器件模型参数变化对MOSFET特性的影响_第1页
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文档简介

#横向扩散长度越长，沟道越短，电子的复合机会越小，器件的速度越快。从图23可以看出，随着横向扩散长度Ld增加，特征频率随之线性增加。四、结论本次仿真仿了栅氧化层厚度、沟道调制系数、衬底掺杂浓度、表面迁移率、快界面态、以及横向扩散长度这些S参数对器件跨导、迁移率、特征频率的影响，得到结论如下：1、随着栅氧化层厚度T丿曾加，NMOS的跨导、迁移率、特征频率均下降。OX2、随着沟道调制系数Lambda增加，NMOS的跨导、迁移率、特征频率均增加。3、随着衬底掺杂浓度的增加，NMOS管的跨导、迁移率、特征频率均快速下降。4、随着快界面态的密度增加，NMOS管的跨导、迁移率上升，而特征频率下降。5、随着表面迁移率值增加，NMOS管的跨导、迁移率、特征频率均上升。6、随着横向扩散长度的增大，NMOS管的跨导、迁移率、特征频率均上升。五、感想、体会、收获、建议、意见MOS管广泛的应用与现代集成电路设计中，本科中也对MOS管的特性进行了学习。对于MOS管的工作原理，I-V特性，C-V特性学习了很多，而对于影响MOS管这些直流特性和频率特性的二级效应学习及理解较少。本次仿真通过ADS软件，直观的看到了这些S参数的改变，对器件的电流电压特性、跨导、迁移率、频率特性带来的影响，加深了我对这些二级效应理论知识的理解。本次仿真我仿了栅氧化层厚度、沟道调制系数、衬底掺杂浓度、表面迁移率、快界面态、以及横向扩散长度这些S参数对器件跨导、迁移率、特征频率的影响。其中栅氧化层厚度、沟道调制系数、衬底掺杂浓度这三个系数在书本上介绍的较多，理解起来并不困难。它们对跨导、迁移率、特征频率的影响可以提前预测，通过这次仿真实际上是对书本上的知识进行了验证。表面迁移率、快界面态、以及横向扩散长度接触就较少，只是知道这些参数的名字及物理意义。对于它们对MOS管的影响接则不是很清楚，通过仿真直观的看到了它们对MOS管的跨导、迁移率、特征频率的影响，并才仿真的基础上有了一定的猜想和分析。六、参考文献【1】卫喆，SPICE算法研究和实现，电子科技大学，2009年【2】谢翠琴，简化小尺寸MOS晶体管SPICE模型关键参数的研究，安徽大学，2010年【3】刘恩科，半导体物理学，第七版，电子工业出版社，陈晓莉，2012年【4】DonaldA.Neamen,半导体器件，第四版

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