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文档简介

半导体三极管的参数半导体三极管的参数分为直流参数、沟通参数和极限参数三大类。

1.共放射极直流电流放大系数

＝（IC－ICEO）/IB≈IC/IB|vCE＝const

在放大区基本不变。在共放射极输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE＝const)来求取IC/IB，如图1所示。在IC较小时和IC较大时，会有所减小，这一关系见图2。

图1在输出特性曲线上打算图2值与IC的关系

2.集电极－基极间反向饱和电流ICBO

ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于集电结的反向饱和电流。

2.集电极－放射极间的反向饱和电流ICEO

ICEO和ICBO有如下关系

ICEO＝（1＋）ICBO

相当基极开路时，集电极和放射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线IB＝0那条曲线所对应的Y坐标的数值，如图3所示。图3ICEO在输出特性曲线上的位置

3.共放射极沟通电流放大系数β

b＝DIC/DIB

在放大区，b值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于X轴的直线求取DIC/DIB。或在图2上通过求某一点的斜率得到b。详细方法如图4所示。图4在输出特性曲线上求取β4、集电极最大允许电流ICM

如图2所示，当集电极电流增加时，b就要下降，当b值下降到线性放大区b值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。至于b值下降多少，不同型号的三极管，不同的厂家的规定有所差别。可见，当IC＞ICM时，并不表示三极管会损坏。

5、集电极最大允许功率损耗PCM

集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM＝ICVCB≈ICVCE，因放射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。

6、反向击穿电压

反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的力量，其测试时的原理电路如图5所示。图5三极管击穿电压的测试电路1.V(BR)CBO——放射极开路时的集电结击穿电压。下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，C、B代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。

2.V(BR)EBO——集电极开路时放射结的击穿电压。

3.V(BR)CEO——基极开路时集电极和放射极间的击穿电压。

对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系：

V(BR)CBO≈V(BR)CES＞V(BR)CER＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO

由最大集电极功率损耗PCM、ICM和击穿电压V(B

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