分立元件放大电路

分立元件放大电路第1页，课件共106页，创作于2023年2月

对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。

对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。前一页后一页返回第2页，课件共106页，创作于2023年2月7.1半导体器件前一页后一页返回物质（导电能力）导体：绝缘体：半导体：导电能力很强不导电导电能力介于导体和绝缘体之间第3页，课件共106页，创作于2023年2月1.本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。硅和锗的晶体结构前一页后一页返回7.1.1PN结第4页，课件共106页，创作于2023年2月硅和锗的共价键结构共价键共用电子对

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。+4+4+4+4前一页后一页返回第5页，课件共106页，创作于2023年2月+4+4+4+4自由电子空穴

在常温下，共价键结构较稳定。但如果受到热激发，一些价电子可获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键上留下一个空位，称为空穴（带正电）。自由电子和空穴都称为载流子。

本征半导体的导电机理这一现象称为本征激发。前一页后一页返回第6页，课件共106页，创作于2023年2月本征半导体的导电机理在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移。空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为是空穴电流。

因常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子和空穴很少，所以本征半导体的导电能力很弱。

当半导体外加电压时，在电场的作用下将出现两部分电流：

1）自由电子作定向移动电子电流2）价电子递补空穴空穴电流+4+4+4+4前一页后一页返回第7页，课件共106页，创作于2023年2月2.N型半导体和P型半导体N型半导体自由电子浓度远大于空穴浓度，电子导电是这种半导体的主要导电方式。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。+4+4+4+4+5多余电子磷原子掺入五价元素在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子返回前一页后一页第8页，课件共106页，创作于2023年2月前一页后一页P型半导体空穴浓度远大于自由电子浓度，空穴导电是这种半导体的主要导电方式。

空穴称为多数载流子（多子），自由电子称为少数载流子（少子）。+4+4+4+4+3硼原子空穴掺入三价元素接受一个电子变为负离子返回第9页，课件共106页，创作于2023年2月杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体前一页后一页无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。返回第10页，课件共106页，创作于2023年2月1.在杂质半导体中多子的数量与

（a.掺杂浓度、b.温度）有关。2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量

（a.减少、b.不变、c.增多）。abc4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是，N型半导体中的电流主要是（a.电子电流、b.空穴电流）ba前一页后一页返回第11页，课件共106页，创作于2023年2月3.PN结的形成多子的扩散运动内电场E少子的漂移运动浓度差－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体空间电荷区内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变窄。扩散的结果使空间电荷区变宽。扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。空间电荷区也称PN结前一页后一页返回第12页，课件共106页，创作于2023年2月前一页后一页4、PN结的导电特性PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正、N接负－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++U内电场外电场PNIF内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。PN结正向电阻较小，正向电流较大，PN结处于导通状态。返回第13页，课件共106页，创作于2023年2月PN结加反向电压（反向偏置）－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++U内电场外电场PN内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IRPN结变宽P接负、N接正PN结反向电阻较大，反向电流很小，PN结处于截止状态。温度越高少子的数量越多，反向电流将随温度增加前一页后一页返回第14页，课件共106页，创作于2023年2月PN结的单向导电性1、PN结加正向电压（正向偏置，P接正、N

接负）时，PN结处于正向导通状态，PN

结正向电阻较小，正向电流较大。2、PN结加反向电压（反向偏置，P接负、N

接正）时，PN结处于反向截止状态，PN

结反向电阻较大，反向电流很小。前一页后一页返回第15页，课件共106页，创作于2023年2月7.1.2半导体二极管1、基本结构和类型（a）点接触型结构：按结构可分三类(b)面接触型结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。前一页后一页(c)平面型用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。返回第16页，课件共106页，创作于2023年2月二极管的结构示意图符号：PN阳极阴极VD前一页后一页返回第17页，课件共106页，创作于2023年2月二极管的单向导电性前一页后一页1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时，二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。3.外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。返回第18页，课件共106页，创作于2023年2月二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V

分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳>V阴或UD为正，二极管导通（正向偏置）若V阳<V阴或UD为负，二极管截止（反向偏置）前一页后一页

反向截止时二极管相当于断开。若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，返回第19页，课件共106页，创作于2023年2月电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳>V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：后一页取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。跳转D6V12V3kBAUAB+–返回第20页，课件共106页，创作于2023年2月两个二极管的阴极接在一起求：UAB取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=

－12VUD1=6V，UD2=12V∵

UD2>UD1∴VD2

优先导通，VD1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0VVD１6V12V3kBAVD2VD1承受反向电压为－6V流过VD2的电流为例2:前一页后一页UAB+–返回第21页，课件共106页，创作于2023年2月ui>8V

二极管导通，可看作短路uo=8V

ui<8V

二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。ui18V参考点8V例3二极管的用途：

整流、检波、限幅、箝位、开关、元件保护、温度补偿等。前一页后一页D8VRuoui++––返回uo第22页，课件共106页，创作于2023年2月7.1.3晶体三极管1.基本结构与类型BECNNP基极发射极集电极PNP集电极基极发射极BCENPN型PNP型后一页前一页返回第23页，课件共106页，创作于2023年2月BECNNP基极发射极集电极后一页前一页集电区：面积最大基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结返回第24页，课件共106页，创作于2023年2月符号：BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管型号：3A、3C是PNP3B、3D是NPN3A、3B是锗管3C、3D是硅管后一页前一页返回第25页，课件共106页，创作于2023年2月2.电流放大原理BECNNPEBRBECRC三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏PNP

VB<VE

VC<VB从电位的角度看：NPN发射结正偏VB>VE

集电结反偏VC>VB后一页前一页返回第26页，课件共106页，创作于2023年2月三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBEC基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。IBE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ICE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBO后一页前一页第27页，课件共106页，创作于2023年2月三极管内部载流子的运动规律BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICIBIC=ICE+ICBOICE后一页前一页IB=IBE-ICBOIBE返回第28页，课件共106页，创作于2023年2月ICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流常用公式后一页前一页返回第29页，课件共106页，创作于2023年2月各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.010.020.030.040.050.0010.501.001.702.503.300.0010.511.021.732.543.35结论1）三电极电流关系IE=IB+IC2）ICIE，IC

IB3）IC

IB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。

实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。后一页前一页返回第30页，课件共106页，创作于2023年2月3.特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线后一页前一页返回1）直观地分析管子的工作状态2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路第31页，课件共106页，创作于2023年2月实验线路输入回路输出回路发射极是输入、输出回路的公共端EBICmAAVUCEUBERBIBECV共发射极电路后一页前一页返回第32页，课件共106页，创作于2023年2月1）输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V特点:非线性死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。工作压降：硅UBE0.6~0.7V,锗UBE0.2~0.3V。后一页前一页返回第33页，课件共106页，创作于2023年2月2）输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，即IC=IB。后一页前一页此区域满足IC=IB

称为线性区（放大区），具有恒流特性。返回第34页，课件共106页，创作于2023年2月IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A

UCEUBE,集电结正偏，IBIC，称为饱和区。此区域中IC受UCE的影响较大后一页前一页返回第35页，课件共106页，创作于2023年2月IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC

=ICEO,UBE

<死区电压，称为截止区。后一页前一页为可靠截止，常取发射结零偏压或反偏压。返回第36页，课件共106页，创作于2023年2月输出特性可划分为三个区，分别代表晶体管的三种工作状态。1）放大区(线性区，具有恒流特性)放大状态

IC=IB，发射结正偏、集电结反偏。2）截止区（晶体管处于截止状态）开关断开IB=0，IC=ICEO0，UBE<死区电压发射结反偏或零偏、集电结反偏。3）饱和区(管子处于饱和导通状态)开关闭合IBIC，UCEUBE,发射结正偏，集电结正偏。后一页前一页返回第37页，课件共106页，创作于2023年2月4.主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法。相应地还有共基、共集接法。直流电流放大系数：1）电流放大系数和工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC。交流电流放大系数：一般小功率三极管大功率三极管后一页前一页返回第38页，课件共106页，创作于2023年2月例：UCE=4.7V时，IB=30A,IC=1.48mA；IB=45A,IC=2.2mA。在以后的计算中，一般作近似处理：=后一页前一页返回第39页，课件共106页，创作于2023年2月1、了解放大电路的基本性能指标；2、掌握共发射极放大电路的分析方法；7.2基本放大电路第40页，课件共106页，创作于2023年2月放大的概念:放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。

放大电路的性能指标（用来衡量放大电路的品质优劣）:电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带、非线性失真等第41页，课件共106页，创作于2023年2月7.2.1基本放大电路的组成及工作原理RBEBRCC1C2T++ECuo+–ui+–RSes+–RL++––1.电路组成参考点ui+–uo+–第42页，课件共106页，创作于2023年2月7.2.1基本放大电路的组成及工作原理RBEBRCC1C2T++ECuo+–ui+–RSes+–RL++––2.元件作用放大元件,iC=iB。要保证集电结反偏,发射结正偏,使T工作在放大区。使发射结正偏，并提供适当的基极电流。基极电源与基极电阻参考点第43页，课件共106页，创作于2023年2月7.2.1基本放大电路的组成及工作原理RBEBRCC1C2T++ECuo+–ui+–RSes+–RL++––2.元件作用集电极电源，为电路提供能量。并保证集电结反偏。集电极电阻，将变化的电流转变为变化的电压。耦合电容隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。信号源负载第44页，课件共106页，创作于2023年2月单电源供电时常用的画法后一页前一页RBEBRCC1C2T++ECuo+–ui+–RSes+–RL++––可以省去RB参考点+VCC输入输出返回第45页，课件共106页，创作于2023年2月7.2.2放大电路的分析放大电路的分析静态分析：无输入信号，用大写字母加大写下标表示，如IB、IC、UCE代表直流分量动态分析：加入输入信号，用小写字母加小写下标表示，如ib、ic、uce代表交流分量瞬时值直流分量和交流分量的和用小写字母加大写下标表示，如iB、iC、uCE第46页，课件共106页，创作于2023年2月共射放大电路的电压放大作用uBEtiBtiCtUBEIBICUCE无输入信号(ui

=0)时RCC1C2+++VCCRBiBiCuCEui+–uo+–uBE+–+–uo=0uC1=UBEuC2=UCEuCEt第47页，课件共106页，创作于2023年2月共射放大电路的电压放大作用uBEtuitiBtiCtuCEtuotUBEIBICUCE？无输入信号时有输入信号时

uCE=VCC－iCRC

uo=0uC1=UBEuC2=UCEuo

0uC1

UBEuC2UCERCC1C2+++VCCRBiBiCuCEui+–uo+–uBE+–+–第48页，课件共106页，创作于2023年2月表达式分析：则，负载开路时：可见，ic流经RC引起电压icRC的变化，即通过集电极电阻RC晶体管的电流放大作用转化为电压的放大作用。第49页，课件共106页，创作于2023年2月一、放大电路的静态分析静态：放大电路无交流信号输入（ui=0）时的工作状态。分析方法：估算法、图解法所用电路：放大电路的直流通路设置 Q点的目的：1）使放大电路不失真的放大信号；2）使放大电路工作在较佳的工作状态，静态是动态的基础。——静态工作点Q：IB、IC、UCE、UBE

。静态分析:确定放大电路的静态值。第50页，课件共106页，创作于2023年2月1.估算法：1）根据直流通路估算IBRBRCIB

RB称为偏置电阻，IB

称为偏置电流。+VCCUBE+–第51页，课件共106页，创作于2023年2月RBRC+VCC2）根据直流通道估算UCE、ICIC根据电流放大作用UCE+–第52页，课件共106页，创作于2023年2月RBRCIB+UCCIC例1：用估算法计算静态工作点。已知：UCC=12V，RC=4K，RB=300K，=37.5。(UBE=0.7V)解：请注意电路中IB和IC的数量级UCE+–UBE+–第53页，课件共106页，创作于2023年2月2、图解法：输入特性曲线上交点Q的坐标(IB、UBE)即为所求静态工作点。IBUBEQIBUBEUBE=VCC–IBRB由输入特性确定IB和UBERBRCIBICUCE+–UBE+–+VCC用作图的方法确定静态值直流偏置线第54页，课件共106页，创作于2023年2月ICUCE由输出特性确定IC和UCE。UCE=VCC–ICRC直流负载线直流负载线斜率RBRCIBICUCE+–UBE+–+VCCVCCQ由IB确定的那条输出特性与直流负载线的交点就是Q点，得到静态值Ic和UCE第55页，课件共106页，创作于2023年2月二、放大电路的动态分析动态：放大电路有交流信号输入（ui0）时的工作状态。动态分析:计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等。对象：各极电压和电流的交流分量。目的：找出它们与电路参数的关系，为设计打基础。分析方法：微变等效电路法，图解法（略）所用电路：放大电路的交流通路第56页，课件共106页，创作于2023年2月3、微变等效电路法1）输入回路iBuBE当输入信号很小时，电路工作在静态工作点附近，输入特性在小范围内近似线性。对输入的小交流信号而言，三极管相当于电阻。rbe称为晶体管输入电阻。对于小功率三极管：rbe的量级从几百欧到几千欧。三极管的微变等效电路UBEIB第57页，课件共106页，创作于2023年2月2）输出回路iCuCE所以：输出端相当于一个受ib控制的电流源。ICUCE特性曲线近似平行输出端还要并联一个大电阻rce。rce愈大，恒流特性愈好rce称为晶体管输出电阻第58页，课件共106页，创作于2023年2月ibicicBCEibibrceCrbeBE晶体三极管微变等效电路ube+-uce+-ube+-uce+-rce很大，一般忽略。第59页，课件共106页，创作于2023年2月2.放大电路的微变等效电路将交流通路中的三极管用微变等效电路代替分析时假设输入为正弦交流电，所以等效电路中的电压与电流可用相量表示。RBRCuiuoRL++-rbeibibicRBRCRLEBCui+-uo+-rbeRBRCRL+--+第60页，课件共106页，创作于2023年2月3.电压放大倍数的计算：负载电阻越小，放大倍数越小。放大倍数与静态IE有关。rbeRBRCRL+--+第61页，课件共106页，创作于2023年2月输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数。电路的输入电阻越大，从信号源取得的电流越小，因此一般总是希望得到较大的的输入电阻。rbeRBRCRL+--+4.输入电阻的计算定义：第62页，课件共106页，创作于2023年2月5.输出电阻的计算对于负载而言，放大电路相当于信号源，可以将它进行戴维南等效，等效电源的内阻就是输出电阻。+_RLr0+_Au+_RL放大电路RS+_第63页，课件共106页，创作于2023年2月输出电阻的定义：+_无源网络将信号源短路负载RL开路Au+_RL放大电路RS+_+_ro第64页，课件共106页，创作于2023年2月RL000rbeRBRC外加求ro的步骤：1）断开负载RL2）令Ui=0或ES=03）外加电压4）求共发射极放大电路输出电阻共射极放大电路特点：

1.放大倍数高;2.输入电阻低;3.输出电阻高.++--加压求流法输出电阻是动态电阻，与负载无关。第65页，课件共106页，创作于2023年2月rbeRCRLRE++--+-ibicBCE+-RE常用电路第66页，课件共106页，创作于2023年2月rbeRCRLRE++--第67页，课件共106页，创作于2023年2月7.2.3非线性失真：如果Q设置不合适或信号过大，晶体管的动态工作点进入非线性区而引起信号失真，称为非线性失真。如果Q设置过高，管子工作进入饱和区，造成饱和失真（P160图7-34）。减小基极电流可消除失真。如果Q设置过低，管子工作进入截止区，造成截止失真（P160图7-35），增加基极电流可消除失真。如果Q设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。第68页，课件共106页，创作于2023年2月本节小结1、静态分析：静态工作点（IB，IC，UCE）图解法：估算法：2、动态分析：微变等效电路法第69页，课件共106页，创作于2023年2月ibicicBCEibibrceCrbeBE晶体三极管微变等效电路ube+-uce+-ube+-uce+-rce很大，一般忽略。第70页，课件共106页，创作于2023年2月rbeRBRCRL+--+rbeRCRLRE++--第71页，课件共106页，创作于2023年2月7.3放大电路中静态工作点的稳定合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件的变化而发生变动。前述的固定偏置放大电路，简单、容易调整，但在温度变化、三极管老化、电源电压波动等外部因素的影响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电路不能正常工作，其中影响最大的是温度的变化。后一页前一页返回第72页，课件共106页，创作于2023年2月7.3.1温度变化对静态工作点的影响在固定偏置放大电路中上式表明，当VCC和RB一定时，IC与UBE、以及ICEO

有关，而这三个参数随温度而变化。

当温度升高时，

UBE、、ICBO

。温度升高时，

IC将增加，使Q点沿负载线上移。后一页前一页返回第73页，课件共106页，创作于2023年2月iCuCEQ温度升高时，输出特性曲线上移结论：当温度升高时，

IC将增加，使Q点沿负载线上移，容易使T进入饱和区造成饱和失真，甚至引起过热烧坏三极管。Q´固定偏置电路的Q点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使IC增加时，能够自动减少IB，从而抑制Q点的变化，保持Q点基本稳定。后一页前一页返回第74页，课件共106页，创作于2023年2月7.3.2分压式偏置电路1、稳定Q点的原理基极电位基本恒定，不随温度变化。后一页前一页RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IBVB++++UCCuiuo++––返回第75页，课件共106页，创作于2023年2月集电极电流基本恒定，不随温度变化。后一页前一页RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IBVB++++UCCuiuo++––返回第76页，课件共106页，创作于2023年2月参数的选择在估算时一般选取：I2=（5~10）IB，VB=（5~10）UBE，RB1、RB2的阻值一般为几十千欧。后一页前一页RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IBVB++++UCCuiuo++––返回第77页，课件共106页，创作于2023年2月Q点稳定的过程TUBEIBICVEICVB固定RE:温度补偿电阻对直流：RE越大稳Q效果越好；对交流：

RE越大交流损失越大,为避免交流损失加旁路电容CE。后一页前一页I1I2IBVB+++RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuo+–ui+–返回第78页，课件共106页，创作于2023年2月2.静态工作点的计算估算法:后一页前一页RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IBVB++++VCCuiuo++––返回课本P162例7-6第79页，课件共106页，创作于2023年2月3.动态分析对交流:CE将RE短路，RE不起作用，Au，ri，ro与固定偏置电路相同。后一页前一页I1I2IBVB+++RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuo+–ui+–旁路电容返回第80页，课件共106页，创作于2023年2月rbeRCRL+_+_第81页，课件共106页，创作于2023年2月I1I2IBVB+++RB1RCC1C2RB2CERERL+UCCuo+–ui+–旁路电容讨论：如果去掉CE，Au，ri，ro怎样？第82页，课件共106页，创作于2023年2月去掉CE后的微变等效电路+UCC短路对地短路后一页前一页C1RB1RCC2RB2RERLuo+–ui+–rbeRCRLRE++--返回第83页，课件共106页，创作于2023年2月(1)电压放大倍数后一页前一页rbeRCRLRE+_+_返回(2)输入电阻ri

和输出电阻r0第84页，课件共106页，创作于2023年2月无旁路电容CE有旁路电容CEAu减小ri提高ro不变分压式偏置电路后一页前一页返回第85页，课件共106页，创作于2023年2月

第86页，课件共106页，创作于2023年2月例2:.

在图示放大电路中，已知UCC=12V,RC=6kΩ,RE1=300Ω，RE2=2.7KΩ，RB1=60kΩ，RB2=20kΩ

RL=6kΩ，晶体管β=50，UBE=0.6V,试求:(1)静态工作点IB、IC及UCE；(2)画出微变等效电路；(3)输入电阻ri、r0及Ａu。RB1+UCCRCC1C2RB2CERE2RLuiuoRE1++返回第87页，课件共106页，创作于2023年2月【解】RB1+UCCRCRB2RE2RE1直流通路如图所示。返回后一页前一页第88页，课件共106页，创作于2023年2月（2）微变等效电路如图rbeRCRLRE1++返回后一页前一页第89页，课件共106页，创作于2023年2月7.4共集电极放大电路后一页前一页RB+UCCC1C2RERLuiuo++––++返回又称：射极输出器第90页，课件共106页，创作于2023年2月求Q点：RB+UCCRE直流通路7.4.1静态分析：后一页前一页返回RB+UCCC1C2RERLuiuo++––++第91页，课件共106页，创作于2023年2月7.4.2动态分析1.电压放大倍数

电压放大倍数

且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。rbeRERL++––后一页前一页返回第92页，课件共106页，创作于2023年2月2.输入电阻后一页前一页rbeRERL++––ri与负载有关返回第93页，课件共106页，创作于2023年2月3.输出电阻断开负载电阻，用加压求流法求输出电阻。置0后一页前一页+RsrbeRERL+ro返回第94页，课件共106页，创作于2023年2月一般所以