可靠性实验项目参考(车规级AEC-Q100)

车规级（AEC-Q100可靠性项目）,,,,,

A组-加速环境应力测试,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

A1,预处理(PC),77,3,0,"J-STD-020

JESD22-A113"

A2,有偏温度或有偏高加速应力试验(THB)(HAST),77,3,0,"JESD22-A101

JESD22-A110"

A3,高压或无偏高加速应力试验或无偏温湿度(AC)(UHST)(TH),77,3,0,"JESD22-A102

JESD22-A118

JESD22-A101"

A4,温度循环(TC),77,3,0,JESD22-A104

A5,功率温度循环(PTC),45,1,0,JESD22-A105

A6,高温贮藏寿命(HTSL),45,1,0,JESD22-A103

B组-加速生命周期模拟测试,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

B1,高温工作寿命(HTOL),77,3,0,JESD22-A108

B2,早期寿命失效率(ELFR),800,3,0,AEC-Q100-008

B3,非易失性存储器耐久性、数据保持性，工作寿命(EDR),77,3,0,AEC-Q100-005

C组-封装组装完整性测试,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

C1,邦线剪切（WBS）,最少5只器件的30个键合丝,,Cpk＞1.67,AEC-Q100-001

C2,邦线拉力（WBP）,,,Cpk＞1.67或温度循环后0缺陷(#A4),MIL-STD883Method2011

C3,可焊性（SD）,15,1,＞95%引脚覆盖,JESD22-B102

C4,物理尺寸（PD）,10,3,Cpk＞1.67,"JESD22-B100

JESD22-B108"

C5,锡球剪切（SBS）,最少10只器件的5个锡球,3,Cpk＞1.67,AEC-Q100-010

C6,引线完整性（LI）,5只器件中任1只的10个引脚,1,无引脚破损或开裂,JESD22-B105

D组-芯片制造可靠性（晶圆）,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

D1,电迁移（EM）,/,/,/,/

D2,电介质击穿（TDDB）,/,/,/,/

D3,热载流子注入效应（HCL）,/,/,/,/

D4,负偏压温度不稳定性（NBTI）,/,/,/,/

D5,应力迁移（SM）,/,/,/,/

E组-电性验证测试,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

E1,应力测试和试验前后功能/参数（TEST）,all,all,0,规格书

E2,静电放电人体模型/机械模式（HBM/MM）,/,1,0,AEC-Q100-002

E3,静电放电带电期间模式（CDM）,/,1,0,AEC-Q100-011

E4,闩锁效应（LU）,6,1,0,AEC-Q100-004

E5,电分配（ED）,30,3,Cpk＞1.67,AEC-Q100-009

E6,故障等级（FG）,/,/,0,AEC-Q100-007

E7,特性描述（CHAR）,/,/,/,AEC-Q003

E8,热电效应引起闸极漏电（GL）,/,/,0,/

E9,电磁兼容（EMC）,1,1,/,SAEJI752/3

E10,短路特性描述（SC）,10,3,0,AEC-Q100-010

E11,软误差率（SER）,3,1,/,AEC-Q100-010

E12,无铅Pb（LF）,all,all,/,AEC-Q005

F组-缺陷筛选测试分析,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

F1,过程平均测试和试验（PAT）,/,/,/,AEC-Q001

F2,统计式良率分析(SBA),/,/,/,AEC-Q002

G组-腔封装完整性测试,,,,,

组别,项目名称,样品数/批,批数,接收判据,参考标准

G1,机械冲击（MS）,15,1,0,JESD22-B104

G2,变频振动（VFV）,15,1,0,JESD22-B103

G3,恒加速（CA),15,1,0,MIL-STD883Method2001

G4,粗/细检漏测试和试验（GFL）,15,1,0,MIL-STD883Method1014

G5,包装跌落（DROP）,5,1,0,JESD22-B111

G6,盖板扭力测试和试验（LT）,5,1,0,MIL-STD883Method