功率半导体分立器件 头豹词条报告系列

信息科技/半导体MOSFET信息科技/半导体MOSFET客服电话：400-072-5588功率半导体分立器件头豹词条报告系列马炎·头豹分析师2023-08-28未经平台授权，禁止转载版权有问题？点此投诉行业：制造业/计算机、通信和其他电子设备制造业/电子器件制造/半导体分立器件行业：功率半导体分立器件功率半导体分立器件下游分析行业定义下游分析功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且…AIAI访谈产业链分析上游分析AIAI访谈行业分类按照控制电路信号对器件的控制程度，功率半导体分立器…AIAI访谈行业规模功率半导体分立器件行业规模暂无评级报告AI访谈数据图表行业特征从产品设计角度看，为了满足现代电子设备对于高性能、…AIAI访谈政策梳理功率半导体分立器件行业相关政策5篇AIAI访谈发展历程功率半导体分立器件行业目前已达到3个阶段AIAI访谈竞争格局中国功率半导体分立器件行业市场化程度较高，行业集中…AI访谈数据图表摘要功率半导体分立器件主要起功率控制、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，是电力电子应用装备的基础及核心器件，广泛应用于消费电子、网络通信、工业控制等，新能源汽车等领域。目前，中国功率半导体分立器件行业市场化程度较高，行业集中度较低，竞争较为激烈。虽然中国功率半导体分立器件企业虽然起步相较国外企业较晚，但是经过长期的发展，积累了相关技术经验，与国外企业的技术差距进一步减小，受益于下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，政策法规鼓励支持国产功率半导体分立器件的研发，功率半导体分立器件国产化进程加速。随着新能源汽车以及光伏、风电等行业的蓬勃发展，预计未来中国功率半导体分立器件行业规模整体呈稳定增长态势，2027年市场规模有望达1,373.5亿元。摘要功率半导体分立器件行业定义[1]功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。功率半导体分立器件是半导体器件的重要组成部分，是电力电子应用装备的基础及核心器件，主要起功率控制、功率放大、功率开关、线路保护和整流等作用，保障电能运行更加安全、可靠、高效和经济。功率半导体分立器件的应用十分广泛，几乎覆盖所有的电子制造业，传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业控/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg== 不可控器件功率半导体分立器件分类 半控器件 全控器件 不可控器件功率半导体分立器件分类 半控器件 全控器件源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为功率半导体分立器件的新兴应用领域。[1]1：功率半导体分立器件产…功率半导体分立器件行业分类[2]按照控制电路信号对器件的控制程度，功率半导体分立器件可分为不可控型、半控型和全控型。按照器件结构，功率半导体分立器件可分为肖特基二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、快速晶闸管和其他结构类型功率半导体分立器件。按照控制电路信号对器件的控制程度不可控型功率半导体分立器件是指不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件，代表器件为功率二极管等。半控型功率半导体分立器件是指通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件为晶闸管及其大部分派生器件。全控型功率半导体分立器件是指通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件为绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等。按照器件结构/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==肖特基二极管金属-氧化物半导体场效应晶体管功率半导体分立器件分类绝缘栅双极晶体管快速晶闸管其他结构类型功率半导体分立器件1：肖特基二极管金属-氧化物半导体场效应晶体管功率半导体分立器件分类绝缘栅双极晶体管快速晶闸管其他结构类型功率半导体分立器件1：https://zhuanlan.z…肖特基二极管是单极器件，利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结作为肖特基势垒，以产生整流的效果，在中等、高等功率领域中应用广泛。金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET简称金氧半场效晶体管或MOS管，MOS管属于绝缘栅型场效应管，其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点。快速晶闸管是普通晶闸管的一种派生器件，是用于较高频率的整流、逆变和变频电路的器具，并且可以在400Hz以上频率工作的晶闸管，快速晶闸管主要用于感应加热的中频电源装置。除肖特基二极管、MOSFET、IGBT和快速晶闸管外，功率半导体分立器件还包括双极性结型晶体管（BJT）、结型场效应晶体管（JFET）、光控晶闸管、双向晶闸管、整流二极管等。2：功率半导体分立器件产2：功率半导体分立器件产…功率半导体分立器件行业特征[3]从产品设计角度看，为了满足现代电子设备对于高性能、小型化、高效能、可靠性的需求，功率半导体分立器件模块化与集成化趋势将愈发显著。从认证周期看，由于功率半导体分立器件下游客户对功率半导体分立器件的性能、质量等审查严格，致使产品通过审查需经6个月至2年不等，认证周期较长。从产品发展趋势来看，下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，但本土厂商供给率较低，国产替代空间广阔。1集成化趋势明显/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==2：http://www.eeo.co…2：http://www.eeo.co…3：…4：维安电子公告，扬杰科…终端领域高功率密度需求带动功率半导体分立器件模块化和集成化。在高功率应用中，大型器件将会导致散热问题和占用大量空间，集成化可以减少组件数量，减小器件的尺寸和体积，集成化可以减少连接点，降低潜在的故障源，从而提高器件的可靠性。随着新能源汽车、5G技术的兴起，为了满足现代电子设备对于高性能、小型化、高效能、可靠性的需求，功率半导体分立器件模块化与集成化趋势将愈发显著。2下游客户认证周期较长功率半导体分立器件下游客户对功率半导体分立器件的性能、质量等审查严格且时间较长，通常在6个月至功率半导体分立器件的稳定性和可靠性对下游产品品质有重要影响，下游客户对过功率半导体分立器件有严格的筛选和认证标准，功率半导体分立器件认证过程通常要经过样品监测、小批量试用、稳定性监测、批量生产及体系审核等多轮环节，通过认证后还需通过定期考核，认证周期通常在6个月至2年不等，部分高认证要求产品认证周期可达数年，认证周期较长。3国产替代空间广阔功率半导体分立器件需求量较高，本土厂商供给率较低，国产替代空间广阔。近些年中国功率半导体分立器件行业发展迅速，但相较于国际领先水平仍有一定的差距，关键技术和高端产品仍依赖欧美企业。中国功率半导体分立器件行业下游应用行业的高速发展，对功率半导体分立器件需求日益旺盛，若出现供不应求的情况，会影响企业功率半导体分立器件的生产以及下游应用领域的使用。例如，中国IGBT供需缺口较大，2022年交期、价格以上涨为主，中国2021年I国IGBT产量仅0.258亿只，本土厂商供给率仅为19.55%，国产替代空间广阔。富昌电子2022年第四季度报1：1：https://doc.rongd…功率半导体分立器件发展历程[4]功率半导体分立器件迄今主要经历了三个发展阶段：在1957年至1980年的萌芽期，美国通用电气公司研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。二十世纪70年代后期，全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。在1981年至1999年的启动期，绝缘栅极双极型晶体管成为现代电力电子技术的主要器件，二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。在/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==1：https://zhuanlan.z…3：https1：https://zhuanlan.z…3：https://www.thepa…4：功率半导体分立器件产…2000年至2023年的高速发展期，新洁能、捷捷微电等企业崛起，2017年左右，一些主业为二极管、晶闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发展。萌芽期1957~19801957年，美国通用电气公司(GE)研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。1959年，第一个真正的紧凑型晶体管MOSFET问世。二十世纪70年代后期，门极可关断晶闸管GTO、电力双极型晶体管BJT、电力场效应晶体管功率MOSFET为代表的全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。1957年，美国通用电气公司研制出世界上第一只工业用普通晶闸管，标志着功率半导体分立器件的诞生。二十世纪70年代后期，全控型器件迅速发展，第二代功率器件应运而生。启动期1981~1999二十世纪80年代后期，绝缘栅双极晶体管集合了MOSFET的驱动功率小、开关速度快和BJT通态压降小、载流能力大的优点，成为现代电力电子技术的主要器件，在中低频大功率电源中占重要地位。二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。二十世纪80年代后期，绝缘栅双极晶体管成为现代电力电子技术的主要器件，二十世纪90年代，智能功率模块使功率器件的发展向大功率、高频化、高效率跨向一大步。高速发展期2000~20232000年后，华润微、华虹开始转型，开始研发MOSFET等功率器件，2010年左右，新洁能、捷捷微闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，例如扬杰科技等企业，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发展。2010年左右，新洁能、捷捷微电等企业崛起，2017年左右，一些主业为二极管、品闸管等产品的企业纷纷转型，生产价值更高的IGBT等器件，国产替代不断推进，功率半导体分立器件行业快速发2：2：https://zhuanlan.z…功率半导体分立器件产业链分析[5]/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==華虹半導體有限公司隆基绿能科技股份有限公司華虹半導體有限公司隆基绿能科技股份有限公司功率半导体分立器件产业链上游为原材料供应，原材料供应代表性参与方有华虹半导体、晶瑞股份等。产业链中游为功率半导体分立器件产生产制造，代表性参与方有扬杰科技、新洁能、台基股份等。产业链下游为功率半导体分立器件应用领域，代表性参与方有华为、特斯拉、中兴等。功率半导体分立器件产业链上游原材料在功率半导体分立器件营业成本中占比较高，占功率半导体分立器件IDM(IntegratedDesignandManufacture，垂直整合制造）、Fabless（没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式）和Foundry（专门负责生产、制造芯片采用IDM模式的企业具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，但对于企业的资本实力和技术实力要求较高，企业会在一定程度上承受经营利润波动的压力，采用Fabless经营模式的企业资金运用较为灵活，可迅速响应市场需求。目前IGBT与超结MOSFET功率半导体分立器件产品需求快速增加，高附加值产品占比逐步提升。功率半导体分立器件产业链下游应用领域众多，新能源汽车及相关产业或将成为功率半导体分立器件下游中最具发展潜力的需求市场。上产业链上游生产制造端原材料供应上游厂商厦门士兰集科微电子有限公司查看全部产业链上游说明产业链上游为原材料供应。功率半导体分立器件原材料主要为硅片，晶圆，光刻板，引线框架，宽禁带材料碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)，其他辅助材料。原材料在功率半导体分立器件营业成本中占比较高，占功率半导体分立器件营业成本约60%-70%，例万元，占营业成本的71.7%；苏州固锝原材料价格为62,433.9万元，占营业成本的62.9%。以原材料硅片为例，2022年华虹半导体硅片占原材料成本的48%。生产功率半导体主要使用6英寸和8英寸硅片，微控制器使用8英寸硅片，逻辑芯片和存储芯片则需要12英寸硅片，随着半导体技术的发展和市场需求的变化，硅片正逐渐向大尺寸趋势发展。中产业链中游品牌端功率半导体分立器件生产制造/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==扬州扬杰电子科技股份有限公司查看全部ˇ特斯拉（上海）有限公司三星（中国）投资有限公司查看全部扬州扬杰电子科技股份有限公司查看全部ˇ特斯拉（上海）有限公司三星（中国）投资有限公司查看全部中游厂商上海芯导电子科技股份有限公司无锡新洁能股份有限公司产业链中游说明产业链中游为功率半导体分立器件生产。功率半导体分立器件企业主要经营模式主要有三种，分别为IDM、Fabless和Foundry。IDM是指设计、制造及封测等环节均涉及的经营模式，该模的内部整合优势，有利于积累工艺经验，但对于企业的资本实力和技术实力要求较高，企业会在一定程度上承受经营利润波动的压力。Fabless指没有制造业务、只专注于设计的经营模式，采用该经营模式企业资金运用较为灵活，可迅速相应市场需求。Foundry是指专门负责生产制造的经营模式。2021年，全球Fabless经营模式企业销售额增长36%，IDM营模式企业销售额增长21%，2011年至2021年，Fabless经营模式企业销售额增长了167.6%，从664亿美元增长至1,777亿美元，而IDM营模式企业销售额仅增长了63%，从2,039亿美元增长至3,328亿美元。IGBT与超结MOSFET产品需求快速增加，高附加值产品占比提升。例如新洁能传统成熟工艺的沟槽型MOSFET的生产销售减少，超结MOSFET、IGBT的生产销售增加。2022年，新洁能IGBT产品实现销售收入40,299万元，较2021年同比增长398.2%，销售占比由2021年的5.4%提升至2022年的22.3%；超结MOSFET产品实现销售收入21,297.9万元，较2021年同比增长38.4%，销售占比由2021年的10.21%提升至2022年的11.8%；沟槽型MOSFET销售占比从2021年的45.14%降低至2022年的27.7%。下产业链下游渠道端及终端客户应用领域渠道端华为技术有限公司产业链下游说明产业链下游为功率半导体分立器件应用领域。功率半导体分立器件应用领域广泛，已从传统消费电子、网络通信、工业控制等应用领域，拓展至新能源汽车、智能电网、新能源发电、轨道交通等新兴应用领域。从下游应用占比来看，MOSFET下游应用领域主要为消费电子、工业、通讯、汽车电子等领域，在MOSFET广泛的应用分布中，汽车电子及充电桩占比约20%-30%，消费电子占比25%以上，工业领域约占15%。2020年，IGBT下游应用领域工业、家用电器领域占比为31%、24%。从行业发展来看，新能源汽车及相关产业为功率半导体分立器件下游中最具发展潜力的需求市场，另外，/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JX7/191：http://www.seccw.…3：https://www.1：http://www.seccw.…3：https://www.sohu.…4：https://doc.rongd…5：https://doc.rongd…7：https://xueqiu.co…8：深圳市电子商会，功率…受国家政策大力支持，新能源领域，例如光伏、风电等行业高速发展，未来该领域的功率半导体分立器件市场需求也将大幅增加。2：2：https://doc.rongd…6：6：https://doc.rongd…功率半导体分立器件行业规模[6]中国功率半导体分立器件行业市场规模功率半导体分立器件行业规模计算规则：中国功率半导体分立器件行业市场规模=(中国IGBT市场规模+中国MOSFET市场规模)/中国IGBT和MOSFET在中国功率半导体分立器件中的占比数据来源：维安电子公告中国功率半导体分立器件市场规模整体呈上升趋势。2018年至2022年，中国功率半导体分立器件市场规模由385.0亿元增长至732.7亿元，年复合增长率为17.5%；预计2027年中国过压防护器件市场规模有望达1,373.5亿元，2023年至2027年市场规模年均复合增长率达13%。功率半导体分立器件主要应用于手机、电脑等消费电子，工业控制，通信设备等领域。下游行业的快速发展是功率半导体分立器件市场增长的驱动力。（1）手机和电脑等设备功能复杂，涉及到较多数据交换及信号传递，手机、电脑等设备也均需要通过适配器对其进行充电，在信号切换及开关，电源电压转换过程中均需要使用到功率半导体分立器件。5G进入商业化阶段引起智能手机、终端电子设备等消费电子的升级换代，从而带动中/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==2：https://zhuanlan.z…3：广合科技公告2：https://zhuanlan.z…3：广合科技公告，宏和电…国功率半导体分立器件的市场需求上涨。2022年中国5G手机出货量的市场占比已超过80%。消费电子的快速发展也推动了功率半导体分立器件行业的发展，基于消费电子产品制造技术的迭代发展以及移动互联网应用的普及，消费电子市场规模快速增长，消费者群体持续扩大，2021年全球消费电子产值达3,660亿美元。（2）在通信设备、工业控制领域中，电源供电转换过程及信号的处理均需用到功率半导体分立器件，通信设备和工业控制领域的快速发展推动了功率半导体分立器件需求的增长，2021年全球通信设备（不含手机终端）产值达2,210亿美元，2021年全球工业控制产值达2,590亿美元。预计未来五年功率半导体分立器件行业规模将呈增长态势。一方面，除了消费电子、通信设备、工业控制等领域，近年来，新能源汽车及充电系统、轨道交通、新能源发电等领域也逐渐成为功率半导体分立器件的新兴应用领域，这些领域的蓬勃发展将推动功率半导体分立器件市场的快速增长，例如，新能源电动汽车的电池、电机、电控系统以及电空调驱动、车载充电器等电力电子装置都需要能够实现电能转换和控制的功率半导体分立器件。2022年，新能源汽车产量和销量分别为705.8万辆和688.7万辆，同比分别增长96.9%和93.4%。其中新能源乘用车产销分别完成671.6万辆和654.9万辆，同比分别增长97.8%和94.3%；新能源商用车产销分别完成34.2万辆和33.8万辆，同比分别增长81.8%和78.9%。新能源汽车行业的快速发展对功率半导体分立器件市场规模的增加起到促进作用。另一方面，功率半导体器件行业是中国重点鼓励和支持的产业，为推动电力电子技术和产业的发展，中国制订了一系列政策与法规引导、鼓励、支持功率半导体事业的发展，增强本土科技竞争力。随着“智能制造”和“新基建”等国家政策的深入推进，以及“碳达峰、碳中和”双碳策略的落实，功率半导体器件作为中国实现电气化系统自主可控以及节能环保的核心零部件，有望在政策的护航之下驶入快车道。1：1：https://mp.weixin.…功率半导体分立器件政策梳理[7]政策名称颁布主体生效日期影响《关于推动能源电子产业发展的指导意见》工信部等六部门2023-018政策内容研究小型化、高性能、高效率、高可靠的功率半导体、传感类器件、光电子器件等基础电子元器件及专用设备、先进工艺，支持特高压等新能源供给消纳体系建设。政策解读政策鼓励小型化、高性能、高效率、高可靠的电子器件工艺研究，这将促进功率半导体分立器件相关技术的不断创新和发展，向更高水平迈进。政策性质指导性政策/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==政策名称颁布主体生效日期影响《鼓励外商投资产业目录（2022年版）》国家发展改革委、商务部2022-107政策内容将“新型电子元器件制造：片式元器件、敏感元器件及传感器、频率控制与选择元件”、“混合集成电路”、“电力电子器件”、“光电子器件”、“新型机电元件”等列入鼓励外商投资产业目录。政策解读该政策有助于推动功率半导体分立器件市场需求增长，利于企业扩大销售规模和市场份额。企业可以充分利用政策导向，加强产品研发和创新，实现可持续增长。政策性质鼓励性政策政策名称颁布主体生效日期影响《基础电子元器件产业发展行动计划（2021-2023年）》工业和信息化部2021-019政策内容重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。政策解读该政策有助于推动功率半导体分立器件行业加快技术研发和产业升级，更好地满足市场需求，提供高质量的产品和解决方案。政策性质指导性政策政策名称颁布主体生效日期影响《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部2020-098政策内容加快基础材料、关键芯片、高端元器件、新型显示器件、关键软件等核心技术攻关，大力推动重点工程和重大项目建设，积极扩大合理有效投资。政策解读政策鼓励将为功率半导体分立器件的技术升级和产品升级提供有效帮助，有助于提升产品性能、降低成本，推动行业的发展。/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==1：https://www.ndrc.…1：https://www.ndrc.…3：.c…4：.c…5：.c…政策性质指导性政策政策性质政策名称颁布主体生效日期影响《产业结构调整指导目录（2019年本）》国家发展改革委2019-108政策内容将新型电子元器件(片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等)制造列为信息产业行业鼓励类项目。政策解读政策鼓励新型电子元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件的发展制造。该政策有利于增加市场对功率半导体分立器件的需求，为功率半导体分立器件企业提供巨大市场机遇。政策性质指导性政策2：2：.c…6：6：国家发展改革委，中国…功率半导体分立器件竞争格局[8]中国功率半导体分立器件行业市场化程度较高，行业集中度较低，竞争较为激烈。从企业毛利率来看，派瑞股份、捷捷微电属于第一梯队，芯导科技、扬杰科技、新洁能、士兰微、台基股份属于第二梯队，苏州固锝、银河微电、维安电子属于第三梯队。中国功率半导体分立器件企业虽然起步相较国外企业较晚，但是经过长期的发展，积累了相关技术经验，与国外企业的技术差距进一步减小。中国功率半导体分立器件头部企业竞争优势的形成主要归因于其较强的技术研发能力与较完善的经营模式。（1）较强的技术研发能力可保障企业能够不断进行产品升级和创新，以满足不断变化的市场需求，有助于企业紧跟市场发展的步伐，提供更优质、更高性能的产品，保持技术领先水平，提升核心竞争力。例如，捷捷微电经过长时间技术累积，现已形成成熟的自主知识产权体系和研发机制，晶闸管系列产品的技术水平和性能指标已经达到了国际大型半导体公司同类产品的水平，且产品已经具备替代进口同类产品的实力。2022年，捷捷微电发明出一种半导体功率器件结构、一种分离栅MOSFET的制作方法、一种源栅间接电连接的先进二极管封装结构等多项发明，截止2022实用新型专利148项，外观专利1项，2022年捷捷微电研发费用达21,294.4万元，较上年同比增加61.80%。（2）功率半导体分立器件行业的主要经营模式主要有三种，分别为IDM、Foundry和Fabless，其中IDM模式对于公司的资本实力和技术实力要求最高，IDM模式是涵盖集成电路设计、晶圆制造、封装及测试等各业务环节的一体化整合经营模式。将各业务环节整合一体化的经营模式，可自主把控产品设计、加工生产，提升特色工艺和/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==2023/9/1516:07产品的研发上的竞争优势，有利于保障器件的质量和可靠性，加强控制成本，便于向客户提供高质量、高性价比的产品与服务，满足下游用户多样化需求。例如，士兰微依托IDM模式形成了较强的设计与工艺相结合的综合实力，加快了产品品质的提升、满足了更多下游客户多样化需求，2022年，士兰微电路和功率器件成品的销售收入中，已有约70%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。2022年，士兰微营业总收入为828,220万元，较2021年同比增长15.1%。随着中国企业逐步突破功率半导体分立器件在设计、生产等环节的核心技术，国产功率半导体分立器件产品的质量、性能、技术标准不断提升，企业品牌认可度逐步升高，预计未来中国功率半导体分立器件应用市场对进口器件的依赖将会减弱，国产替代海外进口的趋势愈加明显。同时，中美贸易争端和西方技术封锁将加快中国功率半导体产业自主化进程，地缘政治等对供应链安全提出了更高的要求，中国功率半导体分立器件企业迎来发展良机，拥有较强的技术研发能力，以及完善经营模式的企业将获得先发优势。上市公司速览上海芯导电子科技股份有限公司(688230)扬州扬杰电子科技股份有限公司(300373)总市值-营收规模同比增长(%)5409.9万元-37.51毛利率(%)34.26总市值-营收规模13.1亿元同比增长(%)-7.55毛利率(%)30.71无锡新洁能股份有限公司(605111)杭州士兰微电子股份有限公司(600460)/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==4：https://www.qcc.c…3：https://www.qcc.c…1：https4：https://www.qcc.c…3：https://www.qcc.c…1：https://www.qcc.c…7：https://www.qcc.c…5：https://www.qcc.c…8：https://www.qcc.c…9：https://www.qcc.c…11：https://doc.rong…12：https://doc.rong…15：https://doc.rong…13：https://doc.rong…16：https://doc.rong…17：https://doc.rong…19：https://doc.rong…20：各企业2022年年报，…1：https://doc.rongd…[10]1：https://www.qcc.c…总市值-营收规模3.7亿元同比增长(%)-11.15毛利率(%)31.42总市值营收规模-20.7亿元同比增长(%)毛利率(%)26.17常州银河世纪微电子股份有限公司(688689)总市值营收规模同比增长(%)毛利率(%)-1.5亿元-14.7829.83苏州固锝电子股份有限公司(002079)总市值营收规模同比增长(%)毛利率(%)-7.3亿元-8.3113.81西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司总市值营收规模同比增长(%)毛利率(%)-1634.4万元-50.8045.89湖北台基半导体股份有限公司(300046)总市值营收规模同比增长(%)毛利率(%)-1.6亿元-7.7823.93江苏捷捷微电子股份有限公司(300623)总市值营收规模同比增长(%)毛利率(%)-4.0亿元7.8234.812：2：https://www.qcc.c…6：6：https://www.qcc.c…10：10：https://www.qcc.…14：14：https://doc.rong…18：18：https://doc.rong…2：企业2022年年报2：企业2022年年报2：企查查2：企查查功率半导体分立器件代表企业分析[11]1扬州扬杰电子科技股份有限公司【300373】公司信息企业状态存续注册资本51240.0109万人民币企业总部扬州市行业电力、热力生产和供应业法人梁勤统一社会信用代码913210007908906337企业类型股份有限公司(上市、自然人投资或控股)成立时间2006-08-02/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==品牌名称扬州扬杰电子科技股份有限公司股票类型A股经营范围新型电子元器件及其它电子元器件的制造、加工，销售本公司自产产品；分布式光伏发电；…查看更多财务数据分析财务指标201420152016201720182019202020212022销售现金流/营业收入1.0111.080.961.061.020.8---资产负债率(%)18.555836.138418.628430.880227.820825.253726.456329.21833.16635.408营业总收入同比增长(%)22.215528.724642.723623.471226.01388.386130.387468.00322.903-7.552归属净利润同比归属净利润同比增长(%)应收账款周转天数(天)流动比率12.57822.785246.456532.076-29.702620.156768.0038---103.0043117.6778105.2385100.1948100.3177107.446697.83677574893.91422.03344.37272.12221.98512.18192.11342.1622.1611.899每股经营现金流每股经营现金流(元)0.51620.20130.53650.51940.44850.78811.04581.3961.5570.102毛利率(%)毛利率(%)流动负债/总负债(%)32.266434.635435.355335.575431.362929.804534.2735---93.080676.30886.729696.276595.303888.981988.537986.16965.63966.069速动比率速动比率摊薄总资产收益率(%)2.40751.70991.72161.37131.18121.73861.59911.6271.5731.42215.667412.470510.59239.25665.58596.309610.031313.38112.5631.825营业总收入滚动营业总收入滚动环比增长(%)扣非净利润滚动环比增长(%)加权净资产收益率(%)基本每股收益(元)净利率(%)总资产周转率(次)12.276834.161125.34-8.6655-1.806514.91469.3439----15.82142.11814.0353-5.2384-103.3172.88870.8535---17.2517.6815.9912.58.029.1613.89---0.690.330.470.570.40.480.81.512.070.3517.348116.609716.995818.19810.177510.983314.595818.776220.24060.90310.75080.62320.50870.54880.57450.68730.7660.640.132/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==归属净利润滚动环比增长(%)-19.46656.485513.1638-10.0078-160.023924.3706-1.9294---每股公积金(元)1.42270.08022.09872.13562.13872.20592.25524.91125.04045.0491存货周转天数(天)营业总收入(元)60.579561.218255.42364.770375.519282.193779.3861901161186.48亿8.34亿11.90亿14.70亿18.52亿20.07亿26.17亿43.97亿54.04亿13.10亿每股未分配利润(元)1.7810.93521.17351.57631.8252.00862.66253.70915.40495.7596稀释每股收益(元)0.690.330.470.570.40.480.81.512.070.35归属净利润(元)归属净利润(元)扣非每股收益(元)1.12亿1.38亿2.02亿2.67亿1.87亿2.25亿3.78亿7.68亿10.60亿1.82亿0.610.30.440.460.420.440.781.920.3519经营现金流/营经营现金流/营业收入0.51620.20130.53650.51940.44850.78811.04581.3961.5570.102竞争优势先进的研发技术平台：扬杰科技通过与行业内知名院校及科研院所合作，整合各个事业部的研发团队，组建了公司级研发中心。并且在原有IGBT研发团队、MOSFET研发团队、二三极管芯片研发团队等7大核心团队基础上，新增了8寸晶圆长沙研发团队、IGBT日本研发团队、MOSFET台湾研发团队、单晶硅成都研发团队。扬杰科技建立了覆盖芯片、封装、应用的仿真平台，按照国内一流电子实验室标准建设研发中心实验室，并成功通过CNAS（中国合格评定国家认定委员会）认证。不断丰富的研发专利：专利是企业发展的关键。扬杰科技持续加大专利技术的研发投入，充实核心技术专利储备，2022年，扬杰科技获得授权专利52件，集成电路布图设计10件，新申请国家专利39件，集成电路布图设计13件。2无锡新洁能股份有限公司【605111】公司信息企业状态存续注册资本29820.4073万人民币企业总部无锡市行业研究和试验发展法人朱袁正统一社会信用代码913202000601816164企业类型股份有限公司(上市、自然人投资或控股)成立时间2013-01-05品牌名称无锡新洁能股份有限公司股票类型A股经营范围电力电子元器件的制造、研发、设计、技术转让、技术服务、销售；集成电路、电子产品的…查看更多财务数据分析/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==财务指标销售现金流/营业收入2014201520162017201820192020202120222023(Q10.880.810.91.060.980.950.99---资产负债率(%)64.938635.686640.986723.707823.333429.242417.055718.82713.47613.066营业总收入同比增长(%)-34.743438.129219.341842.08967.927823.617356.88919.872-11.147归属净利润同比增长(%)--22.5035138.998943.9878172.5303-30.554241.8949---应收账款周转天数(天)74.239-78.116556.105429.87835.860936.3042272937流动比率1.43552.71862.36013.98743.55033.03495.46714.6697.1117.278每股经营现金流(元)0.96-0.510.010.951.240.990.7973.1821.2830.09毛利率(%)毛利率(%)流动负债/总负债(%)速动比率摊薄总资产收益率(%)16.853616.535318.893324.687131.625520.727325.3708---10010010010099.804796.705595.250390.96890.72590.4711.08292.16931.91233.48952.69442.38494.67593.9256.2066.35116.01319.093614.44713.83426.215113.780412.63222514.7981.622加权净资产收益加权净资产收益率(%)基本每股收益(元)59.1822.6923.6519.6833.7218.818.49---1.130.280.570.741.861.291.61净利率(%)8.57934.93438.537610.300819.75712.712614.592227.395723.999517.0674总资产周转率总资产周转率(次)每股公积金(元)1.86651.84291.69221.3431.32691.0840.86570.9130.6160.093-3.63883.63887.97771.99261.99265.68114.07129.78469.8579存货周转天数存货周转天数(天)营业总收入(元)每股未分配利润(元)稀释每股收益(元)48.370246.871946.431847.656260.486972.973562.1665691091552.27亿3.06亿4.22亿5.04亿7.16亿7.73亿9.55亿14.98亿18.11亿3.74亿-1.58273.09534.4142.88414.04584.27475.08024.85234.74851.130.280.570.741.861.291.61/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==一般项目：一般经营项目：电力电子器件、电力电子成套设备的研发、生产、实验调试和销…查看更多一般项目：一般经营项目：电力电子器件、电力电子成套设备的研发、生产、实验调试和销…查看更多经营范围归属净利润(元)1945.76万1507.89万3603.85万5189.11万1.41亿9820.95万1.39亿4.10亿4.35亿6495.27万扣非每股收益扣非每股收益(元)1.060.410.550.981.841.151.642.842.020.2993经营现金流/营业收入0.96-0.510.010.951.240.990.7973.1821.2830.09竞争优势研发实力优势：新洁能具备独立的IGBT、MOSFET自主的工艺技术平台。截至2022年低，新洁能（含子公司）拥有182项专利，其中发明专利81项、美国专利1项，集成电路布局图26项，软件著作权1项。新洁能持续提升自身在先进功率半导体领域的整体技术水平，已实现对国际一流半导体功率器件企业在主流产品中的技术替代。新洁能与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作，针对重点项目成立了技术攻关小组，持续推进高端IGBT、MOSFET的研发和产业化，在已推出先进的超薄晶圆IGBT、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET产品基础上，进一步对上述产品升级换代。进口替代优势：新洁能通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平，新洁能的研发设计紧跟英飞凌（Infineon）等国外一线品牌，部分产品的参数性能及应用表现与国外一线品牌主流产品甚至最新产品相当，实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的进口替代。3西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司【300831】公司信息企业状态开业注册资本32000万人民币企业总部西安市行业计算机、通信和其他电子设备制造业法人陆剑秋统一社会信用代码916101315660088532企业类型其他股份有限公司(上市)成立时间2010-12-10品牌名称西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司股票类型A股财务数据分析财务指标销售现金流/营业收入资产负债率(%)营业总收入同比增长(%)20150.5365.6634-20162017201820192020202120222023(Q1)0.790.931.041.05----68.62852.95132.849124.16876.4198.6929.9856.7267.420524.6106-21.8609-5.468-48.08146.611-1.343-50.797/wiki/brief?id=64c60ad9cb9524cdffe38d72&source=JXU1MTk5JXU0RjVDMTY5MDcwMDUwNTEyMg==归属净利润同比增长(%)应收账款周转天数(天)流动比率每股经营现金流(元)毛利率(%)流动负债/总负债(%)速动比率摊薄总资产收益率(%)基本每股收益(元)净利率(%)总资产周转率(次)每股公积金(元)存货周转天数(天)营业总收入(元)每股未分配利润(元)稀释每股收益(元)归属净利润(元)扣非每股收益(元)经营现金流/营业收入--1.21950.0843.206298.05510.74412.5815-8.53840.3023-584.70032.37