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文档简介
Word关于二极管的反向恢复电荷在功率变换器中,整流(二极管)的Qrr值。对效率的影响较大。下面对Qrr造成的影响分析如下,欢迎大家多多指导。
1、反向恢复(电流)与反向恢复电荷
1.1现象
当二极管从正偏到反偏时,二极管电流不会立即截止。会产生一个反向恢复电流。
2、产生的损耗
2.1该电荷在(MOSFET)内部释放
MOSFET的内部二极管的反向恢复电荷,在MOSFET导通的时候,二极管的反向恢复电荷,在MOSFET的Ron上产生损耗。
2.2该电荷导致高端MOSFET产生损耗
以经典的Buck电路为例:
当高边MOSFET导通时,MOSFET的体二极管再次发生反向偏置。
反向恢复电流Irr会短暂流经高边MOSFET,直到积累的电荷Qrr完全耗尽。
电荷耗尽不是瞬间完成的,Irr通常会流动几十纳秒,直到Qrr耗尽。
下图为Buck电路,MOSFET导通,二极管截止时,反向恢复电流与输入电流相叠加。
在Ron产生的损耗也相应增大。
3、产生的电压尖峰
反向恢复电流与(PCB)的寄生电感,将会产生电压尖峰。进一步造成栅极电压扰动。
严重时,会造成MOSFET误导通。
Vpeak=Ls*dirr/dt
以上就是二极管反向恢复电荷,可能造成的影响。最后,以一张(仿真)图说明上述分析。
仿真目的:使用s(pi)ce模型仿真Qrr与两倍Qrr的MOSF
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