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文档简介

双极型晶体管的输出特性双极型晶体管的输出特性BJT的特性曲线（硅、NPN、共发射极接法）(一)输入特性曲线死区电压硅0.5V，锗0.1VIB与UBE间的关系曲线为确保三极管工作在放大状态UBE/V0.70.50102030405060IB/μAUCE≥1V导通后特性很陡硅：0.7V锗：0.3V必须：UCE≥1V（集电结反偏）导通电压基本是定值-+UCE≥1V共发射极接法+-UBEIB共发射极接法+-UBEIB双极型晶体管的输出特性IB为定值时，UCE和IC间的关系曲线。IB=0μAIB=10μAIB=20μAIB=30μAIB=40μAIB=50μAIB=60μAIC/mAUCE/V426800.51.01.52.02.53.012101.截止区2.放大区3.饱和区IB≤0以下区域IC≈0特性的“平坦”区域IC基本与UCE无关IC只受控于IBUCE≤1以左区域IB失去对IC的控制IC随UCE增大而增大放大区β=0.5×1000/10≈50饱和区(二)输出特性曲线双极型晶体管的输出特性三极管的主要参数及其温度影响（一）三极管的主要参数电流放大系数β最大允许电流ICM极间反向电流ICBO:指发射极开路时，集电极－基极间的反向饱和电流。ICEO:指基极开路时，集电极－发射极之间的穿透电流ICBO开路ICEO开路△IB△ICIC超过某一数值ICM后，β值将明显下降双极型晶体管的输出特性反向击穿电压集电极最大允许耗散功率PCMPCM与三极管的工作温度和散热条件有关，三极管不能超温使用。在使用中集电极的平均功耗不得超过PCM集电极开路时，发射结的反向击穿电压U(BR)EBO发射极开路时，集电结的反向击穿电压U(BR)CBO基极开路时，集一射极之间的反向击穿电压U(BR)CEOPC=ICUCE≤PCM双极型晶体管的输出特性（二）温度对三极管参数的影响⒈温度对β的影响，温度每升高1℃，β值增大0.5%～1%。2.温度对ICBO的影响温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。输出曲线变得“稀疏”输出曲线“上移”IB=0μAIB=10μAIB=20μAIB=30μAIB=40μAIB=50μAIB=60μAIC/mAUCE/V426800.51.01.52.02.53.0IC=2.8mAIB=60μAβ=46IB=0μAIB=10μAIB=20μAIB=30μAIB=40μAIB=50μAIB=60μAIC=2.8mAIB=50μAβ=56双极型晶体管的输出特性3．温度对UBE的影响，温度每升高1℃，∣

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