GB/T 22319.6-2023石英晶体元件参数的测量第6部分：激励电平相关性(DLD)的测量

ICS31140

CCSL.21

中华人民共和国国家标准

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

石英晶体元件参数的测量

第6部分激励电平相关性DLD的测量

:()

Measurementofquartzcrystalunitparameters—

Part6MeasurementofdriveleveldeendenceDLD

:p()

IEC60444-62021IDT

(:,)

2023-09-07发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

效应

4DLD…………………1

频率和电阻的可逆变化

4.1……………1

频率和电阻的不可逆变化

4.2…………1

效应的原因

4.3DLD……………………2

测量的激励电平

5DLD……………………2

试验方法

6…………………3

方法快速标准测量方法

6.1A()………………………3

方法多电平基准测量方法

6.2B()……………………4

附录规范性石英晶体元件的激励电平和机械位移之间的关系

A()…………………6

附录规范性方法使用振荡器法测量

B()C:DLD……………………8

参考文献

……………………12

图电阻R或R随激励电平相关性变化的最大允许电阻比

11213………3

图振荡器中的晶体元件的接入

B.1………………………8

图晶体元件损耗电阻随耗散功率的变化关系

B.2………8

图石英晶体元件R的特性

B.3r…………9

图电路系统方框图

B.4…………………10

图在扫描激励电平范围内建立的R

B.5-osc……………10

图在本附录试验中将R作为试验限值时石英晶体元件的激励电平特性

B.6-osc=70Ω…………10

图方法测量电路原理图

B.7C…………11

Ⅰ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是石英晶体元件参数的测量的第部分已发布了以下部分

GB/T22319《》6。GB/T22319:

第部分激励电平相关性的测量

———6:(DLD);

第部分石英晶体元件活性跳变的测量

———7:;

第部分表面贴装石英晶体元件用测量夹具

———8:;

第部分石英晶体元件寄生谐振的测量

———9:;

第部分采用自动网络分析技术和误差校正确定负载谐振频率和有效负载电容的标准

———11:

方法

。

本文件等同采用石英晶体元件参数的测量第部分激励电平相关性

IEC60444-6:2021《6:(DLD)

的测量

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国频率控制和选择用压电器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC182)。

本文件起草单位郑州原创电子科技有限公司北京晨晶电子有限公司武汉海创电子股份有限

:、、

公司

。

本文件主要起草人王国军宫桂英毛晶

:、、。

Ⅲ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

引言

激励电平用晶体元件两端的功率或电压或者流过晶体元件的电流表征它是通过压电效应驱动谐

,,

振子产生机械振荡在这个过程中加速度功转换为动能和弹性能功耗转换为热后者的转换是由于

。,,。

石英谐振子的内部和外部摩擦所造成的

。

摩擦损耗与振动质点的速度有关当振荡不再是线性的或当石英谐振子内部或其表面及连接点的

,,

速度拉伸或应变位移或加速度达到临界时摩擦损耗将增加见附录因而引起电阻和频率的变

、、,(A)。

化并且由于这些参数与温度有关从而引起电阻和频率的进一步变化

,,。

高激励电平如切晶体在或以上时可以在所有晶体元件上观察到这些变化

(AT1mW1mA),。

并且它们还会导致频率和电阻的不可逆变化激励电平继续增加可能会损坏谐振子

。。

除了上述效应外某些晶体元件在低激励电平如切晶体在或以下时也可观察

,(AT1μW50μA)

到频率和电阻的变化这种情况下若环路增益不足起振很困难在晶体滤波器中传输衰耗和抖动

。,,。,

将会发生变化

。

此外规定的振动模式与其他模式如谐振子本身装架和填充气体之间的耦合也与激励电平

,(、)

有关

。

由于这些模式的温度响应不同在窄温范围内耦合会造成规定模式的频率和电阻变化这种变化

,,。

随激励电平的增加而增加但本文件未更多地考虑此效应

。。

石英晶体元件参数的测量旨在确立石英晶体元件参数的标准测量方法拟由以下部

GB/T22319《》,

分构成

。

第部分用型网络零相位法测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法目的在

———1:π。

于规定测量石英晶体元件谐振频率和谐振电阻的基本方法及适用的测量网络

。

第部分测量石英晶体元件动态电容的相位偏置法目的在于规定测量石英晶体元件动态

———2:。

电容的方法

。

第部分频率达石英晶体元件负载谐振频率和负载谐振电阻R的测量方法及其

———4:30MHzL

他导出参数的计算目的在于规定用加载物理负载电容测量石英晶体元件负载谐振频率等参

。

数的方法

。

第部分采用自动网络分析技术和误差校正确定等效电参数的方法目的在于规定采用网

———5:。

络分析技术并用线性等效电路确定石英晶体元件参数的测量方法

。

第部分激励电平相关性的测量目的在于规定用型网络或振荡器法测量石英晶

———6:(DLD)。π

体元件的方法

DLD。

第部分石英晶体元件活性跳变的测量目的在于规定在温度范围内石英晶体元件活性跳

———7:。

变的测量方法

。

第部分表面贴装石英晶体元件用测量夹具目的在于规定精确测量无引线表面贴装石英

———8:。

晶体元件谐振频率电阻和等效电路参数用的测量夹具

、。

第部分石英晶体元件寄生谐振的测量目的在于规定用自动网络分析技术和用电阻法测

———9:。

量石英晶体元件寄生无用谐振的方法

()。

第部分采用自动网络分析技术和误差校正确定负载谐振频率和有效负载电容的标准方

———11:

法目的在于规定不加载物理负载电容测量石英晶体元件负载谐振频率及标称频率时有效负

。

载电容的方法

。

Ⅳ

GB/T223196—2023/IEC60444-62021

.:

石英晶体元件参数的测量

第6部分激励电平相关性DLD的测量

:()

1范围

本文件适用于石英晶体元件激励电平相关性的测量本文件规定两种试验方法和和

(DLD)。(AC)

一种基准测量方法方法方法以的型网络为基础适用于本文件所覆盖的整个

(B)。AIEC60444-5π,

频率范围基准测量方法依据或的型网络或反射法为基础适用于本文

。BIEC60444-5IEC60444-8π,

件所覆盖的整个频率范围方法是振荡器法适用于固定条件下大批量基频石英晶体元件的测量

。C,。

注本文件规定的测量方法不仅适用于切型也适用于其他晶体切型和振动模式如双转角切型和振动模式

:AT,,

和音叉晶体元件通过使用高阻抗测试夹具

(IT,SC)()。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

石英晶体元件参数的测量第部分采用自动网络分析技术和误差校正确定等效

IEC60444-55:

电参数的方法

(Measurementofquartzcrystalunitparameters—Part5:Methodsforthedetermination

ofequivalentelectri