体三极管的穿透电流，ICEO的大小不随温度的变化。13.当晶体管Ic与VCE的乘积大于PCM时，管子的放大能力下降。14.三极管具有能量放大作用。15.工作在放大状态的晶体三极管发射节正偏，集电解反偏。16.用万用表测得电路中晶体三极管的VCE约等于0，则该管的工作状态为截止状态。三.选择题。1.三极管的主要参数UcEo其定义是()A.集电极一发射极反向击穿电压B.集电极-发射极正向压降C.基极一发射极正向压降D.集电极-发射极反向饱和电流2.当环境温度升高时，晶体三极管的参数如何变化()A.β↑、IcEo↑、|UBE|↓B.β↓、IcEo↓、|UE|↑C.β↑、IcEo↑、[UE|↑D.β↓、IcEo↑、[UE|↑3.从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施()A.发射区掺杂浓度高，集电结面积小B.发射区掺杂浓度高，集电结面积大C.发射区掺杂浓度低，集电结面积小D.发射区掺杂浓度低，集电结面积大4.对三极管放大作用的实质，叙述正确的是()A.三极管可以把小能量放大成大能量B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可以用小电流控制大电流5.晶体三极管的反向电流ICBO是由________运动形成的。()A.多数载流子B.少数载流子C.扩散D.少数载流子和多数载流子共同6.随着温度的升高，晶体三极管的_________将变小。()A.βB.UBEC.ICBOD.ICEO7.晶体三极管的共发射极输入特性曲线是对应于-一个特定的()A.IBB.IcC.UCED.UBE8.当晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic将()A.随IB增加而增加B.与IB无关，只决定于RE和VGC.随IB增加而减小D.等于09.某人用万用表测量电子线路中的三极管，测得VE=-3V,UcE=6V,UBc=-5.4V,则该管是()A.PNP型，处于放大状态B.PNP型，处于截止状态C.NPN型，处于放大状态D.NPN型，处于截止状态10.3AX22型三极管的极限参数U（BR)CEO=18V，Icm=100mA，Pcm=125mW，试分析下列各工作点参数，能正常工作的是()A.Ic=34mA，UCE=4VB.Ic=10mA，UCE=10VC.Ic=20mA，UCE=8VD.Ic=5mA，UCE=20V10.某三极管的IB=10μA时，Ic=0.44mA;当IB=20μA时，Ic=0.89mA，则它的电流放大系数β=()A.30B.45C.50D.4011.某锗三极管测量其管脚电位如图所示，则可判定该管处在()A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.无法确定状态练习三：第三章知识点一、填空题1．放大器能把微弱的电信号放大，转换成较强的电信号，它实质是一种________装置，它在________信号的控制下把________的直流能量转换成________信号的交流能量。2．某放大器的电压增益Gu＝20dB，电流增益Gi＝40dB，在输入一定信号后，输出电压为2.5V，输出电流为4mA，则该放大器的输入电压Ui＝__________V，输入电流Ii＝__________mA，功率放大倍数Ap＝__________，功率增益Gp＝__________dB。3．在共发射极放大电路中，若静态工作点设置过高易造成________失真；对于PNP型管，若在输入信号正半周时，输出出现失真此时是________失真；若正半周和负半周都出现削峰失真是________造成的。4．固定偏置和分压式偏置共发射极放大电路，原来没有发生非线性失真，在换了一个β值比原来大的三极管后，容易出现饱和失真的是________偏置放大电路。固定偏置共发射极放大电路原来发生了非线性失真，在减小Rb后，失真消失了，这个失真是________失真。5．直流负载线反映________时电压与电流的关系，由________通路决定，它与晶体管的输出特性曲线一起用来确定放大电路的________________。6．在单级共发射极放大电路中，输入电压ui与输出电压uo，它们的频率相同，________被放大，相位________。7．在分压式稳定工作点偏置电路中，当环境温度上升时，引起________增加，导致________的增加，使VEQ＝IEQ×Re________。由于UBEQ＝________，使得UBEQ________，于是基极偏流IBQ________，使________的增加受到限制，从而达到稳定静态工作点的目的。8.__________和__________被称为电信号。9.话筒是把____________________转换成____________________。10.扬声器是把____________________转换成____________________。11.能把______________的信号转换成__________信号的电路称为____________________，简称为放大器。12.通常用__________来表示放大器的放大能力。放大器的放大倍数有________________，________________，________________三种，他们之间的关系________________。13.放大器将小信号放大输出的过程，就是将电源的________________电能转换为________________电能输出，所以整个过程没有能量的增加，仅仅是能量的转换。14.放大器的基本性能是具有________________的能力。15.在电信工程中对放大器的三种增益，规定为：电压增益为______________，电流增益为________________，功率增益为________________，他们之间的关系是________________。16.电压放大倍数是指放大器________________和________________的比值。电流放大倍数是指放大器________________和________________的比值。功率放大倍数是指放大器________________和________________的比值。17.放大器能把微弱的电信号放大转换成较强的电信号，它实质是一种____________装置,它在____________信号的控制下把____________的直流能量转换成____________信号的交流能量。18.放大电路的本质是将信号的____________进行放大，即__________必须大于__________。19.由单个晶体管组成的单级放大电路,称为____________________。20.低频小信号放大电路的工作频率在__________到__________低频范围内，而且放大的电流和电压都是__________的信号(较小、较大)。21.放大器中的电压、电流的瞬时值包括__________分量和__________分量，对它们的写法规定：前者用__________表示，后者用__________表示；两者之和称为__________，用__________表示。22.所谓静态就是指____________________状态。晶体管的直流电压和电流统称为__________，通常记作__________，__________，__________，__________等。23.单级低频小信号共射放大器输出信号与输入信号相比,幅度__________,频率__________，波形__________,相位__________。24.直流负载线反映____________________时电压和电流的关系,由__________通路决定,主要用来确定__________，交流负载线反映____________________时电压和电流的关系,由__________通路决定,而交流电压和电流都与__________变化有关。25.画直流通路时,把__________视为开路,其他不变；画交流通路时,把__________和__________都简化成一条短路直线。26.共发射极放大电路兼有__________和__________作用。27.某单级共射放大电路,其放大倍数的大小为AV，若输入电压vi=√2Visinwt(v),则输出电压Vo=__________(V)。28.放大器放大信号所需要的能量来源于__________,晶体管本身并不提供能量。29.IB在放大电路中表示____________________。IE在放大电路中表示____________________。30.表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有__________，__________，__________。31.画放大器的直流通路时,将__________视为开路。画交流通路时，将__________和__________视为短路。32.放大电路常见的分析方法有__________，__________。33.______________________________称为图解分析法,简称图解法。34.在放大器分析方法中，________________分析法比较直观,但其分析步骤复杂、准确性差,常应角于__________电路的分析。35.在分析小号放大电路时,一般采用__________法较为简便。应计算来分析放大器的方法,称称为__________法。36.根据半导体物理的理论,小功率管在常下,共发射极接法时的输入电阻可采用近似公式____________________来计算。37.__________和__________对温度的敏感,是造成晶体管静态工作点不稳定的重要原因38.画放大器交流通路是为了便于计算输入电阻,__________和__________。39.如果晶体管放大电路中Rc减小,其他条件不变,则其直流负载线变__________(陡峭,平坦)。40.对于直流负载电阻Rc做出的直线称为____________________。41.放大器静态工作点选择不当,会使放大器工作时产生信号波形的__________。静态工作点过高,输出波形将产生__________失真。静态工作点过低,输出波形将产生__________失真。他们都是晶体管的工作状态离开____________________区进入非线性__________区和__________区所造成的,因此这两种失真叫做__________（线性，非线性）。42.直流负载线是在__________时电压和电流的关系,由__________通路决定,主要用来确定__________;交流负载线是反应__________时电压和电流的关系,由__________通路决定,而交流电压和电流都与__________的变化有关。43.为了获得幅度大而不失真的交流输出信号,放大器的静态工作点应选在________________________________________。44.晶体管放大器中,当输入信号一定时,静态工作点设置太低，将产生__________失真;静态工作点设置太高,将产生__________失真。45.输出信号波形不能复现输入信号波形称为__________，由于三极管的输入输出特性的__________及信号幅度过大和__________选择不当所造成的失真称为____________________。46.在固定偏置时放大电路中，RB>>rbe则ri=__________。47.共发射极放大器除了具有功率放大能力外，还有__________放大和__________放大。48.对于一个电压放大器而言，其输入电阻要__________，输出电阻要__________。（填大和小）49.__________是放大电路静态工作点不稳定的主要原因，最常用的稳压静态及工作点的放大电路____________________。二、判断题1．放大器放大信号的能量来源于电源VG。()2．某电路的Gu小于零，可知该电路不是放大器而是衰减器。()3．放大电路的电压放大倍数和电流放大倍数一定都大于1。()4．放大器接有负载电阻RL后，电压放大倍数比空载时大。()5．放大器中的旁路电容和耦合电容，具有通低频、阻高频的作用。()6．放大器是一种将电源直流电能转化为交流电能的电路。()7．放大器的动态性能与静态工作点无关。()8．只要放大器有合适静态工作点，就不会出现非线性失真。()9．如图所示电路能起到放大作用。()10．直流电源也能通过交流电，因此画交流通路图时，直流电源也应视为短路。()11．要使电路能尽可能大地不失真输出信号，工作点应设置在直流负载线的中点。()12．由PNP型三极管组成的固定偏置共射单级放大电路，当输入电压为1kHz、5mV的正弦电压时，输出波形出现了底部失真，为了消除失真应减小Rc。()13．放大器必须在输出电压波形不失真的条件下，才能考虑计算Au。()三、选择题1．某发射极接地的基本共射放大器，其三极管的β＝50。若换用β＝100的三极管，设基区电阻r′bb均可忽略不计，Rb很大，则可使放大器()A．电压放大倍数约提高1倍B．输入电阻约增大1倍C．输出电阻约减小一半D．性能指标保持不变2．在分压式偏置共发射极电路中，增加VG值可以()A．提高Au的值B．减小Au的值C．对Au无影响D．无法确定3．有两个电压放大倍数为100的放大电路甲和乙，分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大分别得到甲Uo＝4.85V，Uo′＝4.95V，由此可知放大电路________比较好，因为它的________()A．甲、输入电阻大B．乙、输入电阻大C．甲、输入电阻小D．乙、输入电阻小4．若电压表读数为0.71V，电流表读数为0mA可能是()A．集—发间击穿短路B．发射极开路C．集电极开路D．Rb开路5．在维持IE不变的条件下，有人选用β值较大的晶体管，这样做主要为了()A．减轻信号源负担B．增加放大器的输出电阻C．提高放大器本身的电压放大倍数D．增加放大器的带负载能力练习四：第4章练习一、填空。1.多级放大器中每个单管放大电路称为_________，它们之间的连接称为_______________。2.把若干个单管放大电路______（串，并），组成_______放大器。3.在多级放大器常用的三种耦合方式中，_________耦合方式和______________耦合方式可使各级静态工作点相互独立，可以单独计算；既能放大交流信号，又能放大直流信号的是________耦合方式;能实现阻抗匹配的是___________耦合方式4.设果一放大器在中频范围内最大放大倍数为100，当输入某一频率信号时放大倍数为0.7，则此频率称作__________或__________。5.多级放大器与单级放大器相比，电压增益________（提高、减小、不变），通频带_________（变宽，变窄，不变）。6.变压器是一个很重要的电子器件，它能变_________，变________，变__________和变___________。7.放大器的_________和__________之间的关系，叫频率响应，也称为放大器的频率特性。放放大器的理想的频率响应曲线是___。8.在多级放大器中，前级是后级的_________，后级是前级的________；只有当______和______相等时，负载获得的功率才最大，此时称为____________。9.多级放大器在传输过程中失真要_____，级间传输效率要_____。10.某多级放大器及各级电压增益分别为：20dB,30dbB,-10dB则总的电压增益为___________,放大倍数为___________。11.放大器对信号中频率偏低成分放大能力差，这种现象称为______________。放大器对信号中频率偏高成分放大能力差，这种现象称为_________________。12.由于放大器频率特性不好引起的失真，称为_______失真。它属于__________失真。（线性，非线性）13.通常把放大器在放大倍数，允许波动范围内所对应的频率范围称为___________。14.在两级共射放大电路中，已知Av1=-50ri1=2KΩAv2=-40ri2=5.1KΩ,ro2=10KΩ,则总的电压放大倍数Av=_______,ri=______ro=_________，输入与输出信号的相位差为__________。15.放大器当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数的______时，所对应的两个频率分别称为____________________。16.阻容耦合放大器低频端放大倍数下降的主要原因是___________和____________的存在。高频端放大倍数下降的主要原因是晶体管_________和_________的存在，其中主要原因是________________。17.某放大器输出电阻为9KΩ，负载电阻为IKΩ，要使阻抗匹配，变压器的变化为_________。18.单极组容放大电路加入频率为fH或fL的输入信号时,电压增益幅值比中频时下降了________dB。19.从放大器的输出端把输出信号的__________或_________通过一定的方式送回到放大器的的输入端的过程，称为反馈。20.由__________或___________等元件组成的反馈信号传送电路，称为反馈电路。21反馈电路是由_________或__________放大器和反馈电路两部分组成。反馈放大器是跨接在___________端和___________之间的电路。22.反信号到增强输入信号作用的叫_________反馈。23.反馈信号与输出电流成正比为_________反馈。24.根据反馈信号的取得方式不同反馈可分为_______和_______。25..根据反馈信号和输入信号的连接方式不同反馈可分为________和__________。26.根据反馈信号和输入信号的相位是否相同反馈分为______和_________。27.利用瞬时极性法判别某一反馈类型，若反馈信号和原输人信号相位相同，则该反馈为__________反馈，该反馈起起________输入信号的作用。28.把放大器的输入端短路反馈信号不消失，则该反馈为_______。29.负反馈放大器的基本类型有____________________________，________________，_________________，________________。30.反馈信号，起到削弱输入信号作用的叫__________反馈。31.把放大器的输出端短路，看反馈信号是否消失，可判断_______和_________反馈。32.把放大器的输入端短路,看反馈信号是否消失，可判断_______和_________反馈。33.当1+FAv>>1，反馈放大器的放大倍数仅取决于_________，而与_____________无关。34.一个电压串联负反馈放大器，无反馈时的电压增益为80dB,为使有反馈时的电压增益为20dB,则反馈深度为________dB，反馈系数约为__________。35.反馈的作用①正反馈：②负反馈：③电压负反馈：④电流负反馈：⑤并联负反馈：⑥串联负反馈：⑦直流负反馈：⑧交流负反馈：性能/组态共发射极共集电极共基极输入阻抗输出阻抗电流放大倍数电压放大倍数功率放大倍数频率特性应用情况37.在反馈放大器中若把输入端______后，反馈消失，则是_______，反之，反馈信号不消失，则是______反馈。如果把输出端______后，反馈消失，则是_____反馈，反之反馈信号不消失，则是______反馈。38.对共发射极电路而言，若反馈信号引入到输入端，接在三极管的发射极上为_____反馈。若反馈信号引入到输入端，接在三极管的基极上，为______。若反馈信号引至三极管的发射极，为_____反馈。39.电路中引入负反馈，放大倍数______，但放大倍数的稳定性______。40.负反馈对放大器性能产生一定的影响，若要求静态工作点应引入_____负反馈。若要求提高输入电阻，应引入____负反馈。若要求减小输出电阻，应引入____负反馈。若要求稳定输出电流，应引入_____负反馈。41.负反馈对放大器性能的影响：①使放大倍数______②使放大器工作的稳定性_____③使放大器输出波形的非线性失真_______④使放大器的通频带_______⑤_______放大器的输入输出电阻。42.电流并联负反馈可以稳定输出_____，使输入电阻______，输出电阻______。练习5：第5章知识点一，填空题。1．理想差动放大器的共模电压放大倍数为____________，共模抑制比为____________。2．放大器级数越______，零漂越严重，所以多级直耦放大器中抑制零漂的电路多放在级。3．差分放大电路的差模放大倍数只与______方式有关，而与______方式无关。4．不管信号是单端输入还是双端输入，只要输出是单端，它的差模放大倍数就是单管基本放大器放大倍数的______；若为双端输出，则与单管基本放大器的放大倍数______。5．抑制直流放大器零漂的有效电路是______，该电路中Re对______信号不起负反馈作用；辅助电源的作用是______；通常用______作为衡量差放电路性能优劣的指标。6．为了抑制零漂，人们广泛采用差动放大器。差动放大器可以有效地放大有用的____________信号和抑制有害的______信号，相应的放大倍数分别称为____________和____________。为了全面反映差动放大器的上述性能，引入______这一参数。在实用型差动放大器中，起抑制零漂作用的元件是。7.根据所用器件不同，集成电路可分为________、________和________三类。8.集成电路是把________、________、________以及连接导线等集中制造在一小块半导体基片上而形成具有________的器件。9.集成电路按照集成度可以分为________、________、________和________。10.集成运放是一个________耦合的高放大倍数的线性集成电路。11.理想情况下，集成运放的各项技术指标为：输入信号为零时，输出端应________，Auo＝________，ri＝________，ro＝________，KCMR＝________。12.理想运放，其净输入信号有两个特点：即净输入电压ui＝0和净输入电流ii＝0，通常分别称为__________和__________。13.虚地是__________的特殊情况。14.__________比例运算放大器的输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流，而__________比例运算放大器的输入电流几乎等于零。15.集成运放电压跟随器的输出电压与输入电压大小__________，相位__________，输入电阻__________，输出电阻__________。16.直流放大器是用来放大________________________________的电路，它的前后级间必须采用________耦合。由此出现两个特殊问题________________和________________，解决的办法是________________和________________。17.差动放大器的两种输人信号为________________和________________，两种输人方式为________________和________________，两种输出方式为________________和________________，两种放大倍数为________________和________________，差动放大器的差模放大倍数的大小只与________________方式有关,而与________________方式无关。18.直流放大器输人信号为零时，输出信号偏离起始值的现象称为__________________，引起这种现象的主要原因是_________________,在多级放大器的第一级采用差动放大电路的目的是________________19.在差动放大器中,共模信号主要来源于________________和________________20.差分放大电路是放大________________信号,抑制________________信号的电路,其重要指标是________________。21.集成运算放大器通常是一个高________________的多级________________耦合放大电路。22.集成运放的放大倍数有两种，即________________和________________，前者表示没有引入负反馈的放大倍数,它反映集成运放的________________，理想集成运放此值为_________，后者是指引入负反馈的放大倍数,它的大小主要由________________决定,与前者无关。23.理想集成运放的Ri=_______;Ro=_____,KCMR=_______，Avo=______，通频带是_______。24.“虚短”和“虚断”是分析理想运放的重要手段，“虚短”是指_______为零，“虚断”是指______为零。25.集成运放在应用时有两种情况,作放大器时是_______应用(“线性”或“非线性”)。作电压比较器时是_______应用(“线性”或“非线性”)，当v+>v-时，输出_______(“＋Vom”或“-Vom”);当v+<，v+>v-时，输出___(“＋Vom”或“-Vom”)。二.判断题。1．双端输入、双端输出差动放大器的发射极电阻对共模信号起负反馈作用，对差模信号不起负反馈作用。()2．一个完全对称的差动放大器，它的差模放大倍数为0。()3．所谓共模输入信号是指加在差动放大器的两个输入端的电压之和。()4．共模抑制比越大，差动放大器抑制零漂的能力越强。()5．一个完全对称的差动放大器，它的共模抑制比KCMR为∞。()6．两个电压放大倍数不相同的直流放大器，若它们有相同的输出漂移电压，则电压放大倍数大的直流放大器，其零漂现象要严重些。()7．差分放大电路中发射极电阻越大越好。()8．温度变化使差动放大器中两个三极管的参数发生变化，相当于输入一对共模信号。()9．集成运放实质上是一种高增益的直流放大器。()10．根据理想运放的开环增益极高，可以得出理想运放的一个重要特点虚断。()11．集成运放属于线性放大电路，所以可以用叠加定理计算输出电压。()12．同相输入比例运放具有“虚地”的特点。()13．只要处于线性工作状态的理想运放，其反相输入端均可按“虚地”处理。()6.两个电压放大倍数不相同的直流放大器,若它们输出端零漂电压相同，则电压放大倍数大的直流放大器,其零漂现象严重些。7.差动放大器电路对称性越好,抑制零点漂移能力越强。8.实用型差动放大电路的RE对差模信号起负反馈作用。9.多级直流放大器级数越多,零漂现象越严重。10.产生零点漂移的主要原因是温度的变化。11.某直流放大器的电压放大倍数是200，当Vi=0时,V。从5.1V变化到4.5V,则该放大器的零点漂移为0.6V。12.直流放大器既能放大直流信号又能放大交流信号,因此它采用阻容耦合方式。13.直流放大器为了解决前后级之间的电位配合常采用垫高后级发射极电位的方法。14.直流放大器存在零点漂移现象,阻容耦合放大器也存在零点漂移现象。()15.差动放大器的差模放大倍数只与输出端方式有关,共模放大倍数只与输入端方式有关。16.一个理想的差放电路，只能放大差模信号,不能放大共模信号。三，选择题。1．下列关于理想运放说法错误的是()A．Auo＝∞B．ri＝∞C．ro＝∞D．fBW从0→∞2．通常集成运放的输入级采用差放电路，这是因为差放()A．输入电阻高B．输出电阻低C．共模抑制比大D．电压放大倍数大3．集成运算放大器在线性使用时，能够得到“虚短”、“虚断”的条件是()A．KCMR＝∞，ro＝0B．Auo＝∞，ri＝∞C．ri＝∞，ro＝0D．Auo＝∞，ri＝04．工作在线性放大状态的运算放大器应置于________状态。()A．深度负反馈B．开环C．正反馈D．负反馈5．关于理想运算放大器的叙述错误的是()A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零B．输入信号为零时，输出处于零电位C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大练习六：第六章知识点一、填空题1．具有选频放大性能的放大器称为________，因为是利用LC谐振回路的________特性来选频的，所以又称________放大器。2．一个调谐放大器，除了要有一定的增益和良好的稳定性外，还应满足一定的________和________要求。3．LC并联谐振电路的谐振频率为f0，相移角为φ，外加信号的频率为f，当f>f0时，φ________0，电路呈______性；当f<f0时，φ________0，电路呈______性；当f＝f0时，φ______0，电路呈______性。4．双回路调谐放大器只要适当调节初、次级间的耦合程度，就可以得到________的谐振曲线，这可以解决________和________之间的矛盾。5．调谐放大器有________和________两种基本电路，其中________可以在一定的频宽内具有良好的选择性。6．不需要外加输入信号，能自动输出不同频率、不同波形的交流信号，将电源的________转换为________的电子线路，称为自激振荡电路。7．一个自激振荡器是由________、________和________三部分组成，只有满足________条件和________条件才能产生振荡。8．由于自由振荡过程是有损耗的，要维持振荡不断进行，须及时给LC回路补充________。9．无需外加输入信号，由于电路内部的________作用而自动维持输出交流信号的现象称为________。10．具有自激现象的放大器是________，它是一个有足够________的正反馈放大器。11．振荡器的振幅平衡条件是指反馈信号幅值必须________输入信号的幅值，相应平衡条件是指反馈信号必须与输入信号________，即形成________反馈。二、判断题1．调谐放大器中，LC选频网络对所选频率的信号呈现较低的阻抗。()2．LC回路的品质因数越大，其选频能力越差。()3．一个正常的放大器，引入正反馈后，就一定能产生自激振荡。()4．为了兼顾通频带和选择能力，双回路调谐放大器中两个调谐回路之间耦合越紧越好。(