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文档简介

C-V测试仪验收报告一、引言:(Introduction)C-V测试仪CVPL01是从PHILIPS公司运回来的,今后将在华润晶芯的生产线上使用,那么我们需要对这台设备进行安装校准的工作,对设备的测量准确性进行评估。二、摘要:(Abstract)C-V测试仪有以下几个部件组成,DuoChuckplotter(热测试台),Microscope(显微镜),Computer(控制计算机)信号源与输出测试部分。首先完成测试台与主机,以及显示器的定位。完成各个信号传输线路的检查和连接,(动力条件:冷却水、真空已接上)确认无误。通电开机后没有异常情况。三、数据分析结果:(Analysis)使用原有的C-V测试片进行试测试检查排除软件提示的问题。确认无误后证明可以得到形状符合要求的曲线,然后对比较关键的数据进行检测。C-V测试的关键是要在正确的输入偏压下正确的反映的电容值的变化,这样测出的数据才可信。项目规范验证/测量结果结论标准电容值(2pf和2000pf)SPEC.:2pf±0.2pf2000pf±200pfStd%<0.5%1.88Pf0.16%2186.84PF0.02%OK输出电压值中心值±0.05V见下表OK与上华匹配△Vfb<0.05V0.OK四、验证过程及数据:(TestandData)首先对输出电压的准确性进行验证,由于万用表的反应速度不够快,在manualmode下输入指定的电压值进行测试。开机1个小时等待系统稳定后从-5V扫到5V测试得到的电压值如下面表格所示:Csm显示电压-5-4.4~-4.5-3.9~-4.0-3.5-3.0-2.4~-2.5-2-1.4~-1.5-1.0-0.50实测电压-4.98-4.47-3.98-3.48-2.98-2.49-1.98-1.49-0.99-0.490.006Csm显示电压0.511.51.9~2.02.52.9~3.03.4~3.53.9~4.04.4~4.54.9~5.0实测电压0.511.011.502.002.503.003.503.994.494.99从表格中的数据可以看出,实际加在硅片两侧的电压与计算机上显示的电压值之差小于0.03V,从整体上来看,对电压准确性不会产生不利影响。然后对电容测试值的准确性进行检测,发现存在的问题,经过多次对电容校准,发现存在的问题是指针飘忽不定,多次调整后基本达到零值的要求,然后使用标准电容检测了计算机的测试情况,下面表格为多次测试得到的数值:,标准电容值2pF2000pF测试值11.8902186.44测试值21.8832186.57测试值31.8872186.86测量值41.8842187.05测量值51.8832187.27Average1.8852186.84STD0.0030.339STD%0.16%0.02%从上面数据可以看出,2pF的电容值在1.88pF到1.89pF之间,2000pF的标准电容的测试值在2186pF到2187pF之间,比较稳定。偏差值控制在了10%以内,从线性上可以看出在电容仅为几百pF的情况下,偏差会比较小,Cox与Cmin的偏差值不会影响测试结果(平带电压Vfb)的准确性。最后,我们使用上华的C-V测试片对双方的测试结果进行对比,对比分为两块,结果如下表:(图一是使用CV测量得到平带电压Vfb,和氧化物有效电荷数密度Nss的对比),图2是BT测量时的平带电压Vfb,和氧化物有效电荷数密度Nss,平带漂移电压shift的对比)PARAMETERNssVfb0ResultCSWC第1次6.83E+10-0.518Ok第2次8.56E+10-0.621第3次8.78E+10-0.629第4次9.97E+10-0.692第5次1.07E+11-0.692Average8.97E+10-0.63CSMC第1次9.57E+10-0.676第2次9.53E+10-0.625△<10%6.09%3.09%CVSPEC:‖Vfb(0)‖<0.8V图一CV测量结果比较NssVfb0Vfb+SHIFTResultCSWC1.28E+11-0.838-0.7820.056OkCSMC9.57E+10-0.676-0.6980.02169.53E+10-0.625-0.6410.0155BTSPEC:‖SHIFT‖<0.1V图二BT测量结果比较注:每次测试会因为氧化层的破坏而引起测量结果的变化,因此测试过程中我们不能选取同一点进行测试,但不同位置的点的测量肯定会有差异。五、存在的问题:(Problem)我们目前还没有校准用的标准电容,长时间使用后,如果测试值有漂移,不能对测试的偏差值的大小有一个准确地了解。作BT处理用的冷却水管需要进行密封性检

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