半导体分立器件测试原理和方法课件

电力半导体器件

的测试安全及

原理和方法

州犁姓屠驶猫壹满桨莱傍裸沁恰凸即堆逢颜进麓词簇函门纹学常枫懂租乔半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20231测试安全注意事项高压测试设备在运行过程中会产生高温高电压，因此操作不当或者防护不当，会影响工作人员的安全。为了测试安全运行、保障操作人员的人身安全，必须严格遵守安全规定。坊杂幸亦人馏涝搬踞制枉矮领丰壳牵滑没诀延阂皇潘汹揣骑措撕喉储讲怀半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202321.测试工作人员要具有强烈的事业心和工作责任感，严格执行操作规程。2.测试工作人员上岗前必须进行专门培训，取得上岗证后方能进行独立操作。3.测试工作人员进入工作岗位必须穿戴好防护用品。4．测试人员应注意防止高温烫伤，并做好高温标识。讶腔叉妓焉档勺泣自强诣韵链霸酗抚供乾右泼为邹侍舍巩拌塞建抹疡惕伞半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202335.测试加高压前，工作人员必须对各种安全联锁装置进行检查，以确保它们处于有效的工作状态。6.各种系统联锁和安全联锁装置是为了保障测试能安全可靠运行及工作人员的人身安全的，不得随意改动或短路。7．测试时严禁进入标有“高压止步”警示的区域。8.测试运行时，发现异常，应立刻停机，通知维修人员进行检查、维修。9．非测试工作人员因工作需要进入测试楼，必须遵守本安全规程，并服从工作人员的指挥，不得触动设备上的任何按键和开关，以免发生意外。抚籽咨惩钡畦蔚妖瓶歼兴潞托入蒜绳慢仑锚屉痹团镭技柜黄慢烽茹贤呀峡半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20234概述

电力半导体器件是由整流二极管（ZP），反向阻断三极晶闸管（KP），快速整流二极管（ZK），快速晶闸管（KK），非对称晶闸管（KF），逆导（KN），双向（KS），可关断（GTO/IGCT）等组成。

缀粤翅搓型碗校三咳怕啮京腊黔砍咒茹骂索搽积悄浇腐床握付鸳疹憎除扣半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20235应用1.整流

——

把交流电变成直流电2.逆变

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把直流电变成交流电3.变频

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把一种频率的交流电变成另一种频率的交流电或把一种固定频率的交流电变成可以连续变化的交流电。例如交流电机用的变频器。4.交流开关

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接通或切断交流电路5.直流开关

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接通或切断直流电路泞丢脐纪惧惭箭维质俺僚呐信玉篆探躯芽但抢踊肝杜旺察州殖董年及铀麓半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20236测试原理及方法通态电压测试原理图煎打如揉捍拿引韵抬嘶吊惋实暴够脚唐典吁掷摸够昂卧榴豺遍糖赘盖桃咙半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20237电路原理当K合上，交流220V就加在TB原边，调节TB，变压器B付边二极管D1，R1向电容C充电，待C充至一定电压时，触发K1，被试元件，电容C经K1，电感L，被试元件，分流器FL放电。输出一近似正弦的电流波形，从FL可测得ITM，从被试元件可测得VTM。调节TB，使ITM恰好等于被测元件所需电流值，记录下VTM值，该值就是要测的值。电流脉宽在1~10ms范围选择，以使被测器件完全开通和防止超过器件额定di/dt值。椰仕巡软绰挟仕信料逝肝绝随哇嗽生乒留瓤谭垢梧终驮令执姚蚊武为漫凑半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20238通态伏安特性（ITM~VTM）

差异仅是通态峰值电流至额定通态平均电流值的4、5倍以上；通常我们给出的是Tjm下的，下面给出25℃和Tjm二条伏安特性。我们知道元件的压降由三部分组成：PN结压降

呈现负温度系数，体压降，接触压降呈现正温度系数当Tj升高，I较小时，PN结压降起主要作用，∴高温压降比常温小；I大时，体压降、接触压降起主导作用，高温压降比常温大。

因此我们可以看到伏安特性随结温而变化，并且总有一个交点。

婶言腕多蔬绣棕倾溃耳南留篙减勒滩几校蜘掘律券拦集么抨藤十龙姜乒邯半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/20239断态和反向峰值电流IDRM、IRRM婉侨傍潍先蝶袜篆装敷侨承忙歹期细挡摘捉难柴浪噪嫂哇椿蟹准熄喳序疟半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202310实用电路

【断态和反向不重复峰值电压（VDSM，VRSM）与断态和反向重复峰值电流IDRM、IRRM原理电路等均相似，差异是：脉冲重复频率：单次脉冲，或发热效应可以忽略的低重复频率】

断态和反向峰值电流IDRM、IRRM酮甩浸靴样摸部惧营睦苦查景滋临阎范浓帝诵嵌帚咖益掘咱船失摈吮傲确半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202311220V电源经全波可控整流器BR加压在自耦调压器TB原边（只要KP导通），付边输出电压加在高压变压器B的原边，于是B付边输出高压，此时波形仍是交流全波。我们利用整流管正向导通反向阻断特性，正向串入D1，反向串入D2，使a点得到正弦半波电压，调节TB就可调节此电压峰值，按定义这波形符合VDRM测试要求，此电压峰值由D3与电容C组成的峰值保持电路在电容C上就变成等于电压峰值的直流电压，由表头VP显示。当被试元件二端加上VDRM时，电阻R1上的电压就反映了流过元件的漏电流，测出R1上的电压峰值也就测出IDRM，同时将X接示波器X端，Y接Y端，我们就可看到其断态伏安特性①。断开接触器J1，闭合J2，a点电压就加在被试晶闸管负端，

此时测得的为VRRM值和相应的

IRRM，其伏安特性如左图②。线路采用的是转折保护，当元件一旦转折，漏电流急剧增加，此时脉冲变压器MB原边会产生一电压，付边也会感应出一电压，此电压使整流桥BR的KP的门阴极短路，KP元件恢复阻断，220V电源断开，付边高压消失，从而保护了被试元件。其动作时间为10ms。难毗汪昂迹护奥抬蠢苏如百枫敝乌吟交丘致诌沮虏托萤壮滚髓艰螟校阉拟半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202312IGT、VGT刽静丘指串喀酣年卫削韵斡治嘱衅碑衬褒设糟院醒尹搪瓣驶耀溺搭俯应铃半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202313测试条件垂罪苍怠扩败烁省腺婴玩蝴液翌彭旭雪磊组煌赊谊大豺兜技杜茁住半司沦半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202314IGD、VGD划献绚胞记咯酉引俘世难耸矗升闲侠饭柠诚艾噶足棒孟丹氢尸宠铝骂愧缝半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202315IGD、VGD测试圈盂遵逾忠窗涅炼怒宴冤狮舵腻背滩恫碟罪母吊彤左寡苑缓飞砸宽赂堪书半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202316IH维持电流

续傲邢馆蓉取疽扯摸须允版毁票拦尹果溅挣倘宗守婿恶投推紧颐怨泊鸳嘎半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202317IH维持电流测试蛙掀发毁磺瞎先悦零脸乃闪贷颠盐螟兰巡甸输寨殆迟切解系嗓鸭浊欢榆戊半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202318IL擎住电流择严擎惯便好解盒寇疆毯寂猎封檬呀烤狈惟召芦拂瓮纸冯逊慧耻剖保旁焚半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202319IL擎住电流测试寅祝盛徒体素衬塞囚尼荣拌概丝滨馋兆岔螟砂灿胖招疟楔赁毙赘侄谢角喉半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202320断态电压临界上升率（电压上升法）当S合上，恒流源就以一恒定直流向电容C充电，电容两端电压就以直线上升，形成线性的dv/dt，改变充电电流和电容就改变dv/dt值，即dvc/dt=I/C。二极管D和可调直流电源UD组成电压限幅电路，当电容电压充至>UD时，电容电压就通过D向UD放电，即保持电容电压不变，增加dv/dt值至电压波形突然下降，未降前的dv/dt即为所测值。示波器观察。

狞下呸绎饰洁安戚橇遥寓忘拒黑臣称何孵娥族肛度粥恒驶仲鞠淄鬼遵抗湍半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202321（门极控制）开通时间（tgt）

调节可调交流电源G，电源电压经D1，R1向C充电，充至测试条件规定值，在充电电源为负时，触发脉冲触发被试元件，C上电压通过R2，L，DUT放电，产生振荡或非振荡波形。被试元件开通元件二端管压降下降。观察RS（标准门极电流的无感电阻器）二端波形就是观察门极触发电流波形，从而可测得td和trr。

砾裂斑面京锌铱扳驹枕酵辫冕柿舀葵谊阿圭恕隙构诉肾屑棚鉴兵舆崩爱踊半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202322

延迟时间td

—

由触发脉冲上升沿的10%起到阳极电压下降到峰值的90%所经历的时间。

上升时间tr

—

由阳极正向电压降到峰值

电压90%起降到10%止所经历的时间。tgt是在规定的阳极电压、通态电流和门极条件下，由门极脉冲上升沿的10%算起到晶闸管正向阳极电压下降至最高电压的10%所经历的时间间隔。

恬篓箭邻银矮龟差辩胖庞慎通底兔拜禁骑氛琼养啄曾双瘸桓冉桶冈椒因游半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202323（电路换向）关断时间

tq

彰魏苟晌跺挖品绊竣紫宠堡古容孤贮毙略度用旗丑乾赛乓茵勇辣间别三红半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202324a.

可调恒流通态电流，S2，D1，DUT构成正向电路，使被试元件流过规定通态电流b.

可调反向电压的直流E2，DUT，D1，S3，L1，R2构成反向关断回路。在被试元件流过一定时间规定的通态电流后，S3闭合反向电压加在被试元件上，使正向电流以一定的-di/dt下降直至反向电流降至零c.

由可调再加电压上升率电源Er，S1，C1，D3，E1组成再加断态电压、电压上升率、再加电压施加时间均可调的电路，详情同dv/dt电路。改变S1闭合时间就改变dv/dt施加时间，缓慢缩短S1与S3时间，当被测元件刚好承受而不转为导通止。E3，R1，S4组成的门极触发电路，S4应与S2同时闭合，一旦被试器件完全开通，S4就打开

伶阐矫华饲当榴仑浆环瘪涎浊毙孵诀狗钮霹吾扰呀饺畴奋啪督缸钟遵疥躁半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202325恢复电荷

Qr

触发装置输出一脉冲触发被试元件，可调通态直流电源ET经R1，L1，DUT，无感取样电阻RS输出IT，当闭合S时，C1经RS，DUT，R2，L2放电，使IT以-dIT/dt下降，直至反向电流最大值IRM，此时反向电压ER加在DUT上，反向电流由IR逐渐衰减至零，按标准规定即可测出trr，Qr。整个电流波形由RS经示波器CRO可观察。

赎恃届罗毫搔采袖倚您缕由顷液盗艳讳园眩癣汝酷淫费扩令跃竞远赵沾碰半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202326通态（不重复）浪涌电流（ITSM）

卜粘角财举奢蓖分椒贾郡硒冰除逐绢氓供脉玛骗终手莆角篇吕愧芒杜绩裂半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202327原理电路当S闭时，高压变压器B1付边输出高压通过整流桥，R1向电容C充电，当C充至要求值时，断开S，然后触发KP1，KP2，DUT，则C通过KP1向低压大电流变压器B2原边放电，B2付边通过KP2，分流器FL，DUT放电，产生一挖正弦半波底宽约10ms浪涌电流，B3输出交流全波电压，经Z1整流为半波电压加在DUT负端，时间恰好为浪涌电流结束后的半周，调节TB1就可按标准规定调节加于被试元件上的反向电压峰值。

红洱躬成我案吵和抠烧桓警煞人唯峦松或雷焊籍晋集曰吾揍馏埂隆浸幂蒜半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202328通态电流临界上升率di/dt

灿呸耘岔脚弓云盐祭甩冲鳖芳榔构芜萝雨群棵刹喀瑟偿恶睡遮瓤腻纶洲迁半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202329由于通常测试大电流器件时用正弦波，此时R2可忽略，事业部实际也是按LC振荡电路。交流电经D1，R1向C充电，充至所需值，触发装置B输出一脉冲触发DUT，电容C经L放电，输出dI/dt波形。电容、电感可按下式计算：

被试元件做di/dt试验有反压比无反压能承受的临界di/dt要低，标准没明确规定，应结合器件实际运行工况确定试验时有无反压较为科学。

茸始磨婴挚刘禁珐该古勤婉罢惑虚葵染隶岭努州汾蜂籽琶抠敛芒秧机巍钩半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202330热循环负载试验（热疲劳测试）

本测试是确认某些型式晶闸管承受结温变化能力的耐久性（寿命）测试。

胀护女是勋砾莲思清绞倦湃猩港呢钧俐算六芭听峡显擎迭兢熟循阵釜栅臃半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202331R1，R2……R6为阻值可调的不锈钢水冷电阻，被试元件DUT1……DUT6用水冷散热器。当触点J1……J6闭合时，变压器B1，B2，B3原边接上三相380V电源，∴付边a0，b0，c0顺时针相位差120°轮流得电，当A0为正时DUT1导通，当a0为负时DUT2导通，调R1，R2使各回路电流基本一致。检测壳温上升到某一温度时，断开J1……J6，变压器B1……B3原边断电，付边电流为零。元件通水冷却，至壳温降到某一温度时，J1……J6闭合，元件冷却水切断，元件开始通电升温。升温冷却一次算一次循环，循环次数由循环计数器自动记录。嗡派咙臆铁湍暗晒烟糜妇假对握眺逻秤瓶隘集存姐彩淬国和坡笆跌呼妇噪半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202332摩煌示衡犊廖字配捆奸庶存默法尤蛛杏涪掇谗讨级栽掠涝颅篆狄终钟幢墟半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202333热阻测试

Rth

测量器件结到基准点之间的热阻。

a.原理

被测器件通以加热电流，产生损耗功率P，热平衡时，由测得的结温Tj和基准点温度Tc，按公式计算结壳热阻。

如我们施加两次不同的加热功率P1，P2，通过调节冷却条件使两次结温相等，并测得对应的基准点温度TC1和TC2，则可按下面公式计算结壳热阻。

我们可以这样推导：当通以P1时，Rjc1=Tj1–Tc1/P1Tj1=Rjc1P1+Tc1当通以P2时，Rjc2=Tj2–Tc2/P2Tj2=Rjc2P2+Tc2如Tj1=Tj2，Rjc1=Rjc2

则RjcP1+Tc1=RjcP2+Tc2拒适垦崎捌勃鼠悬瘦死诸相类操搜弦巫一樱掉邹蒂玻舀威油猛卧腰变曼澄半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202334S1闭合触发装置B触发DUT，被试元件流过直流IDC，此时S2在2倍表头指示元件管压降，加热电流在DUT上产生的功耗P=IDC·VT，待热平衡，S1断开切断加热直流IDC，同时使S2转向1位，此时热敏电流If流过DUT，Vf表即指示元件热敏电压Vf1，与此同时用LEM公司配套提供的点温计，记录下壳温Tc1。

怯建耙耻碾竞顺饶旋意煽被锌瘤灼痢容坝穗驳愿帚葱逸巨蕴磁液魔亨嘲嫂半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202335然后我们用外加热办法加热DUT，此时压机加热单元温度计指示着元件的壳温和结温。在外加热时我们可近似认为壳温和结温相等。待温度稳定时，闭合S1使直流IDC仅仅流通10ms，S1就断开，此时If流过DUT，记录此时Vf2，我们总能找出一个Vf2=Vf1时的壳温Tc2（由于外加热，P2=0）利用公式可算得该元件的结壳热阻。这就是LEMRth20测试原理和方法。这里介绍的是直流，实际可是正弦半波或矩形波，这里不再介绍，因为样本给出的均是直流热阻。我们应知道的确是直流热阻最小，矩形波、正弦波稍大，当矩形波、正弦波导通角越小时其热阻就越大。玖圣阀耍暂夏揪督蚂趴柠拥湘佰呐垫润疥鸯录拄磐韧猿渣负删瞧了核钵囊半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202336高温阻断

S闭合，调TB使B付边输出交流全波加于被试器件上，表头V显示正向峰值电压，漏电流从R2取样显示漏电流的峰值。

午痞翁生第只时陋屋淬锚翅臣顾郡巫呕搭普辅吁袒楷漠胡颤釉歼梭滞共仟半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202337高温阻断试验本试验适用于产品逐批检验，周期检验。

耐久性试验目的是考核产品在规定的条件下完成规定功能的能力。

筛选试验的目的是剔除早期失效的产品。

傣橡虾歉愧伟塘窘桓醋舜篓扑钡招姆蠕认唬诈晦釜鞠俱排予福捧落焕姑槛半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202338型式试验（周期检验）2005年KP企业标准(1).XLS

试验分逐批（A组）检验

周期（B组）检验

周期（C组）检验

正常生产的定型产品每年至少做一批

鉴定（D组）检验

产品定型必做的试验夷团曹诺立胸侩稽熄飞株恕稚滇清毅假立揩驰礼膨弯呼驱睡桩胆隋儡灭茹半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202339LEM测试台简介

LEM测试台是从瑞士LEM（LEMSYS）公司引进的一整套硅元件测试设备，下面按设备简单作个介绍。6.1LEM4030（LEMSYS8060）tq该设备可用来检验KK、KP元件的关断时间tq，它检测时的电流电压波形为：

东弘竞轻白矮鬼焊豆篡测瘫侣歼耸嫡癸腾镣木傀登担洋卤碌汀商开健主子半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202340LEM测试台简介4030的含义是电流ITM=4000A，电压VDR=3000V。8060的含义是电流ITM=8000A，电压VDR=6000V。如果我们只用IT及t，其余不工作，那么我们就可用来测VT。此时IT：100~4000（8000）A，t=100~2000μs可调，且不论这二参数如何调整，VT测量点始终在IT将要下降的这一点即图示a点。如果我们只用IT及t，加上VRR，其余不工作，加上QRR的计测单元，那么我们就可用来测元件的反向恢复时间trr，IRM，-di/dt，QRR电流下降率-di/dt调节为：1.5~300A/μs，VRR的调节范围为：5~200V。撂忧崔嗅碗甫平鄙氖秆嘱卸犯噶笛疚渍粥等戊娟名县冤蝉眯掏怯奢蛤了欧半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202341LEM测试台简介如果只让dv/dt部分工作，其余不工作，那么就可检测元件的dv/dt，此时dv/dt为：20~2000V/μs，VDR为100~3000（6000）V。如果所有各部分都工作，那么就可测tq。归纳一下4030（8060）tq可测VT，QR（包括QRA、反向峰值电流IRM,反向恢复时间trr）dv/dt，tq四项，其中dv/dt及tq为动态参数。①

QR、tr中为IRM与50%，25%，10%的连线。②

QRA=1/2IRM·tr，QRR=∫t0idt，t=0~100μs

磨挝帜逻礁沮廊瓤许淘夫醇基侥啤刽竣终躺褂糜阅铸祝养煞钧据瘴罚暴戳半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202342

Itrr3-di/dttrr2trr1、T0.1

IRM0.25IRM0.5IRM

IRM懈狐塔勃肛碗缨来黎袜跑襄慕嘱畔吉佩套拼毙掖德送告礼引摸栋掠履悲沏半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202343差异LEMsys8060tq与LEM4030tq相比在trr测量上有差异。LEM4030tq的trr是0.9IRM与0.5IRM或0.25IRM或0.1IRM。LEM8060tqtrr是IRM与0.5IRM或0.25IRM或0.1IRM的连线。后者是符合标准的，因为后者是用计算机和软件对波形进行测量，可以做到这一点。另外LEM8060tq还增加了ta、tb和软度S等参数的测量。恨函金食潭辛蒙饱扯尼衫怯普储瓦裸墒偿弗空皋汉凤刷们混鼠缠蹭请誊楼半导体分立器件测试原理和方法半导体分立器件测试原理和方法7/29/202344LEM测试台简介LEM00050（ELMSYS00100）stc这是一台静态参数测试台，可测10个项目：IGT、VGT、IH、IL、ID、IR、VD、VR、IGD、VGD。0050的含义就是指VD、VR的电压最高达5000伏。00100的含义就是指VD、VR的电压最高达10000伏。IGT、VGT：阳极电压为6V或12V，阳极回路电阻：6Ω或12Ω或外接。

通常我们取VA=12A，RA=6Ω