DB44-T 1630-2015 3528 5050 封装型片式发光二极管

41备案号：48826-2016

DB44

3528/5050

封装型片式发光二极管2015-07-01

广东省质量技术监督局

发布DB44/T

目 次5.5

可焊性…………………105.6

高温贮存………………105.7

低温贮存………………105.8

温度循环………………105.9

耐冷热冲击……………105.10

电老炼…………………106

试验方法……………………116.1

试验条件………………116.2

外观检查………………116.3

尺寸测定………………116.4

光电性能试验…………………………116.5

可焊性试验……………116.6

高温贮存试验…………………………116.7

低温贮存试验…………………………116.8

温度循环试验…………………………126.9

耐冷热冲击试验………………………126.10

电老炼试验……………127

检验规则……………………127.1

出厂检验………………128.1

标志……………………128.2

包装……………………138.3

运输……………………138.4

贮存……………………13DB44/T

前 言

LEDDB44/T

封装型片式发光二极管

范围本标准规定了3528、5050封装型片式发光二极管的术语和定义、型号、要求、试验方法、检验规

规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本

GB/T

2828.1

GB/T

2900.65电工术语

照明

术语和定义GB/T

2900.65

Mounted

Light

Emitting

Diode

(SMD

LED)单色片式发光二极管

Mounted

Devices

Light

Emitting

Diode全彩片式发光二极管

Light

Emitting

Diode

黑色表面的片式发光二极管

face

Surface

Mounted

Light

Emitting

Diode

型号LED

LED

DB44/T

4.1

片式发光二极管 4.2

名词解析

表示超高亮度，140mcd

以上用字母“

要求

外观

尺寸

3528

规定（外形尺寸见图

表1表1LED

LED

LED

LED

B1B2L4L1B3B1B2L4L1B1B2L4L1B3B1B2L4L1DB44/T

1（续）A

1（续）A

2

L

3L

2

表2A

1A

2

L

3L

2图2L1B2A2B1L1B2A2B1DB44/T

5050

规定（外形尺寸见图

表3A1表3L2图35.3

电气性能

3528

缺口A

线路B

线路图4

LED应采用

“A线路”的

3528

DB44/T

缺口

图5

5050

3 421

56缺口32

45

32

451 6

1

6A线

B线

LED

5050

图75050多彩片式发光二极管除红色芯片采用亮度等级为甚高亮的可以采用

采用其他亮度等级芯片封装的一律采用

1/2Deg

DB44/T

5.4

光电性能表4

50

100

1/2Deg

CCT

mcd1/2DegDB44/T

5（续）150

5（续）

mcdmcd1/2Deg

DB44/T

6（续）表7150

300

1/2DegCCT

DB44/T

8（续）150

mW

5050

mcd1/2DegDB44/T

9（续）5.5

可焊性5.6

高温贮存5.7

低温贮存5.8

温度循环5.9

耐冷热冲击5.10电老炼DB44/T

试验方法6.1

试验条件866.2

外观检查6.3

尺寸测定6.4

光电性能试验6.4.1

正向电压测定按SJ/T

6.4.2

反向电流测定按SJ/T

6.4.3

发光强度测定按SJ/T

6.4.4

发光角度测定按SJ/T

6.4.5

主波长测定按SJ/T

6.4.6

峰值波长测定按SJ/T

6.4.7

光谱辐射带宽测定按SJ/T

6.5

可焊性试验6.6

高温贮存试验

颗，取出后按5.6检查。6.7

低温贮存试验DB44/T

h（负24小时，正72小时），测试数量20颗，6.8

温度循环试验min，再转至min，循环100回合后，按5.8测定发6.9

耐冷热冲击试验片式发光二极管在-40℃±5℃条件下放置15min，再立即转入100℃±5℃条件下放置15min，来回6.10 电老炼试验72小时），测试数量20颗，按5.10测定。

检验规则7.1

出厂检