半导体行业深度报告：存储行业已处周期底部新需求加速拐点到来

正文目录1.存储芯片市场空间广阔，发展前景良好 4存储已处于周期底部，有望迎来拐点 5供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善 5需求端：手机单机容量提升，AI服务器带来全新增量 6价格端：DRAM价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3实现涨价 9国内厂商聚焦利基存储，国产替代空间广阔 10存储行业国产替代空间广阔 10国内部分领先存储厂商介绍 12风险提示： 20图表目录图表1全球半导体细分行业市场规模占比 4图表2全球半导体与存储芯片市场增速变化 4图表3DRAM/NAND/NOR市场规模与发展趋势 5图表4三星/SK海力士美光占据存储主要市场 6图表5存储厂商毛利率走势与存储周期同步 6图表6龙头厂商减产与削减投资计划 6图表7DRAM下游应用领域占比 7图表8NAND下游应用领域占比 7图表9全球智能手机单季度出货量 7图表10全球智能手机DRAM平均单机容量 7图表全球半导体与存储芯片市场增速变化 8图表12HBM是AI服务器所带来的全新增量 8图表13HBM通过中介层（INTERPOSER）与GPU连接 8图表14全球HBM市场规模 9图表15TRENDFORCE预计部分存储产品将于2023Q3涨价 9图表16DRAM现货价格与厂商股价走势相似 10图表17三类存储芯片全球主要厂商 图表18主要存储厂商产品布局情况 图表19兆易创新产品营收结构 12图表20兆易创新营业收入及增速 12图表21兆易创新归母净利润及增速 14图表22兆易创新产品进展 14图表23北京君正产品营收结构 16图表24北京君正营业收入及增速 16图表25北京君正归母净利润及增速 17图表26北京君正产品进展 17图表27东芯股份产品营收结构 19图表28东芯股份营业收入及增速 19图表29东芯股份归母净利润及增速 12图表30东芯股份产品进展 12图表31普冉股份2022年产品营收结构 14图表32普冉股份营业收入及增速 14图表33普冉股份归母净利润及增速 16图表34普冉股份产品进展 16图表35聚辰股份产品营收结构 17图表36聚辰股份营业收入及增速 17图表37聚辰股份归母净利润及增速 19图表38聚辰股份产品进展 20存储芯片市场空间广阔，发展前景良好存储行业市场空间巨大，是最大的细分半导体市场。充放电标记不同的存储状态，从而实现数据存储功能。存储器市场空间巨大，据WSTS16756492（94226%。图表1全球半导体细分行业市场规模占比资料来源：WSTS，存储芯片是半导体产业的风向标。30%图表2全球半导体与存储芯片市场增速变化80%

半导体市场增速 存储芯片市场增速2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 202260%2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 202240%20%0%-20%-40%资料来源：WSTS，DRAM、NAND、NOR是三大主流存储。要包括DANDNRFH。根据Digitimes2022NANDNOR57%、40%、DRAMDDR4DDR5HBMNANDTLC3D堆叠是NANDDRAMNAND，NORFlash5xnm4xnm3DNORNORFlash图表3DRAM/NAND/NOR市场规模与发展趋势产品种类2022年市场规模发展趋势DRAM791亿美元当前DDR4是市面上主流内存，而DDR5与HBM渗透率将会持续提升。同时DRAM工艺制程将不断向10nm逼近NANDFlash601亿美元目前TLCNAND占据主要市场，3DNAND堆叠技术是主流工艺，未来堆叠层数将会不断提升NORFlash37亿美元主流工艺制程在5xnm和4xnm，制程演进缓慢。SPI接口技术优化NORFlash效率，NOR产品将向中大容量发展资料来源：CFM闪存市场，CINNOResearch，存储已处于周期底部，有望迎来拐点供给端：厂商减产与削减投资带来供给端边际改善存储厂商盈利能力揭示当前存储行业处于周期底部位置。SKTrendForceDRAM95.8%NAND市场合计占有62.2%2022CY23Q1-32.66%CY23Q214.86pct，同时CY23Q1DS4.364.58三星DS10图表4三星/SK海力士/美光占据存储主要市场 图表5存储厂商毛利率势与存储周期同步

DRAM竞争格局NAND竞争格局

其他美光科技SK海力士三星电子资料来源：TrendForce， 资料来源：，WSTS，2022SK202340%~50%SK3年7月宣布扩大减产AD6月宣布将DRAM和NAND30%2023202347图表6龙头厂商减产与削减投资计划厂商减少产出降低投资三星2023年4月宣布对存储芯片减产，7月宣布决定延长减产计划，调整包括NANDFlash在内的特定产品产出降低生产设备投资，调整产能利用率，二季度资本支出中90%以上用于芯片，将专注高附加值/高密度产品SK海力士NANDFlash7NANDFlash，此前已对部分收益性较低的产品进行减产2023年全公司投资规模同比减少50%以上，对高容量DDR5、HBM3DRAM持续投资美光2023年6月宣布近期将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至近30%，预计减产将持续到2024年2023年资本支出进一步削减，预期投资约70亿美元，较去年缩减超40%，晶圆厂设备资本支出削减超50%，2024年预估将进一步缩减资料来源：各公司公告，需求端：手机单机容量提升，AI服务器带来全新增量手机和服务器是对存储市场影响最大的下游应用。务器是DRAM和NAND2022DRAM39%NAND37%28%AI服图表7DRAM下游应用领域占比 图表8NAND下游应用领域占比100%

手机 服务器 PC 其他

100%

手机 服务器 PC 其他80% 80%60% 60%40% 40%20% 20%0%2019 2020 2021 2022

0%2020

2021

2022资料来源：TrendForce， 资料来源：华经产业研究院，闪存市场，Canalys数据，2023Q22.58单机DRAM和NANDTrendForceDRAM年手机DRAM容量DRAM2023iPhoneTrendForce202320223.9%NAND方NANDiPe512GB2023NAND22.1%图表9全球智能手机单季度出货量 图表10全球智能手机DRAM平均单机容量43.532.521.510.50

出货量（亿部） 同比

30%20%10%0%-10%-20%20Q120Q220Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q2

7 DRAM平均单机容量65432102018 2019 2020 2021 2022 2023资料来源：Canalys， 资料来源：TrendForce，AITrendForceAI服务1.2~1.7TBDRAMAI2023AI120万台，年增率近38%，AI服务器的大幅增长有望带来价值增量。图表11全球半导体与存储芯片市场增速变化服务器DRAM容量1.2~1.7TB500~600GB1.2~1.7TB500~600GBServer AIServer FutureAIServer资料来源：TrendForce，DRAMHBMAIHBM3D（Interposer）而HBMDRAMAI服务GPUAI图表12HBM是AI服务器所带来的全新增量 图表HBM通过中介层（Interposer）与GPU连接服务器HBM用量

512~1024GB320~640GB320~640GBServer AIServer FutureAIServer资料来源：Canalys， 资料来源：TrendForce，AITrendForceAI服务器HBM2023HBM2.9GB2024Omdia数据，2020HBM4.5820252540.38%。14HBM市场规模HBM市场规模（亿美元）30CAGR=40.3825CAGR=40.38201510502020

2025E资料来源：TrendForce，价格端：DRAM价格跌幅收窄，部分存储产品有望于23Q3实现涨价AI2023ChatGPTHBM的HBM2023SK海力士的HBMDRAM54DRAMDRAM0~5%。图表15TrendForce预计部分存储产品将于2023Q3涨价23Q2E23Q3FPCDRAMDDR4:down15~20%DDR5:down13~18%BlendedASP:down15~20%DDR4:down3~8%DDR5:down0~5%BlendedASP:down0~5%ServerDRAMDDR4:down18~23%DDR5:down13~18%BlendedASP:down15~20%DDR4:down3~8%DDR5:down0~5%BlendedASP:down0~5%MobileDRAMdown13~18%LPDDR4X:down0~5%LPDDR5XwithHKMG:up0~5%合计DRAMdown13~18%down0~5%eMMCconsumer:down8~13%consumer:mostlyflatUFSmobile:down15~20%mobile:down8~13%EnterpriseSSDdown13~18%down5~10%ClientSSDdown15~20%down8~13%3DNANDWafers（TLC&QLC)down8~13%up0~5%合计NANDdown10~15%down3~8%资料来源：TrendForce，DRAMDRAMDRAM/NANDNOR7月DRAM1.47%62.86%DRAM图表16DRAM现货价格与厂商股价走势相似资料来源：TrendForce，国内厂商聚焦利基存储，自主研发空间广阔存储行业自主研发空间广阔我国存储行业自主研发空间广阔。目前，DRAM和NAND主要由三星、SK海力士、美光等海外厂商掌控，国内厂商市占率较低，自主研发空间广阔。在NOR方面，我国本土企业已占据一定的市场份额。图表17三类存储芯片全球主要厂商资料来源：乐晴智库，国内厂商多集中于利基型存储。DRAMNANDDRAMSLCNANDNORFlash等中小DRAMNANDCADNR图表18主要存储厂商产品布局情况厂商DRAMDDRDDR2DDR3DDR4DDR5LPDDRLPDDR2LPDDR3LPDDR4LPDDR5美光256Mb~1Gb512Mb~4Gb1Gb~8Gb4Gb~32Gb高至24Gb512Mb~2Gb512Mb~2Gb8Gb~32Gb4Gb~128Gb6Gb~128Gb南亚512Mb~1Gb1Gb~8Gb4Gb~8Gb16Gb1Gb~8Gb4Gb~32Gb2Gb~32Gb旺宏华邦64Mb~256Mb128Mb~2Gb1Gb~8Gb128Mb~1Gb256Mb~2Gb1Gb1Gb~4Gb兆易创新1Gb~4Gb4Gb~8Gb北京君正64Mb~512Mb256Mb~2Gb1Gb~16Gb4Gb~16Gb32Mb~2Gb256Mb~4Gb2Gb~8Gb普冉股份东芯股份1Gb~4Gb512Mb~2Gb1Gb~4Gb1Gb~2Gb厂商SLCNANDNORFlash1.8V3.3V1.8V3.3V美光1Gb~16Gb1Gb~256Gb512Kb~2Gb512Kb~2Gb南亚旺宏1Gb~8Gb1Gb~8Gb512Kb~2Gb512Kb~2Gb华邦1Gb~8Gb1Gb~8Gb1Mb~2Gb512Kb~2Gb兆易创新1Gb~8Gb1Gb~8Gb512Kb~2Gb512Kb~2Gb北京君正1Gb~8Gb1Gb~8Gb2Mb~2Gb512Kb~2Gb普冉股份512Kb~256Mb512Kb~256Mb东芯股份512Mb~16Gb512Mb~16Gb64Mb~1Gb聚辰股份512Kb~32Mb512Kb~32Mb资料来源：各公司官网，国内部分领先存储厂商介绍兆易创新：多产品线赛道布局，存储、MCU稳健发展Fabless20054MCU2022MCU图表119兆易创新产品营收结构存储芯片 MCU 传感器 其他100%80%60%40%20%0%2018 2019 2020 2021 2022资料来源：，202281.320.5329.663.36亿2022年H138%图表20兆易创新营业收入及增速 图表21兆易创新归母净利润及增速90营业收入（亿元）同比100%25归母净利润（亿元）同比200%807080%60%20150%6050403040%20%0%1510100%50%0%2010-20%-40%5-50%0-60%0-100%2018 2019 2020 2021 20222023H1 2018 2019 2020 2021 20222023H1资料来源：， 资料来源：，NORSLCNAND不断稳固，DRAMNORFlashSLCNAND、利基型DRAM图表22兆易创新产品进展

FlashNORFlash212NOR3V1.8V1.2V、1.65V~3.6V55nmNOR80%1SLCNAND领38nmbbDFAEC-Q100SPINOR到SPINANDDDR4DDR3L的基础上，推进DDR48GbMCU41500产MCUArm®Cortex®-M7GD32HRISC-VGD32VW553MCULCD产品类型产品进展NORFlash55nm512Kb~2Gb3V、1.8V、1.2V、以及1.65V~3.6V宽压四种电压范围。20221.2mmx1.2mmUSON6超小型塑封封装产品，以及GD25UF系列1.2V低电压超低耗SPINORSLCNAND38nm、24nm1Gb~8GbGD5F全系列产品已通过AEC-Q100车规级认证，实现了从SPINOR到SPINAND车规产品全面布局DRAM产品组合不断丰富，在已有DDR4产品基础上，推出了DDR3L产品，两种产品目前均已量产，DDR48Gb容量新产品正在按研发节奏推进中。MCU41500MCU产品供市场选择，GD32W515Wi-Fi产品全面量产，GD32A503MCU产品市场拓展稳步推进，MCU产品工55nm40nm，Arm®Cortex®-M7GD32H系列超高性能微控制器传感器提供嵌入式传感芯片，电容、光学模式指纹识别芯片，以及自容、互容触控屏控制芯片，触控芯片年出货近亿颗资料来源：公司公告，北京君正：业务覆盖计算、存储、模拟三大领域2005年AIAIoT2020年，ISSIISSI理器芯片、智能视频芯片、存储芯片、模拟与互联芯片，2022年营收占比分别为2.35%74.92%8.85%图表23北京君正产品营收结构存储芯片 智能视频芯片 模拟与互联芯片 微处理器芯片 其他0%2018 2019 2020 2021 2022资料来源：，202254.127.8914.79%2023上半12255。长期来看，公司业务范围和产品布局不断拓展，涉及众多重点应用领域，营业收入图表24北京君正营业收入及增速 图表25北京君正归母净利润及增速60600%60600%10归母净利润（亿元）同比1400%5040500%400%300%98761200%1000%800%305600%2010200%100%0%4321400%200%0%0-100%0-200%2018 2019 2020 2021 20222023H1 2018 2019 2020 2021 20222023H1资料来源：， 资料来源：，SRAMDRAM、FlashSRAMSRAM、异步SRAMQDRSRAMDRAM16M~16GDDR4LPDDR4等产品，2GLPDDR24GLPDDR4、8GbLPDDR4FlashNORFlash和NANDFlash，NOR256Kb~1GbNAND1Gb~8Gb。NORFlash车规lhia2年公司RAR、NORHalley平台的图表26北京君正产品进展

TA1C100LEDLINCANGreenPHYG.vn产品类型产品进展SRAM包括不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDRSRAM等产品，22年公司进行了不同种类和容量SRAM的研发，部分产品已完成投片、工程样片的生产DRAM8GLPDDR4、新规格的2GLPDDR2、4GLPDDR4等产品完成了量产工作Flash涵盖主流NORFlash和NANDFlash，对量产产品进行持续的良率提升，NOR具有256Kb~1Gb多种容量规格，NAND容量覆盖1Gb~8Gb微处理器芯片完成了X2600的各项功能和性能测试，并进行了量产测试相关准备，并开发Halley平台的研发，对重点客户进行技术支持智能视频芯片现有T系列芯片、A1芯片、C100芯片产品，完成了面向H.264双摄平台的升级产品T23C品研发模拟与互联芯片涵盖LED驱动芯片、触控传感芯片、DC/DC芯片、车用微处理器芯片、LIN、CAN、GreenPHY、G.vn等网络传输芯片，部分客户已进行了GreenPHY的导入与落地资料来源：公司公告，SLCNAND龙头，深耕中小容量存储芯片2014NANDFlashNORFlash、DRAM2021图表27东芯股份产品营收结构0%

NAND MCP DRAM NOR 其他2018 2019 2020 2021 2022资料来源：，20185.120222018~202120221.8529.4%。2023-0.75图表28东芯股份营业收入及增速 图表29东芯股份归母净利润及增速12营业收入（亿元） 同比120%3.5归母净利润（亿元）同比400%10100%380%300%860%2.5640%2200%420%0%1.51100%2-20%0.50%0201820192020 2021 20222023H1-40%0-0.520182019 2020 202120222023H1-100%-1-200%资料来源：， 资料来源：，DRAM、NAND、NOR形成了完整的SLCNANDNORFlashDRAMMCP202261.84%6.31%7.13%19.69%SLCNANDSLCNAND38nm28nm制28nm24nmNORFlashETOXNOR64Mb~1Gb48nm1.8V55nm3.3VNORLPDDRMCPSLCNANDLPDDR38nm48nm工艺的NOR均有产品通过AEC-Q100图表30东芯股份产品进展产品类型产品进展SLCNAND512Mb32Gb38nm、24nm28nm制28nm24nm1xnmNANDFlash产品已完成晶圆制造，并已完成功能性验证，正进行晶圆测试及工艺调整NORFlash64Mb1Gb48nm512Mb、1GbNOR的样NOR65nm55nm，55nm项新产品陆续进入研发设计、晶圆制造、样片验证等阶段DRAM包括DDR3（L)、LPDDR1、LPDDR2及一些定制化产品，设计研发的LPDDR4x及PSRAM产品均已完成工程样片并通过客户验证MCP集成自主研发的低功耗1.8vSLCNAND与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证资料来源：公司公告，普冉股份：NORFlashEEPROM为核心，专注科技创新2016NORFlashIICEEPROM20218NORFlashEEPROM微控制器及其他存储芯片312022微控制器及其他存储芯片资料来源：公司2022年报，3022516.15%0.8371.44%。20234.69-0.782022图表32普冉股份营业收入及增速 图表33普冉股份归母净利润及增速营业收入（亿元） 同比141210864202018 2019 2020 2021 2022

60%40%20%0%

32.521.510.50

归母净利润（亿元） 同比

1400%2018 2H12018 2H1239 2020 2021 2022011000%800%600%400%200%0%-200%-400%资料来源：， 资料来源：，NR和PRM”实现突破。公司NRFhIOTTDDI、AMOLEDNORFlash4Mb~128MbSONOS40nm，ETOX结50nm方2Kb~4Mb130nm95nmNORFlashEEPROMA1120ARMM4MCUDriverPEVCMDriverVOIS图表34普冉股份产品进展产品类型产品进展NORFlash512Kb~128Mb，40nm4Mb~128Mb的全系列均已量产。SONOS40nm，1.1VFlash产品完成研发和流片。ETOX工艺达到50nm制程，目前4Mbit到256Mbit已实现量产EEPROM2Kb~4Mb130nm95nm及以下制程已EEPROMAEC-Q100全面考核，2MbSPII²CEEPROM产品顺利量产出货MCUARM32M0MCU产品已完成研发并顺利量产出货，M0+系列已推1201ARMM4MCU产品处于客户送样阶段VCMDriver芯片内置非易失存储器的PE系列音圈马达驱动芯片多颗产品进入大批量供货，支持下一代主控平台的1.2VPD系列音圈马达驱动芯片产品也已进入量产。资料来源：公司2022年报，聚辰股份：存储芯片+音圈马