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文档简介

总复习大规模集成电路工艺学

VLSITechnology第一章绪论集成电路的发展晶体管、集成电路、平面工艺...摩尔定律特征尺寸著名代工企业半导体原理本征半导体掺杂半导体9/2/20232VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第二章现代CMOS工艺集成电路工艺的发展现代CMOS工艺基本流程Silicide、Salicide9/2/20233VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第三章晶圆制备晶体结构晶格、晶胞晶面、晶向多晶、单晶金刚石结构、闪锌矿结构晶体缺陷硅的制备冶金级硅、电子级硅晶体生长CZ、FZ、LEC晶圆制备流程、CMP9/2/20234VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第四章污染控制污染问题主要污染物、污染引起的问题污染源主要污染源洁净室晶圆清洗晶圆表面污染物颗粒去除化学清洗、RCA清洗流程冲洗、烘干吸杂概念、方法、原理9/2/20235VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第五章热氧化SiO2用途SiO2的主要特性、用途热氧化机制干氧化、湿氧化氧化层的生长氧化率影响因素氧化方法氧化系统反应炉、氧化源氧化工艺流程、工艺循环、RTP、RTO热氮化9/2/20236VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第六章光刻概述光刻目的、图形转移光刻胶光刻胶极性、掩模版极性光刻胶组成、表现要素、物理性质图形尺寸变化、针孔光刻工艺流程步骤旋转涂胶工艺、光刻机分类9/2/20237VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第六章光刻（续）高级光刻工艺图形处理问题改进曝光源、波长与分辨率对比效应、周相移动掩模版、光学临近纠偏环孔照射、掩模版薄膜晶圆表面问题防反射涂层、驻波平整化、复层光刻胶工艺、回刻平整、CMP双掩模版9/2/20238VLSITechnology:ModernCMOSTechnology第七章刻蚀概述方向性、选择性对刻蚀的要求刻蚀工艺分类干法、湿法改进刻

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