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文档简介
〔CR、DR〕1(总分:72.00,做题时间:90一、A1/A227,分数:54.00)FPD用于DSA〔分数:2.00〕A.比照度好B.区分率高C.成像速度慢D.可以动态成像 √E.视野大解析:解析:FPD时间区分率高,所以可以用于动态成像和DSA。2.非晶硒FPD〔分数:2.00〕A.成像环节少B.吸取率高C.灵敏度高D.量子检出效率高E.无电离辐射 解析:间接FPD〔分数:2.00〕A.XB.X√C.X线一可见光一电信号一模拟图像D.X线一电信号一荧光屏一模拟图像解析:DR相比于CR〔分数:2.00〕成像时间短B.XC.图像质量好D.系统本钱高E.以上都是 解析:多丝正比电离室探测器是〔分数:2.00〕直接探测器 √C.模拟探测器D.平板探测器E.动态探测器解析:KonicaCR1mRS200,2mRS〔分数:2.00〕A.400B.200C.100√D.50E.10解析:解析:S=QR×E1/E1mRS=200×(1/1),2mRS100。关于CR〔分数:2.00〕IP由基层、荧光体层和保护层构成√IPIPIP解析:关于平板探测器的表达,错误的选项是〔分数:2.00〕有直接转换型和间接转换型B.其极限区分率比屏/片系统低C.其MTF比屏/片系统低√D.其DQEE.DQECR解析:解析:平板探测器的比照度传递力量在中低频区域高于屏/片系统。屏/片系统成像与数字平板X线摄影的共同之处是〔分数:2.00〕图像存储成像能源 √D.成像方式E.传输方式解析:CRDR〔分数:2.00〕A.成像方式B.操作方式C.床旁摄影D.可应用于常规摄影√E.与常规X解析:应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是〔分数:2.00〕A.硒鼓检测器C.直接转换平板探测器√D.间接转换平板探测器E.多丝正比室检测器解析:从X线到影像按“潜影→可见光→数字影像”这一程序转换的是〔分数:2.00〕B.成像板 √C.闪耀体+CCDD.直接转换平板探测器E.间接转换平板探测器解析:解析:只有光鼓励发光荧光体转换过程中存在潜影。FPD〔分数:2.00〕薄膜晶体管技术 √C.光电倍增管技术D.光鼓励发光技术E.非晶硒技术TFT间接DRFPD〔分数:2.00〕非晶硒碘化铯 √D.非晶硅E.CCD解析:解析:碘化铯为常用的间接DR闪耀体。直接平板探测器的线性度范围是〔分数:2.00〕A.1:10B.1:100C.1:1000D.1:10000√E.1:100000解析:直接FPD〔分数:2.00〕地址编码电路 √信号放大电路C.滤波电路E.显示电路解析:关于CR〔分数:2.00〕A.CRX(IP)上,而不是记录于胶片上IP不能重复使用 √IPE.CR解析:CRX〔分数:2.00〕使用影像板代替胶片√B.X人体X对CR将已摄影的X解析:CR〔分数:2.00〕常规XB.图像区分率、显示力高C.降低XD.时间、空间区分力缺乏√E.实现X解析:直接数字化X射线摄影承受多少位的图像数字化转换〔分数:2.00〕A.8B.14位 √C.4D.16E.以上都不是解析:CR〔分数:2.00〕A.灰阶处理B.窗位处理C.伪彩处理 √D.数字减影处理E.X解析:解析:伪彩常用于断层图像处理。数字化X射线成像系统的量子检测率可达〔分数:2.00〕A.60%以上 B.50%以上C.20%以上D.30%以上E.40%以上解析:传统X〔分数:2.00〕A.10%~20%B.20%~30% C.30%~40%D.40%~50%E.50%~60%解析:CRX〔分数:2.00〕均需要XB.均为灰度图像C.均为重叠图像D.均为二维图像E.均由像素组成,观看分析一样√解析:直接数字化X射线摄影,硒物质直接转换技术X射线的吸取率高于间接转换技术〔分数:2.00〕A.3~4倍 √6~85~91~2解析:CR〔分数:2.00〕A.灰阶处理B.窗位处理C.时间减影处理D.能量减影处理E.磁信号处理 解析:关于CR〔分数:2.00〕影像板上的信息可永久保存√C.影像板可反复使用D.影像板代替胶片保存XE.影像板信息未读取时呈潜影状态IP825%左右的信息。二、A3/A42,分数:8.00)透过被照体的X线照耀到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子一空穴对,即一对正负电子。该电子一空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分别并反向运动,负电子跑向偏压的正X存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出掌握信号的掌握下,开关导通,把存储于电容内的像A/D〔分数:4.00〕〔分数:2.00〕A.属于直接转换属于间接转换 √成像效果好于IPE.需要高压电场解析:〔分数:2.00〕A.产生电荷B.存储电荷C.开关√E.放大解析:CR(IP)来接收XIP程就是信息采集。〔分数:4.00〕关于IP〔分数:2.00〕IPXIP在XIP曝光后的成像板,由于吸取X线而发生电化学反响√IPX关于CR〔分数:2.00〕IP具有与胶片一样的构造√IP光鼓励荧光体的晶体构造“陷阱”中存储吸取的X线能量IP解析:三、B11,分数:10.00)BaFBr:Eu2+
NaS2
O 2 3
OC.NaCO2 2
D.CH
COOHE.a-Se〔分数:10.00〕3能用于IP〔分数:2.00〕√B.C.D.E.解析:〔分数:2.00〕A.B.√C.D.E.解析:(3).DR〔分数:2.00〕A.B.C.D.E.√解析:〔分数:2.00〕A.B.C.D.√E.解析:〔分数:2.00〕A.B.C.√D.E
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