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文档简介

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利说明书(10)申请公布号CN113517217A

(43)申请公布日2021.10.19(21)申请号CN202110723557.8(22)申请日2021.06.29(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人贡禕琪(74)专利代理机构31211上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华(51)Int.CI H01L21/762(20060101)权利要求说明书说明书幅图(54)发明名称 HARP膜的形成方法(57)摘要 本发明公开了一种HARP膜的形成方法，包括：步骤一、采用HARP工艺沉积HARP膜。步骤二、对HARP膜进行表面预处理以减少HARP膜表面吸附的电荷。步骤三、对HARP膜进行退火处理。本发明能防止在HARP膜退火处理中形成球形缺陷，从而能提高产品良率。法律状态法律状态公告日法律状态信息法律状态2021-10-19公开公开2021-11-05实质审查的生效实质审查的生效

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