电磁兼容培训胶片(电缆)

电磁兼容培训胶片(电缆)杨继深2002年4月第1页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月处于电磁场中的电缆Sh第2页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月电磁场在电缆上的感应电压10kHz100kHz1MHz10MHz100MHz1GHz10GHz

0-10-20-30-40-50123ABCDEh=0.5mS:A=100mB=30mC=10mD=3mE=1m与S、h无关dBV1V/m场强产生的电压第3页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月平衡电路的抗干扰特性电磁场V1V2I1I2VD平衡性好坏用共模抑制比表示：

CMRR=20lg(VC/VD)VC高频时，由于寄生参数的影响，平衡性会降低第4页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月提高共模干扰抑制的方法平衡电路屏蔽电缆共模扼流圈平衡电路CMRRCMRRff第5页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月非平衡转换为平衡~第6页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月屏蔽电场0V电缆长度</20，单点接地电缆长度>/20，多点接地第7页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月磁场对电缆的干扰VNVN

＝(d

/dt)=A(dB/dt)磁通

回路面积A感应电压当面积一定时第8页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月减小感应回路的面积～理想同轴线的信号电流与回流等效为在几何上重合，因此电缆上的回路面积为0，整个回路面积仅有两端的部分～第9页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月屏蔽电缆减小磁场影响VSVSVS只有两端接地的屏蔽层才能屏蔽磁场第10页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月抑制磁场干扰的试验数据1001M1M1M100100每米18节(A)(B)(D)(E)(C)0271313281M1M100100第11页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月抑制磁场干扰的实验数据1001M1M1M100100每米18节(F)(G)(I)(J)(H)80557063771M1M100100第12页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月导线之间两种串扰机理MCICICILILR0RLR2GR2L第13页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月耦合方式的粗略判断ZSZL<3002：磁场耦合为主ZSZL>10002：电场耦合为主3002<ZSZL<10002：取决于几何结构和频率第14页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月电容耦合模型C12C1GC2GRC1GC2GC12RVN＝V1V1j[C12/(C12+C2G)]j+1/R(C12+C2G)]V1VN第15页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月耦合公式化简

R<<1/[j

(C12+C2G)]j[C12/(C12+C2G)]j+1/R(C12+C2G)]V1VN＝VN=jRC12V1

R>>1/[j

(C12+C2G)]

VN=V1[C12/(C12+C2G)]第16页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月电容耦合与频率的关系耦合电压VN=jRC12V1C12V1

(C12+C2G)VN=1/R(C12+C2G)频率

第17页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月屏蔽对电容耦合的影响－全屏蔽屏蔽层不接地：VN=VS=V1[C1S/(C1S+CSG)]，与无屏蔽相同屏蔽层接地时：VN=VS=0，具有理想的屏蔽效果C1sC1GCsGC1GCSGC1sVsV1V1VsC2S第18页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月部分屏蔽对电容耦合的效果R很大时：VN=V1[C12/(C12+C2G+C2S)]C1sC1GCsGCSGC1sVNV1V1VNC2SC12C12C2GR很小时：VN=jRC12

第19页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月互电感定义与计算定义：自感L＝

1/I1

，互感M＝

12/I1

1

是电流I1在回路1中产生的磁通，

12是电流I1在回路2中产生的磁通回路1回路2

aba

M=（

/2）ln[b2/（b2-a2）]第20页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月电感耦合MR2RR1RR2VN＝d

12/dt=d(MI1)/dt=MdI1/dtR1I1VNI1VNV1V1第21页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月电感耦合与电容耦合的判别IN=j

C12V1R2R1VVVN=j

M12I1R2R1～电容耦合电感耦合第22页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月非磁性屏蔽对电感耦合的影响I1M1SM12关键看互感是否由于屏蔽措施而发生了改变第23页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月双端接地屏蔽层的分析M1SM12MS2+-

-+~V12VS2导体1导体2屏蔽体V12=j

M12I1VS2=j

MS2ISVN=V12+VS2

I1IS求解这项第24页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月VS2项求解+++++++++

LS=/IS

MS2=/IS

因此：LS=

MS2

导体2屏蔽层VS2=j

MS2IS=j

MS2(VS/ZS)=j

LS[VS/(j

LS+RS)]=

VS[j

/(j

+RS/LS)]第25页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月屏蔽后的耦合电压VN=V12+VS2

V12=j

M12I1VS=j

M1SI1因为：M12=M1S所以：VS=j

M12I1所以：VS2=

j

M12I1[j

/(j

+RS/LS)]VN=V12-V12[j

/(j

+RS/LS)]=V12[(RS/LS)/(j

+RS/LS)]

V12

第26页，课件共28页，创作于2023年2月杨继深2002年4月屏蔽层的磁场耦合屏蔽效果VN

＝M12I1（Rs/Ls)VN

＝