模拟集成电路课堂思考题(吴云昌主编)

思考题26每天进步一点和每天退步一点的区别。1.如右下图，写出其传递函数？2.如右图，写出其脉冲传递函数？V1

φ1

φ1

+

C3

VoVi

φ1T1T2φ2

φ2

C1T3T4T5T6φ2

φ2T7T8

C2

φ1ViVoφ1T1T2φ2

φ1C2φ2C1T3T4思考题25每天进步一点和每天退步一点的区别。DC/AC开关电源又称为器（电源）？

AC/AC开关电源又称为器？2.试说明右下图是降压、升压、反极型开关电源？并说明其工作原理？思考题24每天进步一点和每天退步一点的区别。1.如右图，W117的输出电流5mA<Io<1.5A,Uo=5V,则取R1=？R2=？2.试说明右下图由哪几部分构成，每部分主要由哪些元件组成？集成稳压器电路图恒流源基准电压电路调整电路比较放大减流保护过热保护启动电路取样电路事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

思考题23每天进步一点和每天退步一点的区别。1.试说明右图由哪几部分构成，当Uo↓时稳压原理？是何种运算电路，并计算其调压范围。2.试简要说明右下图的零温度系数稳压原理？思考题22事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。1.AD转换一般有哪4个步骤？2.计数、逐次渐近、并行比较、和双积分型ADC的优缺点是什么？3.如采用右下图方式，量化误差是多少？那么下图ADC输出是多少？思考题21事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。1.DAC的转换误差有哪几种？2.权电阻、R-2RT型、倒T型、权电流和权电容DAC的优缺点是什么？作业：P2736-13思考题20事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。1.什么是波段系数和相位噪声？2.下图输出频率是多少？3.前置分频、双模和多环频率合成器的优点是什么？4.8位DAC，参考电压3V，若输入01000000，输出电压为（）V？鉴相器环路滤波器压控振荡器可变分频混频晶振作业：P2736-1,6-7思考题19事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。1.频率合成的主要方式有、、？2.下图分别是调频电路还是解调电路，环路滤波器用宽带还是窄带？3.集成锁相环芯片中有锁相环的哪几部分构成？PDLFVCOVinVofiPDLFVCOfofΩ+（b）（a）思考题18事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。1.简述锁相环的基本特性有、、、？2.锁相环的线性化分析的前提是在锁定状态，还是在失锁状态。3.画出线性化的锁相环动态结构图，若LF为RC电路，试计算其闭环传递函数，是几阶几型？并分析其是否能跟踪频率阶跃和频率斜升信号。思考题171.什么是锁相环，它是由那几部分构成，各部分起什么作用，画出它的数学模型动态结构图。2.锁相环和AFC电路有何区别。3.瞬时频差与固有频差和控制频差有何关系？事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦。

罗素

每天进步一点和每天退步一点的区别。思考题161.分析下图所示电路的输入输出关系。2.画出输入输出均为正的开立方运算电路，并说明k1、k2的极性。作业：P2185-11学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

（a）（b）思考题151.简要分析下图所示电路。作业：P1604-7学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

思考题141.简要分析下图所示电路。2.默写555的8个管脚的用途。作业：P1183-9学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

思考题131.简要分析左下图所示电路。2.已知右下图R1＝R2，求解uO=f(uI)=?学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

作业P84：2-12-8思考题12（学号姓名）

1.下图是一种什么波形发生器？计算其阈值电压。画出其Vo1、Vo和Vp的波形图，简要分析说明其工作原理。2.画出集成运放构成的文氏桥振荡器的电路图，其中负反馈支路的Rf和Ri应该满足什么条件？选频电路的f0=？其低频等效电路是LPF、HPF？高频等效电路呢？绘制选频电路的幅频和相频特性曲线。事业源于不断地工作，以全副精神从事，不避艰苦与困难。罗素

思考题11（学号姓名）分别画出A1、A2和整体电路的输入输出传输特性曲线，简述右下图电路功能？正弦波发生器一般由哪几部分组成？学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

补充作业:用运放构建Uo=2(U1+U2)-U3电路。思考题10（学号姓名）第一阶段Uc1=？。第二阶段Uc2=？作业P34：1-121-14学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

Ф1Ф200T1T1T2T2A1OSC+－+_A2+_UiC1S1S3S2Ф1Ф2①②②①A3_+UoC2②①补充作业:用运放构建Uo=2(U1+U2)-U3电路。思考题9（学号姓名）如右下图示电路，如何引入电压串联负反馈。（写出连接标号）2.若uI1=20mV，uI2=12mV，则uId=？uIc=？3.若某电路性能指标Ad=100dB，CMRR=80dB，那么共模放大倍数Ac是多少倍？4.分析下图集成电路结构，并指出存在问题。学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

⑾思考题8学号：(后2位)姓名：1.试画出一个典型的5管P型的双端转单端输出的MOS差分放大电路。2.说明每个MOS管的作用，及选择P型差分电路的优点。成就是由一点一滴积累起来的，唯有长期的积累才能由点滴汇成大海。华罗庚

思考题7学号：(后2位)姓名：1.试分析图a电路。2.画出图b的负反馈原理动态结构图，并计算闭环放大倍数和输出电阻Ro。(a)oo(a)

人们想要成功，但却常常回避问题。只有抓住问题并处理问题才能取得成功。

乔赛亚·博尼尔

思考题6学号：(后2位)姓名：1.判断右图的类型CS、CG、CD？并分析其主要用途。2.

分别画出电阻做负载和MOS二极管做负载的共源放大电路图，对于前者若要获得大的增益应该如何配置静态工作点，有何优缺点？3.MOS共栅放大电路的电压和电流是否有放大作用，Rin和Rout（大、小）？主要用途？(a)oo(a)

人们想要成功，但却常常回避问题。只有抓住问题并处理问题才能取得成功。

乔赛亚·博尼尔

作业：P32，1-2思考题5学号：(后2位)姓名：1.请解释上图R+MOS结构当Vcc发生变化时，输出电压稳定的原理。2.

若下图MOS管T1、T2完全一致，且工作在饱和区，VDD=5V,VDS1=3V,VDS2=4V,R=2kΩ,λ1=1/80V-1,λ2=1/60V-1

，试计算输出电流Io？3.要使电流镜输出电流精准稳定，应该考虑改进哪几方面的因素？(a)GNDooo

人们想要成功，但却常常回避问题。只有抓住问题并处理问题才能取得成功。

乔赛亚·博尼尔

思考题4学号：(后2位)姓名：1.什么是过驱动电压？默写带沟道调制效应的平方率公式。2.

若使MOS管的跨导大，同等情况下，过驱动电压要（大、小）？ID要（大、小）？W/L要（大、小）？λ要（大、小）？3.如上图两个MOS管的特性曲线，哪个沟道长？哪个VA大？4.判断图a、b分别是考虑了哪种二级效应的MOS低频小信号模型？(a)世界上没有一劳永逸的事情，只有不断地学习，才能有所收获，享受学习带来的乐趣！(a)(b)ooo提高跨导的方法：可以通过增大KN（增大宽长比，增大Cox等）也可以通过增大ID来实现，但以增大宽长比为最有效。

沟道长度调制效应考虑沟道长度调制效应后mos管的在饱和区的跨导gm为：沟道长度调制效应改变了mos管的I/V特性，进而改变了跨导。

思考题3学号：(后2位)姓名：1.若MOS管正常工作，则其纵向PN结应该如何处置？2.

如图，请标注出ENMOS管作为开关管的开区(on区)，关区(off区)，线性电阻区，受控电流源区.3.比较a、b所在曲线的线性电阻区的电阻大小，比较a、b、c三点直流静态电阻的大小，c点的交流动态电阻约是多少？4.判断图示符号M1和M2的沟道类型。(a)世界上没有一劳永逸的事情，只有不断地学习，才能有所收获享受学习带来的乐趣！(c)(b)ooo思考题2学号：(后2位)姓名：1.集成电路制造的主要工艺步骤和环节有哪些？什么是自对准技术？2.

请简要说明下图的工艺步骤.学会独立思考和独立判断比获得知识更重要。爱因斯坦

(a)(c)(b)(j)(d)(f)(e)(h)(g)(i)多晶硅栅NMOS工艺流程

（1）衬底制备典型厚度0.4

0.8mm，

=75

125mm(3”

5”)NA=1015

1016cm-3

=25

2

cm（2）预氧在硅片表面生长一层厚SiO2，以保护表面，阻挡掺杂物进入衬底。

（3）涂光刻胶涂胶，甩胶，（几千转/分钟），烘干（100℃）

固胶。

（4）通过掩模版MASK对光刻胶曝光（5）刻有源区。掩模版掩蔽区域下未被曝光的光刻胶被显影液洗掉；再将下面的SiO2用HF刻蚀掉，露出硅片表面。

（6）淀积多晶硅除净曝光区残留的光刻胶（丙酮），在整个硅片上生长一层高质量的SiO2（约1000Å），即栅氧，然后再淀积多晶硅（1

2

m）。

（7）刻多晶硅，自对准扩散用多晶硅版刻出多晶硅图形，再用有源区版刻掉有源区上的氧化层，高温下以n型杂质对有源区进行扩散（1000℃左右）。此时耐高温的多晶硅和下面的氧化层起掩蔽作用——自对准工艺

（8）刻接触孔在硅片上再生长一层SiO2，用接触孔版刻出接触孔。

（9）反刻Al除去其余的光刻胶，在整个硅片上蒸发或淀积一层Al（约1

m厚），用反刻Al的掩模版反刻、腐蚀出需要的Al连接图形。

（10）刻钝化孔生长一层钝化层（如PSG），对