三极管-第二讲课件

1．三极管伏安特性曲线（以共发射极组态为例）（1）三极管输入特性曲线。反映输入电流IB与输入电压UBE之间的关系曲线称为输入特性曲线，它以输出电压UCE一定值作参考量。当UCE≥1V之后，输入特性曲线基本重合。通常，把三极管电流开始明显增长的发射结电压称为导通电压。在室温下，硅管的导通电压约为0.6～0.7V，锗管的导通电压约为0.2～0.3V。三、三极管的特性曲线及主要参数(b)当uCE≥1V时，uCB=uCE

-uBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的uBE下IB减小，特性曲线右移。(a)当uCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。uCE1ViB(

A)uBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.8V,锗管UBE0.2~0.3V。uCE=0VuCE=0.5V死区电压:硅管0.5-0.7V，锗管0.1-0.3V。（2）三极管输出特性曲线。反映输出电流与输出电压U之间关系的曲线叫输出特性曲线，它以输入电流一定值作参考量。输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,，称为截止区。①截止区：

=0的输出特性曲线以下的区域。这时各电极电流几乎全为零，三极管内部各极开路，即相当于开关断开。此时管压降UCE近似等于电源电压。UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0，三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。②放大区：每条曲线的平直部分所构成的区域。在该区域三极管具有电流放大作用。在放大区的三极管IC只受IB控制，与UCE几乎无关。发射结正偏，集电结反偏，IC=IB

。对NPN型的三极管，有电位关系：UC>UB>UE；有发射结电压UBE≈0.7V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。③饱和区：每条曲线拐点连线左侧的区域。此时已不再受

控制，三极管没有电流放大作用。发射结正偏，集电结正偏，即UCEUBE

，

IB>IC，UCE的值很小；称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V；三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。

三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。试判断三极管的工作状态（a）图中，说明三极管导通。再计算，说明三极管处于放大状态。（b）图中很大，说明三极管处于截止状态。再计算，说明三极管处于饱和状态。（c）图中，说明三极管导通。（3）温度对三极管伏安特性曲线的影响。温度对半导体材料的导电性能影响很大，所以温度对三极管的性能也会产生影响。温度对三极管输入特性的影响温度升高1oC，UBE减小约2~2.5mV，具有负的温度系数。若UBE不变，则当温度升高时，iB将增大，正向特性将左移；反之亦然。（1）对的影响温度对三极管输出特性的影响温度升高，IC增大，

增大。温度每升高1oC，

要增加0.5%1.0%（2）对

的影响温度上升时，输出特性曲线上移2．三极管主要参数（1）电流放大系数。①共发直流电流放大系数β。它是反映三极管直流电流放大能力强弱的参数，它的定义是当UCE为常数时②共发交流电流放大系数β。它是反映三极管交流电流放大能力强弱的参数，它的定义是当UCE为常数时（2）反向饱和电流。①集—基反向饱和电流ICBO。它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向漏电电流。②集—射反向饱和电流ICEO。它是指三极管基极开路时，集电极与发射极