ICT基本原理-课件

ppt课件1ICT基本测试原理ppt课件2ICT概况--何谓ICT？

ICT即是InCircuitTester的简称，主要用于组装电路板的测试。ICT可以视为一部自动化的高级电表，并且因它具有隔离组件的功能，能准确测量每一组件在电路内的实际值。

ppt课件3ICT与电表功能的差异

电表是用以量测单一零件，而ICT除了可量单一零件外，更可经由针床来量测实板上的零件。只是实板上有许多回路，易将信号源与以分流、分压，故往往需加”Guarding”功能，才可使量测准确。

ppt课件4ICT与ATE有何差异？

ICT只做静态测试，即无电源测试，实板不需加电源；而ATE可做动态测试。即ATE之目的为测试实板及板上零件之功能是否正常，故实板必须加电源才可使板上的零件工作。尤其ATE在送信号时，特别要考虑零件的特性、规格，否则易损坏零件

ppt课件5ICT能测些什么？

开、短路，电阻，电容，电感，IC保护二极管测试（含二极管，三极管，

Zener，IC）等。

ppt课件6电阻测试--基本电阻测试

Mode0RxIrUr恒电流测试模式Rx=Ur/IrTestResearch,Inc.Rx//R电阻实际值Rx，XY两端测得值RmRm=Rx*R/(Rx+R)≠Rxppt课件7电阻测试–小电阻四线量测

Mode6TestResearch,Inc.小电阻(50欧姆以内)四线量测：小电阻两端各下两支探针，1-4号探针的接触阻抗分别为R1-R4,Ra,Rb,Rc,Rd分别为四次测试之量测值Ra=R1+R2Rb=R3+R4Rc=R1+Rx+R4Rd=R2+Rx+R3Rx=(Rc+Rd-Ra-Rb)/2

1234R1R2R3R4Rxppt课件8电阻测试--Rx//CMode0，1测试顺序是:[放电],充电和电压测试考虑到电容的分流,要先对其充电,经过T2以后,Ic→0.此时可量回准确的阻值.故遇到R//C的情形,釆用定电流源测试时,须加DELAYTIME.且电容越大,延迟要更久,才能得到准确值.TestResearch,Inc.ppt课件9电阻测试--Rx//CMode2当C较大(μ级以上)时,若仍釆用定电流源方式,则电容会将电流源分流,直至电容充饱时才成断路,这样会消耗太久测量时间.此时改以电压源(0.2VDC)对电容充电,迅速将电容加至0.2VDC(断路),再量回电流Ix值,即可求得Rx,(RX=0.2VDC/IX)其量测电路可与L/C量测电路共享,同样是“送电压”，“量电流”方式.如果在被测电阻RX的相关电路中有电容存在,通过设置虚地隔离点,可以提高测试速度

TestResearch,Inc.ppt课件10电阻测试--Rx//DMode1Rx//D,推而广之,电阻与带PN结的零件并联,(包括D,ZEN,LED,TR,FET,SCR,TRIAC,PHOTOCOUPLER,IC,etc).假设Rx=2kΩ

若Is=500μA

则Vr=IS*R=500*10-6(A)*2*103(Ω)=1(V)此时D已导通,将Rx两端限压至约0.7V.那么Rm=0.7(V)/(500*10-6(A))=1.4*103(Ω)=1.4kΩ≠Rx.此时,要改以低一档电流源测试,Is’=50μA,Vr=0.1VD处于截止状态，Rm=Rx另外,互换高低点(HI-PIN←→LO-PIN).即IS从DIODE的阴极注入,亦可避免D的“限压”.互换高低点不可行的情况可能出现在以下连接电路.TestResearch,Inc.ppt课件11电阻测试--Rx//D//CMode2而对于Rx//D//C,见右图.在TR-518FE(R)中,选择MODE2:HIGHSPEEDFORR//C,因电压源为0.2VDC,故D仍处于截止状态,亦可避开D的“限压”.TestResearch,Inc.ppt课件12电阻测试--Rx//LMode3，4，5若仍以电流源量测Rx.由于L的瞬时为由“OPEN”至“SHORT”,其瞬时时间不易控制,而稳态时电感相当于“SHORT”,将电流源完全分流,致Vx­→0,此时,须以AC来测量,使得L呈现一阻抗值(愈大愈好).再利用相位差即可计算出RxIx’/Vs=1/Rm

=∣1/Rx+1/(jωL)∣1/Rx=1/Rm*COSθRx=Rm/COSθTestResearch,Inc.ppt课件13电容测试--AC(3uF以下)Mode0,1,2,3由OSC分别产生1kHZ/10kHZ/100kHZ/1MHZ的AC输出信号,其振幅均为固定(40mVrms)∵Vs/Ix=Xc=∣1/(jωCx)∣=1/(2πfCx)∴量回Ix的振幅,即可求得CxTestResearch,Inc.晶振测试，若ICT无晶振测试板，则可作小电容测试ppt课件14电容测试--DC(3uF以上)Mode4,8对于大电容,若使用上述AC电压源模式测试时,将需要较低频率来测试,从而增加ICT的测试时间.另外,大电容交流阻抗很小,如此无法判断电容内部是否有短路发生,此时须以DC测量

在被测电容上加载定电流,然后通过测量其积分电压,计算其电容值.∵Q=C*V∴i=dQ/dt=C*dV/dt=C*∆V/∆T(dV/dt为曲线斜率)TestResearch,Inc.ppt课件15电容测试--Cx//CCx//CCm=Cx+C≠Cx

小电容与大电容并联，一般小电容无法测试CxCTestResearch,Inc.ppt课件16电容测试--相位分离法Mode5,6,7Cx//R,釆用AC常规法,则因R的分流会使Cm>Cx相位分离法：IX’/VS=∣jωCM∣=∣jωCX+1/R∣

∣jωCX∣=∣jωCM∣*SINθCX=CM*SINθ.所以,IFR→∞

θ→90°SINθ≒1CX=CMR→0θ→0SINθ≒0CX≒0(并联J或SHORT)

TestResearch,Inc.ppt课件17电容测试--电容极性测试C0C1TestJetC1方式1:漏电容测试法

Mode5，6以可程序电压源,对电容充电,直至充饱后,再测量正向漏电流.正常情况下,反向漏电流会很大.据此可测插反情形方式2:三端电压测试法上方加一探针触及壳体.在电容的正负极加载直流电压,至充饱后测量壳体电压.由于正负极与壳体间的阻抗差异,故对于插反的电容所测量到的壳体电压会与正确时不同.据此可判别电容的极性方式3:SMD钽质电容TestJet测试法TestResearch,Inc.ppt课件18电感测试--AC信号源Vs/Ix=XL=∣jωLx∣=2πfLx量回Ix振幅,即可求得LxTestResearch,Inc.ppt课件19PN结测试--D、LED、ZD测试方式:以可程序电压源,对二极管加电流,测量正向电压或反向电压.(正向电压约为0.7V.)加载电流:最大3mA,20mA或10mA.测试范围:10V以内Vd=0.7VVd>1.5VVd=0.7VVd=1.8VTestResearch,Inc.两个二极管(推而广之,指PN结)异向并联,所有二极管均釆用正,反向双步测试

D//C时,电容充电后再测试D正向导通电压，建议加延时及用Mode1D//R时,若R<50欧时，D基本无法测试ppt课件20PN结测试--PNP、NPNBCEBECGHLVCE<0.2V1.5V1.5V三极管是由2个PN结组成，SMD类型三极管以及B极在两侧脚的DIP类型PNP或NPN只需要测其之两PN结。DIP类型三极管之B极位于中间脚时，必须增加一个测试步骤：三极管三端电压测试Mode3,4以NPN为例，右图中，C极为高点，E极为低点，B极为隔离点，提供约1.5V电压时，CE间饱和压降接近0V。认为小于0.2V即正常。三极体在共射极接法时的电流放大系数β.β≒IC/Ib(有时用hFE代表)TestResearch,Inc.ppt课件21PN结测试--PHOTOCOUPLER测量PC3,4脚的饱和电压,即在1,2脚加一电压使PC导通,再量回3,4脚的压降约在0.2V左右高低点及隔离点设置如右图所示一般再增加一步1-2脚间的PN结测试V1-2=1VTestResearch,Inc.ppt课件22PN结测试--FET以N型沟道增强型绝缘栅场效应管(MOSFET)为例1由于栅极(g)处于不导电(绝缘)状态,通常,源极(s)与衬底连在一起,故在漏极(d),源极(s)存在一PN结,可将其当作D来测.2三点测试,类似三极体的三点测试方式.在FET的g-s脚及d-s脚各施加一可程序电压源(最高为5V),使之导通,再测量漏极电流Id.TestResearch,Inc.ppt课件23PN结测试--SCR1k,g之间有一PN结,可作D来测;2三点测试,类似三极体的三点测试方式.在FET的g-k脚及a-k脚各施加一可程序电压源(最高为5V),使之导通,再测量阳极电流Iak晶闸管的导通条件为:除在阳-阴极间加上一定大小的正向电压外,还要在控制极-阴极间加正向触发电压TestResearch,Inc.ppt课件24PN结测试--IC保护二极管大部分IC在I/OPIN中,会加上保护DIODE.故可通过测其DIODE来判定插反,空焊,漏件,开/短路以及IC保护DIODE不良等情形,但对IC内部的电性不良则必须依赖功能测试.GndVccTPIC并联之保护二极管无法测试；一般记忆性IC很少内建PN结，如ROM，RAM，EPPROM等TestResearch,Inc.ppt课件25跳线测试--J/F/W/CON/SWUMPER,FUSE,WIRE,CONNECTOR,SWITCH,etc.阻抗值机器内识别值荧幕显示值(0,5]01(5,25]11(25,55]23(55,∞)34TestResearch,Inc.ppt课件26开短路测试

>55Ω

≦55Ω>5Ω

≦5ΩOPENFAIL

PASS

SHORTFAILOPENTESTINGSHORTTESTINGLEARNING

≦25Ω>25ΩSHORTOPEN

开/短路学习凡两两之间电阻≦25Ω的针号归入一个SHORTGROUP,反之亦然.

开路测试在SHORTGROUP内进行以55Ω为判断标准

短路测试在SHORTGROUP之间进行不处于任何SG内的点可视为单点SG以5Ω为判断标准TestResearch,Inc.ppt课件27开短路测试--EXAMPLETestResearch,Inc.ppt课件28IC空焊测试

--Agilent

TestJet技术

放大器

Cx

GND

Testpin Fixture

300mV,10KHz

放大器

Cx

Cy

Testpin open Fixture

300mV,10KHz

传统的IC保护二极管测试方式一般来说能测试IC除VCC与GND之外的70-80%的引脚的开路问题，而TestJet技术的应用则使这一比例达到98%以上并足够稳定。TestResearch,Inc.ppt课件29不良报表--不良报表的阅读

ppt课件30不良报表--不良报表的阅读以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值）：L1表示：量测值介于

L0与L0-（H0-L0）10%之间L2表示：量测值介于

L1与L0-（H0-L0）20%之间VL表示：量测值低于

L2H1表示：量测值介于H0与H0+（H0-L0）10%之间H2表示：量测值介于H1与H0+（H0-L0）20%之间

VH表示：量测值高于H2.

ppt课件31不良报表--不良记录

*******OpenFail*******

（48）（4548）表示48点与短路组（4548）断开，可能是探针未接触到PCB焊盘，或板上有断路。

********ShortFail********

（20）（23）表示20点与23点短（R<5Ω），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造成Short，零件脚过长造成Short等。

ppt课件32不良报表--不良记录******ComponentFail******1

R3M-V：52.06K，Dev：+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K