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文档简介

pn结1、PN结的杂质分布、空间电荷区，电场分布2、

平衡载流子和非平衡载流子3、Fermi能级，准Fermi能级，平衡PN结能带图，非平衡PN结能带图4、pn结的接触电势差5、非平衡PN结载流子的注入和抽取6、

过剩载流子的产生与复合7、

理想二极管的电流~电压关系，并讨论pn结的单向导电性和温度特性。8、PN结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）9、pn结自建电场、缓变基区自建电场（非均匀掺杂电场）、大注入自建电场的异同点。10、势垒电容与扩散电容的产生机制11、三种pn结击穿机构12、雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的条件。13、PN结的交流等效电路？14、PN结的开关特性，贮存时间的影响因素。15、

肖特基势垒二极管与PN结二极管的异同。双极晶体管1、晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小)2、晶体管处在放大区时的能带图、电流分布图、基区少子浓度分布图（四种偏置）。3、晶体管具有放大能力的基本条件。4、发射效率γ和基区输运因子

T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。5、晶体管共基极和共射极放大系数之间的关系6、晶体管的Ebers-Moll模型及其等效电路和互易关系。7、晶体管共基极和共射极输入、输出特性8、

大电流效应对器件特性的影响8.1大注入效应？Rittner效应(基区电导调制效应)Webster(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）8.2基区扩展效应(Kirk效应)。8.3发射极电流集边效应。9、

什么是Early效应?对器件特性有什么影响？10、

基区穿通和外延层穿通11、

三种击穿电压的关系12、f

,f

fT,fm的定义，及相互间的大小关系13、写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率fT？14、晶体管在开关过程中，EB结和CB结偏压是如何变化的？提高开关速度的途径。

15、HBT的优势？场效应晶体管1、FET器件的种类及相关的工作原理MOS场效应晶体管1、阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（VT表达式）2、MOSFET工作原理及其类型。输出特性曲线和转移特性曲线。3、亚阈值区及其特性（特点）。4、MOS结构的C-V特性（理想、实际）5、

短沟道效应、窄沟道效应、DIBL效应。如何影响VT及输出特性？6、MOSFET的伏安特性方程（线性区、非饱和区和饱和区）7、栅跨导，衬底跨导，漏源电导。8、MOSFET小信号等效电路。提高频率性能的途径

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