分子束外延制备氧化锌薄膜结构和光电性能表征教学课件_第1页
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北师范大学凝聚态物理研究所薄膜技术与真空物理分子束外延(MBE)生长ZnO薄膜的结构和光电特性的研究时间:2019年11月22日分子束外延MolecularBeamEpitaxy(MBE)口概述口起源与发展口生长原理及方法口设备结构口经典范例优点口存在问题概述分子束外延技术主要是一种可在原子尺度精确控制外延层厚度、掺杂和界面平整度的半导体超薄层单晶薄膜制备技术。可用以直接生长制备出二维、—维、零维的纳米结构材主要用于半导体薄膜制备(超薄膜、多层量子结、超晶格);(二维电子气(2DEG)多量子阱(QW)和量子线、量子点等到新型结构研究中建立奇功制备新一代微波器件和光电子器件的主要技术方法)o起源与发展20世纪70年代初由美国BELL实验室开创70年代中期,我国中科院物理所和半导体所开始对MBE的探索,80年出产首台MBE,91年长春召开第1届学术研讨会1986年,GaAs/A|-GaAs系材料开始进入器件应用阶段◆目前,研发人造结构(自然界不存在)分子束外延技术是在20世纪50年代美国Be实验室的卓以和在20世纪70年代初期开创的。它推动了以半导体超薄层微结构材料为基础的新一代半导体科学技术的发展目前世界上有许多国家和地区都在研究MBE技术,包括美国、日本、英国法国、德国和我国台湾。具体的研究机构有日本的东京工学院电学与日本东京大学,日本理化研究所半导体实验室,日本日立公司,日本NTT光电实验室,美国佛罗里达大学材料和工程系,美国休斯电真空外延英国利沃浦大学材料科学与工程系,英国牛津大学物理和理化实验室,牛津大学无机化学实验室,德国薄膜和离子技术研究所,德国UniversityofUlm的半导体物

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