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文档简介

集成电路基本工艺集成电路是现代电子技术的核心，广泛应用于计算机、通信、医疗、汽车和家用电器等领域。本课件将介绍集成电路的制备工艺。集成电路的意义和应用催生信息时代集成电路的问世使得信息处理速度不断提升，促进了计算机等行业的发展，推动了信息时代的到来。方便快捷集成电路能将成千上万条电子元器件集成在一起，减少了体积、功耗和成本，提高了可靠性和制造效率。广泛应用集成电路不仅是高科技产业的基础，也渗透到了日常生活中的方方面面，如智能手机、电视、家电等。集成电路工艺概述1掩膜制备通过光刻、显影和烘烤等工艺在硅片上形成图案化的金属掩膜。2晶圆制备将掩膜盖在硅片上，利用扩散、沉积、蚀刻等工艺在硅片上形成电路。3封装测试将制好的芯片封装成IC，进行测试，排除不良品。光刻工艺光刻原理利用光刻胶和掩膜对硅片进行曝光、显影等工艺，形成电路图案。掩膜制备根据电路设计图制作掩膜，一般使用石英玻璃、石墨等材料。洁净室光刻制程需要高度洁净的空气环境，以防止灰尘等颗粒物影响芯片质量。扩散制备工艺1扩散在硅片上扩散杂质或掺杂物，形成PN结，实现电路的位置选择和电性控制。2离子注入利用离子注入装置向硅片中注入掺杂材料，与扩散工艺相比，精度和控制性更好。3热氧化将硅片加热到高温状态，氧气与硅片表面反应生成氧化物，形成结构和电性控制层。沉积制备工艺CVD法在硅片上气相沉积薄膜，如SiN、SiO2、多晶硅等，常用于制备沟槽隔离层。PVD法在硅片上物理气相沉积薄膜，如铝、铜、钨等，常用于制备金属导线和电极。化学镀通过将电解液中的金属离子沉积在硅片表面上，制备金属膜层。蚀刻制备工艺1湿法蚀刻利用酸性或碱性液体对硅片进行局部溶解，去掉不需要的材料，如基片氧化、铝线等。2干法蚀刻在高真空、高能等环境下，通过粒子炮轰去除硅片表面材料，常用于制备微米级别的结构体。3电子束蚀刻利用电子束对物质进行瞬间撞击，形成微小的凸块和凹坑，制备高性能的微电子元器件。清洗工艺洁净室清洗和制造过程中需要超净的环境，减少灰尘等颗粒的污染。旋涡清洗使用高速旋转的旋涡洗去硅片表面的污物和胶水等杂质。超声波清洗利用高频超声波振荡溶液中的气泡，对硅片表面进行无接触清洗。集成电路未来发展趋势尺寸缩小集成电路的制造工艺将越来越向着纳米级别发展，提升芯片的集成度和处理速度。功能增强集成电路将向着智能化、网络化、多媒体化和安全化等方向发展，不断拓

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