2023年自考类机电一体化自考电子技术基础(一)2010-2022历年真题选编带答案难题含解析

2023年自考类机电一体化自考电子技术基础(一)2010-2022历年真题选编带答案难题含解析（图片大小可自由调整）第1卷一.历年考点试题参考题库(共75题)1.下列各项中，施密特触发器不具备的是______A.具有两个稳态B.有回差电压C.电平触发D.两状态可自动转换2.一奇偶校验电路输入为ABC三位二进制代码，当输入的ABC中有奇数个1时，输出F为“1”，否则输出为“0”，试设计该逻辑电路。要求：

(1)列出真值表；

(2)写出逻辑函数；

(3)画出用异或门实现该逻辑功能的逻辑图。3.函数的最简与或式为______。4.“与”、“或”、“非”在运算中的优先顺序依次是______A.与、或、非B.或、与、非C.非、与、或D.非、或、与5.由主从型JK触发器构成的电路如下图所示，此电路实现了______功能。

6.开启电压UGs(th)＞0的是______场效应管。7.电路如图所示，已知R1=2kΩ，RF=10kΩ，ui=100mV，求uo。

8.三极管的主要参数ICEO指的是

A.集电极-发射极反向饱和电流B.集电极-基极反向饱和电流C.集电极最大允许电流D.集电极-发射极正向导通电流9.理想运放构成如下图所示电路，有关参数见图，说明各运放的功能，并求uo1、uo2、uo的值及平衡电阻R1、R7的阻值。

10.测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如下图所示，则可判定该管为

A.PNP型管，①是E极B.PNP型管，③是E极C.NPN型管，①是E极D.NPN型管，②是E极11.下图中两个稳压管的稳定电压分别为8V和6V，正向压降均为0.7V，则输出电压uo为______。

12.某场效应晶体管工作在恒流区，当UGS=-1V时，ID=0.8mA，当UGS=-3V时，ID=0.2mA，则该管的低频跨导gm为______mA/V。13.集成运放的输入级多采用差动放大电路，它的主要作用是______。14.一般来说，集成运算放大电路的输出级应有

A.足够大的电压放大倍数B.足够大的输出功率和较小的输出电阻C.稳定的输出电流和较小的输出电阻D.稳定的输出电压和较大的输出电阻15.N型半导体中的多数载流子是

A.空穴B.自由电子C.施主离子D.受主离子16.稳压电路如图所示，W7815的静态电流IQ可忽略，已知RL=1kΩ。

(1)U'o=?；

(2)计算Uo；

(3)计算IL；

(4)指出电容Ci的作用。

17.十进制数(75)10所对应的二进制数为(______)2。18.N沟道耗尽型MOS管的符号是______

A．

B．

C．

D．19.n个变量可构成

个最小项。A.nB.2nC.2nD.2n-120.在放大电路中，为了稳定静态工作点应引入直流负反馈；为了改善放大电路的动态性能，应该采用______。21.理想二极管构成的电路如下图，其输出电压uo为______

A.-10VB.-6VC.-4VD.0V22.直流稳压电路中，整流电路的作用在于______A.把交流变成直流B.把直流变成交流C.把直流变成直流D.把交流变成交流23.放大电路中自给偏压偏置电路适用的管子是

A.NPN型晶体管B.结型P沟道FETC.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管24.工作在放大状态下的理想运放，其两个输入端的电流均为零，则称此为______A.虚短B.虚断C.虚联D.虚地25.函数的最小项表达式为

A.F一∑(0，1，4)B.F=∑(1，3，4，7)C.F=∑(0，1，2，3，5，6，7)D.F=∑(0，4，5，6，7)26.题下图中，已知RB1=7kΩ，RB2=4kΩ，RC=1.5kΩ，RE=1kΩ，RL=1kΩ，β=40，UCC=22V。要求：

(1)估算放大器的静态工作点Q(IBQ、ICQ、UCEQ)；

(2)求电压放大倍数Au、输入电阻ri及输出电阻ro。

27.和开路PN结的结区宽度相比，当PN结加上正偏压时，其结区宽度______；当PN结加上反偏压时，其结区宽度变宽。28.由四级触发器组成的计数器，其最大进制数(模)为

A.8B.16C.32D.429.为了使RS触发器的次态为1，则RS的取值应为______A.00B.01C.10D.1130.测得某电路中的半导体三极管(锗管)各管脚电位如图所示，则该管处在______

A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.不能确定的状态31.下图所示的由555定时器构成的电路名称为______。

32.某放大电路的上限截止频率为10kHz，下限截止频率为500Hz，则其通频带为______A.10.5kHzB.10kHzC.9.5kHzD.0.5kHz33.逻辑函数，其“与非与非”表达式为______

A．

B．

C．

D．34.从控制方式看，晶体三极管是______器件，而场效应管是电压控制器件。35.常用的LC正弦波振荡电路主要有变压器反馈式LC振荡电路和______LC振荡电路。36.集成双向移位寄存器74LS194应用电路如下图所示，该电路初始状态为Q0Q1Q2Q3=0001，则经过三个CP后，电路的状态应为Q0Q1Q2Q3=

A.0100B.0001C.1000D.001037.采用长尾差动放大电路，并且提高长尾电阻RE的阻值是为了______A.提高差模电压放大倍数B.提高共模电压放大倍数C.提高共模抑制比D.提高差模输出电阻38.设集成十进制加法计数器的初始状态为Q4Q3Q2Q1=0000，当输入时钟CP频率为1kHZ的脉冲时，经过12ms以后计数器的状态为______A.0010B.0100C.1010D.110039.当PN结外接反向电压时，其内部电流的关系为______A.扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流C.扩散电流小于漂移电流D.无法确定40.下列基本放大电路中，既能放大电压信号又能放大电流信号的是

A.共发射极放大电路B.共基极放大电路C.共集电极放大电路D.共漏极放大电路41.时序逻辑电路如图所示。要求：

(1)写出各触发器的驱动方程；

(2)填写电路状态表题25表(设电路的初态Q2Q1=00)；

(3)说明电路的进制数N。

42.如果放大电路反馈回来的信号只有直流成分，称为______。43.由555定时器构成的单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器三种电路中，______电路接通电源后能自动产生脉冲信号。44.空穴为少子的半导体称为

A.P型半导体B.N型半导体C.纯净半导体D.金属导体45.放大电路的非线性失真，是由于晶体管工作时进入______引起的。46.PNP型晶体管工作在放大区时，三个电极直流电位的关系为______A.UC＜UE＜UBB.UB＜UC＜UEC.UC＜UB＜UED.UB＜UE＜UC47.放大电路如图所示，已知UCC=12V，RB1=90kΩ，RB2=30kΩ，RC=3kΩ，RE=2kΩ，RL=6kΩ，UBE=0.6V，β=60。要求：

(1)估算静态量ICQ、UCEQ；

(2)计算电压放大倍数。

48.下图所示TTL电路输出函数F的逻辑表达式是______

A．

B．

C．

D．49.某组合逻辑电路的真值表如表所示，试用与非门实现该逻辑电路。要求：

(1)写出F的最简与非-与非式；

(2)画出逻辑图。

50.______的输出特性曲线分成放大区、截止区、饱和区三个区。51.阻容耦合、变压器耦合和直接耦合三种耦合方式中，______耦合的放大电路存在零点漂移。52.函数的最简与或表达式为F=______。53.触发器电路图如下图所示，当A=1时，其次态Qn+1等于______

A．0

B．1

C．Qn

D．54.桥式整流电容滤波电路如图所示，已知变压器二次侧电压有效值U2=20V，则输出直流电压u0为______

A.24VB.-24VC.18VD.-18V55.逻辑函数的最小项表达式为

A.F(A、B、C)=∑(1，3，4，5)B.F(A、B、C)=∑(0，2，4，5)C.F(A、B、C)=∑(1，2，5，6)D.F(A、B、C)=∑(1，3，5，6)56.组成二十五进制计数器至少需用______个触发器。57.组合逻辑电路如图所示。

(1)写出F的函数表达式；

(2)将(1)中的结果化为最简与或式；

(3)将(2)中的结果化为与非-与非式；

(4)画出仅用与非门和非门实现的电路。

58.______是与各种放大电路不同的另一种单元电路。59.理想运放构成的电路如下图所示。要求：

(1)指出理想运放构成何种运算电路；

(2)写出uo与ui1、ui2的关系式；

(3)知R1=20kΩ，RF=80kΩ，求R2值。

60.下图所示逻辑符号代表

A.或非门电路B.与或非门电路C.集电极开路与非门电路D.异或门电路61.电路如图所示。

(1)指出图示电路是何种基本运算电路；

(2)写出uo与ui1和ui2的关系式；

(3)若ui2=5V，计算u-=?

62.与(6B.2)16相对应的二进制数为______。63.NPN型三极管，处在饱和状态时是______A.UBE＜0，UBC＜0B.UBE＞0，UBC＞0C.UBE＞0，UBC＜0D.UBE＜0，UBC＞064.下图所示逻辑电路的表达式为______

A．

B．

C．

D．65.正弦波振荡器起振的幅值条件是______。66.由555定时器组成的单稳态触发器电路如下图所示，其输出脉冲宽度(定时时间)为TP=______s。

67.在下图所示电路中，已知负载电阻RL=100Ω，电压表的读数为12V，二极管VD为理想元件。设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大，试求：

(1)直流安培表的读数；

(2)交流伏特表的读数；

68.三极管β值是反映

能力的参数。A.电压控制电压B.电流控制电流C.电压控制电流D.电流控制电压69.在下图所示的典型工作点稳定电路中，已知：UCC=16V，RB1=2kΩ，RB2=14kΩ，RE=1.3kΩ，RC=10kΩ，RL=20kΩ，三极管导通时UBE≈0.7V，β=40，rbe≈1kΩ。要求：

(1)静态工作点；

(2)求解、ri和ro。

70.交流放大电路如下图所示，已知UBEQ=0.7V，β=80，rbe=2kΩ，RB1=90kΩ，RB2=30kΩ，RE=2kΩ，RC=3kΩ，RL=6kΩ，RS=1.8kΩ，忽略C1、C2、CE对信号的影响。

要求：

(1)估算静态值ICQ、UCEQ；

(2)计算电压放大倍数源电压放大倍数及输入电阻ri。

71.集成运算放大电路在用作各种信号运算电路时，应引入的反馈是______。72.在双端输入的差动放大电路中，输入信号ui1和ui2分别为60mV和40mV，则其共模输入信号uic和差模输入信号uid为______A.100mV和20mVB.50mV和10mVC.100mV和10mVD.50mV和50mV73.设计由一个集成运放构成的电路，实现uo=3ui的关系。要求反馈电阻RF=60kΩ。

(1)画出电路图；

(2)计算各电阻元件的阻值。74.由四个D触发器组成的移位型计数器如下图所示，设初始状态F3F2F1F0=1000，则计数器的计数进位制为______

A.四进制B.八进制C.十进制D.十六进制75.逻辑电路如下图所示，则其输出函数表达式为

A．

B．F=1

C．F=A

D．F=0第1卷参考答案一.历年考点试题参考题库1.参考答案：D[考点]本题主要考查的知识点为施密特触发器韵特点。

[解析]施密特触发器具有两个稳态，有回差电压而且能电平触发，但是状态不能自动转换。能自动转换状态的是单稳态触发器。2.参考答案：(1)

(2)

(3)3.参考答案：F=A+DE4.参考答案：C[考点]本题主要考查的知识点为逻辑运算的顺序。

[解析]在三种基本逻辑运算中，非运算的优先级最高，其次是与运算，最后是或运算。5.参考答案：计数(或翻转或)6.参考答案：N沟道增强型7.参考答案：设第一级运放输出对地的电压为Uo1，第二级运放输出对地的电压为Uo2，则

Uo1=-uiRF/R1=-5ui

Uo2=-Uo1R/R+(1+R/R)Uo1=-5ui

uo=Uo2-Uo1=Uo1-Uo1=08.参考答案：A9.参考答案：A1为电压跟随器；A2为同相比例运算电路；A3反相加法电路。

R1=R2∥R3=15∥30=10(kΩ)

R7=R4∥R5∥R6=10∥10∥20=4(kΩ)10.参考答案：B[解析]由三极管的特性可知，PNP型三极管工作在放大区时各极管脚电位的关系是：E电位＞B电位＞C电位，NPN型三极管工作在放大区时各极管脚电位的关系是：C电位＞B电位＞E电位。由于三极管正常工作时，UBE=0.6～0.7V，故该三极管为PNP型三极管且③为E极。11.参考答案：14V12.参考答案：0.313.参考答案：抑制零点漂移14.参考答案：B[解析]本题主要考查的知识点为集成运算放大电路输出级的特点。[要点透析]放大电路的输出级应有较强的带负载能力。要使一个电路有较强的带负载能力，就必须有较大的输出电压和较大的输出电流。要在一定输出电压下有较大的输出电流，就必须有较小的输出电阻。因此选项B正确。15.参考答案：B[解析]本题主要考查的知识点为N型半导体的特点。[要点透析]N型半导体是在纯净半导体材料中掺入少量五价杂质元素得到的，由于半导体材料原子是四价的，每掺入一个杂质原子，就会带来一个不受共价键束缚的自由电子，导致半导体中自由电子数量远远多于空穴数量，所以自由电子是N型半导体中的多数载流子。施主离子和受主离子是由杂质原子失去或得到一个电子而形成的不可移动的空间电荷，不是载流子。16.参考答案：(1)U'o=15V

(2)Uo=2U'o=30V

(3)

(4)防止(或避免)自激振荡17.参考答案：100101118.参考答案：A19.参考答案：C[解析]本题主要考查的知识点为n个变量构成最小项个数的计算方法。[要点透析]由于一个变量有两种形式——原变量和反变量，所以当总共有n个变量时，其最小项就是2n个。20.参考答案：交流负反馈21.参考答案：D22.参考答案：A[考点]本题主要考查的知识点为整流电路的作用。

[解析]电源变换有以下几种方式：

(1)把交流变成直流的过程即为整流；

(2)把直流变换为交流的过程称为逆变；

(3)把交流变成交流(不同频率)的过程称为变频或变周；

(4)把直流变换为直流的过程称为斩波，斩波一般用以完成变压过程。

由此可见，只有选项A正确。23.参考答案：D24.参考答案：B25.参考答案：C[解析]本题主要考查的知识点为逻辑函数的最小项表达式。[要点透析]

=∑(0，1，2，3，5，6，7)。26.参考答案：(1)

(2)27.参考答案：变窄28.参考答案：B29.参考答案：B[考点]本题主要考查的知识点为RS触发器的逻辑功能。

[解析]S为置1输入端，高电平有效，故当S=1时，RS触发器置1；考虑到RS触发器的约束条件，R应为0。30.参考答案：A[考点]主要考查的知识点为由三极管的管脚电位判断其工作状态。[解析]E电位高出B电位0.2V，所以对于锗管来说，E结正偏，再根据C结和B结2个电极的电位，可知C结反偏，所以这个三极管处于放大状态。31.参考答案：施密特触发器32.参考答案：C[考点]本题主要考查的知识点为放大电路通频带大小的计算。

放大电路通频带的大小等于电路上限截止频率与下限截止频率之差。33.参考答案：B[考点]本题主要考查的知识点为逻辑函数的运算。

在选项的四个表达式中，只有B项的表达式是“与非与非”式，其他都不是。由可知，选项B正确。34.参考答案：电流控制35.参考答案：三点式36.参考答案：D37.参考答案：C38.参考答案：A[考点]本题主要考查的知识点为十进制加法计数器。

当输入时钟CP频率为1kHZ的脉冲时，经过12ms以后送入计数器的脉冲个数为2。39.参考答案：C40.参考答案：A41.参考答案：(1)J1=K1=1

(2)状态表如下表

(3)N=4

42.参考答案：直流反馈43.参考答案：多指震荡器44.参考答案：B[解析]本题主要考查的知识点为N型半导体的特点。[要点透析]在N型杂质半导体中，电子数量多，是多数载流子；空穴数量少，是少数载流子。45.参考答案：饱和区或截止区46.参考答案：C[考点]本题主要考查的知识点为PNP型晶体管工作在放大区时，各电极直流电位的大小关系。

晶体管工作在放大区时，必须满足发射结正向偏置，集电结反向偏置的条件。对于PNP型晶体管来说，当UE＞UB时，发射结正向偏置；当UB＞UC时，集电结反向偏置。47.参考答案：(1)画直流通路，如图。求得Q点：