内存条的类型与识别

内存条的类型与识别2011-7-718:50(21)内存经销商、内存类型内存类型指内存所承受的存储类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDRSDRAMRDRAM三种，其中DDRSDRAMSDRAMRDRAM不被看好。SDRAM：SDRAM，即SynchronousDRAM〔同步动态随机存储器〕，曾经是PCSDRAM代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAMPC66、PC100、PC133存最大所能正常工作系统总线速度，比方PC100，那就说明此内存可100MHzSDRAM3.3电压，168PinDIMM64SDRAM在显存上也较为常见。DDRSDRAM：严格的说DDR应当叫DDRSDRAM，人们习惯称为DDR，局部初学者也常看到DDRSDRASDRADDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAMDDRSDRAMSDRAMSDRAM即可实现DDRSDRAM周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进展数据传输；而DDRDDR内存可以在与SDRAM与SDRAMDDRCPUDDR使用了DLL(DelayLockedLoop，延时锁定回路供给一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储掌握器可使用这个数据滤波信号来准确16数据。DDLSDRAM它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRADDR与SDRAMDDR184SDRAM16DDR内存承受的是支持2.5VSSTL2SDRAM3.3V电压的LVTTLRDRAM：RDRAM〔RambusDRAM〕RAMBUS内存。与DDR和SDRAMRDRAMRDRAM用户无法接收。而同时期的DDRRDRAMRDRAM16DDR和SDRAM64400MHz1.6Gbyte/s。一般的DRAMRDRAM目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起2411256二、内存条的识别通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。颗粒，主要是一些国际性的大厂所生产。下面就以几个大厂的内存颗粒编码规章为例来说明内存容量的辨识方法。三星内存颗粒目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家格外多，在市16绍这两局部的含义。编码规章：K4H280838B-TCB0主要含义：1K，代表是内存芯片。24，代表DRAM。3SSDRAMH表DDR、GSGRAM。4、5的刷速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A64Mbit2A128Mbit5A256Mbit51512Mbit16163264位数据。第11连线“-”。14、15606ns；707ns；7B为7.5ns(CL=37C为7.5ns(CL=280为8n10为10ns(66MHz知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就DDR18SAMSUNGK4H280838B-TCB04、5“28”代表该颗粒128Mbits6、7“08”8128Mbits(兆数位)×16/8bits=256MB(兆字节)。注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节88。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有ECC88成一条内存；另一种ECC648的ECC一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC1816189ECChynix(hyundai)现代现代内存的含义：hy5dv641622at-361、hy2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、324位、816326、bank1、2、3248bank，27、i/o1:sstl_3、2:sstl_28、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d后代表内核越9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=一般芯片td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ1155:183mh5:200mh45:222mh43:233mh4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266bk:ddr266a现代的mbgaLGS:LGs早已被HYLG7J、7K、10K、810K是非PC100规格的，速度极慢。7J7KPC100SDRAM，7J7K88nsPC10010K的LGs7J7K10K7J7K7J7K7K7J133MHz7K7J7KLGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式：GM72V66841E T7JGM72VXXXXX1XXTXXGMLGS72SDRAM。VCMOS3.3V1、2X1616Mbits，6664Mbits，28128Mbits。34个X481604、85XBank，22Bank，44Bank，和现代的不一样，属于直接对应。6X“E“了。7个X“L“，就是低功耗，空白则为一般。“T“为常见的TSOPⅡ封装，现在还有一种BLP“I“。最终的XX7.5：7.5ns〔133MHz〕8：8ns〔125MHz〕7K：10ns〔PC-100CL23〕7J：10ns〔100MHz〕10K：10ns〔100MHz〕12：12ns〔83MHz〕〔66MHz〕infineon〔英飞凌〕infineon子的子公司infineon128mbits256mbits存的容量、数据宽度。infineon4个bank的。hyb39s128400128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800128mb/8bits；hyb39s128160128mb/16bits；hyb39s256800256mb/8bits。infineon线，然后标上工作速率。-7.5——133mhz；-8——100mhz。例如：1条kingston16片infineonhyb39s128400-7.5128mbits〔兆数位〕×16/8=256mb〔兆字节〕。1ramaxel8infineonhyb39s128800-7.5兆数位/8=128mb〔兆字节〕。kingmax、ktikingmaxkingmax内存都是承受tinybga〔tinyballgridarrakingmax内存条全是该厂自己生产。kingmax64mbits128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注：ksva44t4a0a——64mbits，16m×4ksv884t4a0a——64mbits，8m×8×4×8×16kingmax号隔开标识内存的工作速率：-7a——pc133/cl=2；-7——pc133/cl=3；-8a——pc100/cl=2；-8——pc100/cl=3。例如一条kingmax16ksv884t4a0a-7a兆数位字节〕。micron〔美光〕以mt48lc16m8a2tg-75则。含义：mt——micron的厂商名称。48——内存的类型。48sdram；46ddr。lc——供电电压。lc3v；c5v；v2.5v。128mbits，计算方法是：16m〔地址〕×8a2——内存内核版本号。tg——封装方式，tgtsop-75——内存工作速率，-75133mhz；-65150mhz。实例：一条micronddr18mt46v32m4-75eccbank奇数片内存颗粒。winbond〔华邦〕含义说明：wxxxxxxxx123451、wwinbond2、代表显存类型：98sdram，94ddrram3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；4、代表封装，h为tsopbbgadlqfp装133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhzmosel〔台湾茂矽〕台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们生疏度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编6、76564/8＝8mb8、91616bit3t454.5nsnanya〔南亚〕、elixir、pqi、plu