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文档简介

论文题目：Ce掺杂对PCrNi-4压电陶瓷性能的影响班级：XXXXXXXX学生：XXXXXXXX指导教师：XXXXX本科毕业生论文答辩内容提要1、研究背景及意义PZT压电陶瓷具有优异的压电、介电和光电等电学性能，广泛地应用于电子、航天等高技术领域，用于制备传感器、换能器、存储器等电子元器件。因应用的场所和作用不同，对压电陶瓷材料性能有着不同的要求。

发射型材料:“硬性”压电陶瓷材料，其d大，g则不一定大；

接收型材料:“软性”材料，其g大，d则不一定大；收发兼用材料：其d与g的乘积要大；

众所周知，在大功率器件的应用中会产生众多问题：例如，谐振频率的漂移；发热带来的机电耦合系数的减小和热稳定性变差等。其中的热量产生会带来升温，当温度上升到一定值时，将使材料去极化，使材料的压电介电体系完全失去功效。所以大功率压电材料具有的损耗要小，承受的功率密度大，对稳定性的要求也比较高。收发兼备压电陶瓷能够实现机械能和电能之间的相互转化，且具有发射、接收信号于一体的特有属性，成为当前的一大研究热点；在众多的应用领域中，功率型压电陶瓷的应用需求越来越大，传统收发兼备配方生产的压电陶瓷已不能满足大功率应用的要求。因此制备具有大功率收发兼备的压电陶瓷具有广阔的应用前景。压电陶瓷主要性能参数机电耦合系数kp机械品质因数Qm介电常数及介电损耗压电陶瓷性能压电应变常数d332、实验工艺2.1CeO2掺杂对压电陶瓷相组成的影响2θ在10~70°区间的x射线衍射图2θ在40~50

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