模拟电子技术复习题+参考答案

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、错误B、正确;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、对:B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。A、正确;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。A、0；B、不定。C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是()。A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、对:B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在()现象。A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、错误B、正确;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B16、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、对:B、错正确答案：A17、P型半导体中的多数载流子是（）A、负离子B、自由电子C、空穴D、正离子正确答案：C18、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B19、N型半导体中多数载流子是_____。A、自由电子B、空穴C、PN结正确答案：A20、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。()A、正确;B、错误正确答案：A21、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（）A、对:B、错正确答案：A22、稳压二极管的正常工作状态是()。A、任意状态B、导通状态C、截止状态D、反向击穿状态正确答案：D23、NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：C24、N型半导体中的少数载流子是()A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子正确答案：A25、当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.4B、0.5C、0.707D、0.9正确答案：C26、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。正确答案：A27、基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C28、P型半导体中的多数载流子是()A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子正确答案：C29、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时,运放处于()A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D30、P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、四价;B、三价;C、五价;D、六价。正确答案：B31、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（）A、错B、对:正确答案：B32、当反馈深度|1+AF|=0时,放大电路()A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D33、场效应管的g极是它的()。A、发射极B、栅极C、源极D、漏极正确答案：B34、射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小B、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案：C35、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。A、正弦半波；B、矩形方波；C、仍为正弦波。D、等腰三角波；正确答案：A36、放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、错误B、正确;正确答案：B37、若本征半导体掺入三价杂质元素，会生成N型半导体，其多子是自由电子载流子。（）A、对:B、错正确答案：B38、理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：A39、稳压二极管的正常工作状态是()。A、截止状态;B、反向击穿状态;C、任意状态。D、导通状态;正确答案：B40、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。()A、错误B、正确;正确答案：A41、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。()A、正确;B、错误正确答案：B42、集成运放工作在线性应用电路时的分析依据是()两个重要概念。A、虚断和虚地B、线性和非线性C、虚短和虚断D、虚短和虚地正确答案：C43、晶体三极管的极是它的()。A、发射极B、基极C、集电极D、栅极正确答案：A44、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）A、带负载能力强；B、减轻前级或信号源负荷。C、带负载能力差；正确答案：A45、N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、三价B、六价C、四价D、五价正确答案：D46、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。A、双列直插式。B、圆壳式；C、扁平式；正确答案：A47、场效应管的极是它的()。A、发射极B、源极C、栅极D、漏极正确答案：C48、PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。A、错误B、正确;正确答案：B49、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、错B、对:正确答案：A50、分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现()。A、饱和失真B、截止失真C、晶体管被烧损正确答案：A51、差动放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。（）A、错B、对:正确答案：B52、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形底部出现失真为()失真。A、频率B、截止C、饱和D、交越正确答案：C53、单极型半导体器件是()。A、晶体三极管;B、稳压管。C、场效应管;D、二极管;正确答案：C54、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。（）A、错B、对:正确答案：A55、NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、对:B、错正确答案：B56、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()A、错误B、正确;正确答案：A57、场效应管正常工作时,电路中的电流是由()构成的。A、少子B、空穴载流子C、自由电子载流子D、多子正确答案：D58、N型半导体中的多数载流子是（）A、正离子B、空穴C、自由电子D、负离子正确答案：C59、理想集成运放的输出电阻为（）。A、0；B、∞；C、不定。正确答案：A60、当信号频率等于放大电路的下限频率时,放大倍数的值约下降到中频时的()A、0.4B、0.707C、0.9D、0.5正确答案：B61、为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、带阻B、高通C、低通D、带通正确答案：B62、当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.9B、0.707C、0.5D、0.4正确答案：B63、当反馈深度|1+AF|=0时，放大电路（）A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D64、二极管的伏安特性曲线上可分为()A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、恒流区、放大区和截止区三个分区C、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区D、恒流区、可变电阻区和截止区三个分区正确答案：A65、具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是（）A、射极输出器B、共射放大电路C、共集电放大电路D、共基放大电路正确答案：B66、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、不失真问题;B、管子的工作效率。C、放大电路的电压增益;正确答案：A67、共射组态的放大电路，如果输出波形出现下削波，一定发生了截止失真。（）A、错B、对:正确答案：A68、P型半导体中的少数载流子是()A、正离子B、空穴C、自由电子D、负离子正确答案：C69、N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：A70、PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散B、少子扩散C、少子漂移D、多子漂移正确答案：A71、集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是（）A、克服交越失真B、提高输入电阻C、克服温漂D、稳定放大倍数正确答案：C72、若使晶体三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是()A、发射结反偏、集电结反偏;B、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结反偏、集电结正偏。D、发射结正偏、集电结反偏;正确答案：D73、正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、仍为正弦波。B、矩形方波;C、等腰三角波;D、正弦半波;正确答案：D74、雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。（）A、错B、对:正确答案：A75、射极输出器的特点是（）A、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大C、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：B76、(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B77、PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结反偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结正偏D、发射结正偏、集电结反偏正确答案：D78、P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、三价B、五价C、六价D、四价正确答案：A79、差分放大电路利用其对称性，可以有效地抑制零点漂移现象。A、错误B、正确;正确答案：B80、基本放大电路中的主要放大对象是()。A、交流信号B、交直流信号均有C、直流信号正确答案：A二、判断题（共20题，每题1分，共20分）1、N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的自由电子在漏源极之间电场作用下形成的。()A、正确B、错误正确答案：A2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。()A、正确B、错误正确答案：B3、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。()A、正确B、错误正确答案：A4、集成运放使用时不接负反馈,电路中的电压增益称为开环电压增益。()A、正确B、错误正确答案：B5、负反馈信号的存在将会加强原有的输入信号。()A、正确B、错误正确答案：B6、PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。()A、正确B、错误正确答案：A7、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。()A、正确B、错误正确答案：A8、晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出均为反相关系。()A、正确B、错误正确答案：B9、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()A、正确B、错误正确答案：B10、晶体三极管是双极型半导体器件。()A、正确B、错误正确答案：A11、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。()A、正确B、错误正确答案：B12、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。()A、正确B、错误正确答案：B13、差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()A、正确B、错误正确答案：A14、晶体三极管各种组态的放大电路,输入、输出不一定为反相关系。()A、正确B、错误正确答案：A15、若本征半导体掺入三价杂